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1.
 利用电子顺磁共振(EPR)谱和透射电子显微镜(TEM)研究了YSZ单晶的辐照效应。200 keV的Xe和400 keV的Cs离子注入[111]取向的YSZ单晶中,注量均为5×1016 cm-2。EPR结果表明辐照产生了共振吸收位置g‖=1.989 和 g⊥=1.869、对称轴为[111]的六配位Zr3+顺磁缺陷。Cs辐照产生了比Xe 离子辐照多约150倍的六配位Zr3+顺磁缺陷。两种样品的剖面电子显微分析表明没有发现非晶化转变,但是Cs离子辐照的样品在损伤集中区域产生了密度较高的缺陷。因此,EPR谱和电子显微观察均说明在相同离位损伤(约160 dpa)的情况下,Cs离子辐照比Xe 离子辐照产生了更多的缺陷。造成这一现象的原因是Cs离子是化学活性的而Xe 离子却是惰性的。  相似文献   
2.
18 MeV质子辐照对TiNi形状记忆合金R相变的影响   总被引:4,自引:4,他引:0       下载免费PDF全文
研究了用HZ B串列加速器的18MeV质子辐照对TiNi形状记忆合金R相变的影响,辐照在奥氏体母相状态下进行。示差扫描量热法(DSC)表明,辐照后R相变开始温度TsR和逆马氏体相变结束温度TfA随辐照注量的增加而降低。当注量为1.53×1014/cm2时,TsR和TfA分别下降6K和13K,辐照未引起R相变结束温度TfR和逆马氏体相变开始温度TsA的变化。表明辐照后母相(奥氏体相)稳定。透射电镜(TEM)分析表明辐照后没有引起合金可观察的微观组织变化。辐照对R相变开始温度TsR和逆马氏体相变结束温度Af的影响可能是由于质子辐照后产生了孤立的缺陷团,形成了局部应力场,引起晶格有序度的下降所造成的。  相似文献   
3.
 在Ti-2Al-2.5Zr合金中注入能量为75 keV的He离子,注入剂量分别为5×1016cm-2,1×1017 cm-2。通过显微硬度测量和剖面电子显微观察,研究了He离子对Ti-2Al-2.5Zr合金力学性能和显微组织的影响。结果表明:样品的显微硬度随He离子注量的增加而升高,在温度为350和550 ℃的Ar气中退火后硬度有所下降。剖面电子显微观察发现有位错环和He气泡生成,退火后He气泡有长大、缺陷有回复的趋势。辐照产生的位错环是辐照后硬度升高的直接原因,其退火发生回复又引起硬度随退火温度的升高而降低。  相似文献   
4.
 TiNiCu记忆合金在美国Argonne国家实验室IVEM Tandem National Facility加速器产生的400keV Xe+离子辐照到0.4dpa时发生非晶化转变。通过电子显微镜研究了非晶化的TiNiCu合金的回复和再结晶过程。退火加热的速度是10℃/min。在280℃时非晶环附近出现电子衍射斑点以及明场像中出现少量析出相,表明回复和再结晶开始。退火到550℃出现多晶环,650℃时有片状马氏体变体生成,750℃时有很锐利的多晶环出现,表明再结晶过程基本完成。经标定再结晶晶粒仍然是TiNiCu记忆合金。再结晶组织与辐照前TiNiCu 合金的显微组织相比有较大差异。  相似文献   
5.
 研究了用HZ-B串列加速器的18MeV质子辐照对TiNi形状记忆合金R相变的影响,辐照在奥氏体母相状态下进行。示差扫描量热法(DSC)表明,辐照后R相变开始温度TsR和逆马氏体相变结束温度TfA随辐照注量的增加而降低。当注量为1.53×1014/cm2时,TsR和TfA分别下降6K和13K,辐照未引起R相变结束温度TsR和逆马氏体相变开始温度TfA的变化。表明辐照后母相(奥氏体相)稳定。透射电镜(TEM)分析表明辐照后没有引起合金可观察的微观组织变化。辐照对R相变开始温度TsR和逆马氏体相变结束温度Af的影响可能是由于质子辐照后产生了孤立的缺陷团,形成了局部应力场,引起晶格有序度的下降所造成的。  相似文献   
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