电子束在VO_2薄膜中引起的价态、相结构和光学性能的改变

利用能量为 1 .7Me V,注量分别为 1 .2 5× 1 0 13 /cm2 ,1 .2 5× 1 0 14 /cm2 ,1 .2 5× 1 0 15/cm2 的电子束辐照 VO2 薄膜 ,采用 XPS,XRD等测试手段对电子辐照前后的样品进行分析 ,并研究了电子辐照对样品相变过程中光透射特性的影响。结果表明电子辐照引起 VO2 薄膜中 V离子出现价态变化现象 ,并使薄膜的 X射线衍射峰发生变化。电子辐照在样品中产生的这些变化显著改变了 VO2 薄膜的热致相变光学特性     

具有高阶耦合色散系数三芯光纤耦合器非线性光开关特性的研究

利用两种方法研究了高速光脉冲在具有交叉相位调制的等边三角形排列结构的非线性三芯光纤耦合器中传输和开关特性.首先利用变分原理得到三纤芯中传输转移系数随距离变化的方程,然后利用分裂步长傅里叶方法求得了光脉冲的数值解.变分法和数值模拟的结果表明：当一阶模间色散系数较小时,光脉冲仍能在三芯之间周期性耦合传输,并且表现出良好的开关特性,但是随着一阶模间色散系数的增大,脉冲耦合传输的周期性和陡峭的开关特性都遭到破坏,光脉冲在传输中发生分裂;二阶耦合色散系数和初始啁啾都能使光脉冲传输时的耦合长度变短、光脉冲在三纤芯之间 关键词： 三芯光纤耦合器 模间色散系数 耦合长度 开关阈值功率     

18 MeV质子辐照对TiNi形状记忆合金R相变的影响

研究了用HZ B串列加速器的18MeV质子辐照对TiNi形状记忆合金R相变的影响,辐照在奥氏体母相状态下进行。示差扫描量热法(DSC)表明,辐照后R相变开始温度TsR和逆马氏体相变结束温度TfA随辐照注量的增加而降低。当注量为1.53×1014/cm2时,TsR和TfA分别下降6K和13K,辐照未引起R相变结束温度TfR和逆马氏体相变开始温度TsA的变化。表明辐照后母相(奥氏体相)稳定。透射电镜(TEM)分析表明辐照后没有引起合金可观察的微观组织变化。辐照对R相变开始温度TsR和逆马氏体相变结束温度Af的影响可能是由于质子辐照后产生了孤立的缺陷团,形成了局部应力场,引起晶格有序度的下降所造成的。     

一个具有电荷和磁偶极矩黑洞的量子非热辐射及其辐射粒子射程的特征

一个稳态轴对称非Kerr-Newman黑洞时空中的粒子能级分布与电磁四维势有关，黑洞电荷和磁偶极矩的存在以及裸奇点的出现都对粒子能级分布有影响，粒子能级分布与方向有关.此黑洞的量子非热辐射及其粒子的平均射程与辐射粒子的能量范围有关。     

维纳尔法生长掺杂刚玉晶体中O-H基团红外谱特性的研究

本文通过大量各种掺杂的维纳尔法生长刚玉晶体的红外谱分析研究,利用质子辐照样品和提拉法生长样品与之比较,识别出四个新的O-H基团红外峰,峰位分别在2851厘米～(-1),2919厘米～(-1),2955厘米～(-1)和3164厘米～(-1)。提出H～ 离子与金属离子形成复合体模型,给出了Al～(3 )、Ti～(3 )、V～(3 ),Cr～(3 )、Fe～(3 )、Co～(3 )、Ni～(3 )和阳离子空位与H～ 离子形成[(Me)’_(Al)/H·_(i)]缺陷的红外峰位,很好地解释了有关实验现象。     

一种新型辐射变色膜的γ射线辐照研究

报道了以高聚物为载体，以有机染料及添加剂为变色指示剂体系，制备一种辐射变色膜。这种辐射变色膜为无色透明固体薄膜，经60Co γ射线辐照后，其颜色变为蓝色。辐照后样品的紫外-可见吸收光谱表明，在可见光区其最强吸收峰出现在624 nm附近。在10～90 kGy的剂量范围内，不含添加剂的辐射变色膜的光密度变化与吸收剂量呈线性关系，而含有添加剂的辐射变色膜对γ射线辐照的响应在50 kGy时就达到饱和。同时还探索了该体系辐照效应的化学反应机理。     

用于激光等离子体测量的X光量热计

 由于X光量热计具有体型吸收、线性响应及抗电磁干扰能力强等优点，可用于对激光等离子体辐射的X光总量测量。介绍了X光量热计的原理和结构，量热计主要由吸收体、热电堆、恒温体和外壳4个部分组成；量热计吸收体接收X光能量后，在瞬时内温度迅速上升，同时又通过热传导或辐射而损失能量。电加热法作为X光量热计的传统标定方法，标定结果不可靠。为此采用经过绝对标定的XRD阵列谱仪（SXS）对X光量热计在神光-Ⅱ装置上进行了在线绝对标定。结果表明：X光量热计性能稳定，其灵敏度为(84.1±3.4) μV/mJ，X光能量测量的相对合成标准不确定度约为31%，可用于X光定量测量。     

分形介质中的反常扩散

本文利用适当的标度变换将欧氏空间中的经典扩散方程抗议为分形点阵上的标准扩散方程，并应用该标准扩散方程证明了分形布朗粒子的运动服从反常扩散，同时还讨论了一般分形扩散方程及其渐进解。     

电子辐照对VO2薄膜热致相变过程中光学性能的影响

利用能量为1.7MeV,注量分别为10^13-10^15/cm^2,的电子束辐照二氧化钒薄膜,对辐照及未辐照样品进行了UV－VIS,XPS参数测试,并测量900nm处光透射性能随温度的变化,发现电子辐照导致了VO2薄中的V离子价态由V^4向V^5 转变,薄膜热致相变前后的光透射比随注量增加变化较小,只在注量为10^14/cm^2时光透射比减小得较明显,相变温度点及热滞回线宽度随注量增加出现显著变化,并对有关的结果进行了讨论。