光学膜层激光损伤阈值均匀性的实验研究

 镀制了多种氧化物介质薄膜。用R-on-1方法测定了膜层的激光损伤阈值。引入数据处理方法，对测试数据进行分析。结果表明，基片清洗后，若放置一段时间再镀膜，则会影响到镀膜后膜层损伤阈值的均匀性，但对损伤阈值自身大小没有影响。测试激光参数对阈值均匀性也有一定影响。     

α-Al2O3单晶的热释光和光释光特性

研究了纯α-Al2O3单晶的热释光发光曲线和三维发光谱,以及光释光衰变曲线,对它们的发光机理和剂量学特性进行了分析和讨论.实验观察到α-Al2O3单晶β射线照射后立即测量的热释光发光曲线,有峰温为76℃和207℃两个发光峰.经γ射线照射数小时后测量的三维发光谱,只有峰温207℃波长为416 nm发光峰,它与α-Al2O3:C晶体的发光波长基本相同,是受热激发到导带的电子与F+心复合所生成的F心激发态3P跃迁至基态1S发的光.用热释光动力学方程拟合不同照射剂量的发光曲线,207 ℃发光峰的峰温基本不随剂量而变化,形状因子μg的平均值为0.415±0.001,该发光峰的剂量响应为线性-亚线性,表明它基本符合一级动力学模型所预言的发光峰.实验还测定了纯α-Al2O3单晶辐照不同剂量后,470 nm波长激发的光释光衰变曲线.用两个指数衰变函数拟合光衰变曲线得到的衰变时间常数τ1(平均值为2.63±0.07s)基本不随剂量而变化,而τ2则在0.12至12 Gy范围内有明显下降趋势,大于12 Gy时无明显变化,约75s.时间常数τ1对应的光释光强度和吸收剂量的关系为线性-亚线性.     

高能量,大注量中子辐照下α—Al2O3中的F3聚集型色心电子结？…

利用嵌入原子族模型结合Ｆ心的类Ｈ离子波函数研究了α－Ａｌ２Ｏ３晶体中Ｆ３聚集型色心存在时,晶体的能带结构,态密度,Ｍｕｌｌｉｋｅｎ电荷布局的变化,讨论了色心的光学吸收跃迁模式。结果表明,由于Ｆ３聚集心的存在,在α－Ａｌ２Ｏ３中引入了１个单能级和１个２重简并色心能级,产生了一个３．５４ｅＶ的从色心能级到导带底的新的吸收跃迁。经与高能量,大注量中子辐照后的刚玉晶体的光学吸收实验结果比较,我们认为实验测     

高能量,大注量中子辐照下α-Al_2O_3中的F_3聚集型色心电子结构及其吸收光谱研究

利用嵌入原子簇模型结合Ｆ心的类Ｈ离子波函数研究了α－Ａｌ２Ｏ３晶体中Ｆ３聚集型色心存在时,晶体的能带结构,态密度,Ｍｕｌｉｋｅｎ电荷布居的变化,讨论了色心的光学吸收跃迁模式。结果表明,由于Ｆ３聚集心的存在,在α－Ａｌ２Ｏ３中引入了１个单能级和１个２重简并色心能级,产生了一个３．５４ｅＶ的从色心能级到导带底的新的吸收跃迁。经与高能量,大注量中子辐照后的刚玉晶体的光学吸收实验结果比较,我们认为实验测得的０．３５６μｍ（３．４８３ｅＶ）处的吸收峰是由于Ｆ３聚集心的电子的吸收跃迁所引起的。同时,也发现Ｆ３聚集心的格点处的电荷布居比单Ｆ心格点处的电荷布居小。     

周期色散管理波分复用系统中交叉相位调制边带不稳定性理论分析

色散管理是在波分复用系统中, 周期地使用色散符号相反的光纤，使总的路径平均色散系数接近于零，系统中的色散就得到了补偿的一种技术.研究了波分复用集总放大色散管理系统中交叉相位调制的不稳定性，解析和数值研究表明，当路经平均色散系数表现为反常色散时，存在多阶边带；当路经平均色散系数表现为正常色散时，解析研究表明只存在最低阶边带，数值模拟显示噪声谱中最低阶边带噪声谱功率最强，解析和数值研究得到的结论一致. 关键词： 色散管理 波分复用 边带不稳定性     

用多群蒙特卡罗方法计算快中子核临界K_(eff)和通量密度

用多群蒙特卡罗方法对快中子核裂变系统进行了临界计算。有效增殖因子κｅｆｆ的计算值与实验结果符合。计算所得中子通量密度的空间分布在球形裂变系统中随半径增大单调下降。中子通量密度的能量分布在由高浓缩铀组成的活性区内里单一能量极大值,其对应能量对于裸球核裂变系统和具有反射层裂变系统分别为０．３５ＭｅＶ和０．２５ＭｅＶ,而在由天然铀组成的反射层中在０．１ＭｅＶ附近出现能量双峰。由通量密度所得中子能谱在无反射层球形裂变系统中随半径增加变硬,在有反射层球形裂变系统中随半径增加变软。     

CO在Ni/Ti2O3体系上吸附的DV-Xα研究

用DV-X_α方法计算了Ni_3Ti_2O_3,CO-Ni_3Ti_2O_3,CO-Ni_4和CO-Ni_3Ti各原子簇的电子结构。这些原子簇分别模拟担载在Ti_2O_3上的金属Ni,CO在Ti_2O_3担载的Ni表面的化学吸附,CO在纯Ni及Ni_3Ti表面上的化学吸附。比较计算的结果表明,Ti~(3+)离子和金属Ni之间形成强共价键;成键过程中电子由Ni向Ti~(3+)转移,Ni原子带0.07个正电子电荷。计算的Ni-CO键和C—O键的Mulliken重叠集居指出,Ti~(3+)-Ni之间的强成键及电子转移没有导致Ni吸附CO的活性降低及吸附的CO的活化程度的提高。这就表明,电子因素,即Ti~(3+)-Ni之间的强成键及电子转移似乎不是导致所谓的金属载体强相互作用(SMSI)的主要原因。     

金红石型二氧化钒的电子结构及光电性质的计算

采用原子簇嵌入模式的电荷自洽离散变分法(SCC-DV-Xα-ECM),对金红石型二氧化钒(VO₂)的电子结构、介电常数、吸收系数、折射率、电导率等光电性质进行计算.得到O的2p能态与V的3d能态杂化形成一个宽带,费米能级在此带内上部.在费米能级下的能级上都占据有电子,此带中有大量电子都可参与导电,因此金红石型VO₂呈现金属性质.介电常数虚部随入射光频率的变化,反映了在0.8 eV能量附近,电子激发以带内跃迁为主,在5~7 eV能量范围,电子激发以带间跃迁为主.折射率和消光系数与已报道的实验结果符合得比较好.并将所得结果与CASTEP软件计算结果对比及分析讨论.     

γ辐射及退火MgAl2O4透明陶瓷光谱特性研究

本文用不同剂量的γ射线辐照镁铝尖晶石透明陶瓷,并对辐照后的样品进行等时退火,UV-VIS和FI-IR测试表明,辐照前3360cm-1处有吸收峰,它是由V-1OH心吸收引起的.经γ辐射,样品在370nm处产生吸收带,它是由辐照产生的V型色心吸收引起的.通过退火可以使V型色心吸收带消除.结果表明:较低剂量的γ辐照能降低陶瓷紫外到红外的透过率;大剂量的γ辐照能在陶瓷中产生退火效应,能增加陶瓷红外透过率.     

Sr:BaF2晶体电子辐照诱生F型色心及其转型研究

测试和分析了Sr:BaF2晶体电子辐照前后以及辐照着色的样品光致转型过程的吸收谱.研究结果表明,能量为1.5MeV和1.8MeV的电子束对Sr:BaF2晶体的辐照注量达1015～1016cm-2时,诱生F-H对、F心及其与杂质的复合色心.用波长为632.8nm的He-Ne激光照射电子辐照着色的样品,可使F心转型成FA(Sr2+)心;再用钠光(589.0,589.6nm)照射,又可将FA(Sr2+)心部分回转成F心.