NEW KINDS OF DIRAC ENERGY LEVELS AND THEIR CROSSING REGIONS

In the space-time of a non-Kerr-Newman black hole, the Dirac energy levels and their crossing regions are investigated. Near the event horizon of the black hole there are crossing Dirac energy levels, which lead to the occurrence of non-thermal radiation.     

SiO2水玻璃微球辐射增强扩散研究

激光惯性约束聚变使用的玻璃微球经中子辐照后,产生辐射增强扩散效应,Ar在玻璃微球中的扩散性能显著改善,获得了常规加热加压扩散方式无法得到的扩散效果。而带电离子辐照玻璃微球后Ar的扩散性能却没有明显改善。研究了中子和其它带电粒子辐射增强扩散效应的差异。After being radiated by neutron, the glass microspheres, which used in ICF research, have greatly increased the ability of Ar diffusion in it because of the radiation-enhanced diffusion. Such results cannot be achieved by means of thermal diffusion. But after being radiated by charged particles, the ability of Ar diffusion in glass has not increased very much. The differences of the radiation-enhanced diffusion caused by neutron and ions are presented.     

Soliton-like pulse timing jitter in dispersion-managed systems

In this paper, the timing jitter in dispersion-managed soliton-like systems with the Gaussian pulse is studied by using two methods. Firstly, the derivation of the dynamic equations for the evolution of soliton-like parameters and the timing jitter expressions for the dispersion-managed soliton-like systems are carried out by the perturbed variational method. By analysing and simulating these timing jitter expressions, one can find that the timing jitter is induced by the amplified spontaneous emission noise and the frequency shift, etc. Nonlinear gain can suppress the timing jitter. The chirp sign and the filters action have also effects on the total timing jitter. Secondly, the timing jitter is calculated and analysed by using the moment method. The results of the two methods prove to be consistent with each other.     

UBK7玻璃后表面缺陷诱导体内激光损伤

 对UBK7玻璃在波长为1.064靘的短脉冲激光作用下产生的损伤进行了研究。通过对体损伤的形貌的相衬显微镜观测,发现体内和后表面炸裂点间的丝状损伤,从而提出后表面缺陷导致体损伤的理论解释。同时分析了表面损伤和体损伤的机理,对后表面损伤阈值低于前表面的原因作了讨论。     

电子束在VO2薄膜中引起的价态、相结构和光学性能的改变

 利用能量为1.7MeV, 注量分别为1.25×10¹³/cm², 1.25×10¹⁴/cm², 1.25×10¹⁵/cm²的电子束辐照VO₂薄膜,采用XPS, XRD等测试手段对电子辐照前后的样品进行分析,并研究了电子辐照对样品相变过程中光透射特性的影响。结果表明电子辐照引起VO₂薄膜中V离子出现价态变化现象,并使薄膜的X射线衍射峰发生变化。电子辐照在样品中产生的这些变化显著改变了VO₂薄膜的热致相变光学特性。     

BaF_2晶体质子辐射效应研究

通过对BaF2 晶体进行质子辐照实验 ,研究BaF2 晶体质子辐照后的荧光发射谱及正电子湮没寿命谱。初步探讨BaF2 晶体经质子辐照后出现的现象和机理。     

基于Windows下的质子在物质中运动的模拟程序

采用解析法和Monte-Carlo方法相结合的Windows环境下模拟计算了不同能量的质子在Si,Ge等半导体物质和Au-Si探测器内的运动情况，并用计算机实际作出了质子在以上物质中的运动径流，直观动态的描绘了质子在半导体物质中的运动情况，得到了比较符合实际的模拟结果。     

18 MeV质子辐照对TiNi形状记忆合金R相变的影响

 研究了用HZ-B串列加速器的18MeV质子辐照对TiNi形状记忆合金R相变的影响，辐照在奥氏体母相状态下进行。示差扫描量热法（DSC）表明，辐照后R相变开始温度T^s_R和逆马氏体相变结束温度T^f_A随辐照注量的增加而降低。当注量为1.53×10¹⁴/cm²时，T^sR和T^f_A分别下降6K和13K，辐照未引起R相变结束温度T^s_R和逆马氏体相变开始温度T^f_A的变化。表明辐照后母相(奥氏体相)稳定。透射电镜（TEM）分析表明辐照后没有引起合金可观察的微观组织变化。辐照对R相变开始温度T^s_{R和逆马氏体相变结束温度Af的影响可能是由于质子辐照后产生了孤立的缺陷团，形成了局部应力场，引起晶格有序度的下降所造成的。}     

双束质子辐照砷化镓光电导探测器的I-V特性

 对用能量为7.5MeV和20MeV,注量为10¹¹～10¹³cm^-2的质子辐照后的砷化镓材料制作的光电导探测器的光电流和暗电流进行了测试，并由此推得电导率的变化。结果表明，经过能量为7.5MeV的质子改性后的砷化镓探测器相对于未改性的附加光电导率Δσ减少，而且随着辐照注量的增加而越小，而对于先用能量为20MeV质子辐照后再用能量为7.5MeV的质子辐照的砷化镓材料制作的探测器，其附加光电导率Δσ的减少则更为明显。对上述现象进行了分析，并根据其相应关系预测了该种探测器的响应时间、灵敏度、拖尾现象及受X射线激发的输出脉冲的后延的变化情况。     

α-Al2O3: Mn单晶的三维热释发光谱研究

测量了α-Al2O3: Mn单晶中子辐照前后的三维热释发光谱.观察到α-Al2O3: Mn:Mn单晶γ射线照射后测量的三维热释发光谱中，峰温在350℃波长为680nm处有一宽发光峰，这可能与Mn2+离子有关；波长为695nm峰温在170℃和350℃的线状光谱，叠加在680nm宽发光峰上，是Cr3+离子的发光谱线,其中可能有Mn4+离子的贡献.与纯α-Al2O3单晶的热释发光谱相比，掺入Mn杂质后，γ射线照射的三维热释发光谱中完全地抑制了波长为416nm的α-Al2O3的F心发光峰.经1017cm-2中子注量辐照和退火后，γ射线照射后测量的三维热释发光谱中，在150℃出现了波长为416和695nm的发光峰，以及在250℃波长为680和695nm的发光峰，其中695nm新发光峰的强度略超过了中子辐照前α-Al2O3:Mn在350℃波长为695nm的发光峰，说明中子辐照产生了大量浅陷阱能级和F心.然而，经1018cm-2中子注量辐照和退火后，γ射线照射后测量的三维热释发光谱中，出现了峰温150℃，190℃和250℃波长为520nm的Mn2+离子发光峰，以及300℃波长为680和695nm的Cr3+（或Mn4+）的发光峰，表明增高中子注量的辐照，产生了温度为190℃，250℃和300℃深陷阱能级和F心，并使Mn2+离子发光峰明显加强. 关键词： α-Al2O3:Mn 三维发光谱 缺陷结构 发光机理