给水厂污泥吸附磷前后孔隙结构及表面积变化分析

给水厂污泥含有铝铁化合物而具有良好的吸磷潜力,同时其吸附能力与本身的孔隙结构及比表面积均直接相关。确定污泥吸磷前后孔隙结构变化,对研究给水厂污泥吸磷机理及性能评价具有重要的意义。本文采用低温氮气吸附法,对给水厂污泥吸附磷前后的孔隙结构和比表面积进行了分析,绘制吸附-脱附等温曲线和孔径分布图,计算累积孔内表面积和累积孔体积,定量分析污泥吸磷前后孔隙结构的变化。通过吸附-脱附曲线可判断给水厂污泥主体孔径为介孔,污泥基本孔隙类型为"狭缝型"孔隙。BJH模型得到的孔径分布表明,给水厂污泥中孔径为1.0~16nm的孔隙对表面积贡献最大,对其吸附磷发挥关键作用,污泥吸磷后孔内体积减少14.5%。BET方法分析表明,污泥样品吸附磷前后比表面积分别为62.46m2/g和32.35m2/g,吸磷后比表面积减少了48.2%。同时确立了根据吸附前后污泥孔体积的减少量计算污泥对磷的理论吸附量的方法。     

星载遥感器的挡光环优化设计与分析

空间光学系统的工作环境非常恶劣, 特别是在卫星本地时间的白天。太空中的太阳光、地气光以及各种热辐射构成了严重的背景噪声, 威胁着空间光学系统的成像质量, 甚至导致空间光学系统因无法成像而失去探测能力。挡光环的出现大大改善了背景噪声带来的不良影响, 可以直接阻挡视场外杂光, 从而影响着系统的杂光抑制能力。然而, 由于挡光环的尺寸较小, 当光线入射到挡光环的边缘时就会产生严重的衍射效应, 这种衍射效应对改善表面材料的散射特性起了反作用。因此, 怎样设计结构合理的挡光环成为了遮光罩设计中的重要环节。本文将机械设计中的聚焦组合创新方法应用到空间光学系统的挡光环优化设计中, 提出了新型结构的挡光环。通过与已有挡光环的结构形式做比较, 经计算机仿真, 验证了该新型结构挡光环的抑制杂散光的优越性, 为我国星载遥感器的挡光环设计提供一种新的方法。     

Low Density Self-Assembled InAs/GaAs Quantum Dots Grown by Metal Organic Chemical Vapour Deposition

The self-assembled InAs quantum dots （QDs） on GaAs substrates with low density （5×10^8 cm^-2） are achieved using relatively higher growth temperature and low InAs coverage by low-pressure metal-organic chemical vapour deposition. The macro-PL spectra exhibit three emission peaks at 1361, 1280 and 1204nm, corresponding to the ground level （GS）, the first excited state （ES1） and the second excited state （ES2） of the QDs, respectively, which are obtained when the GaAs capping layer is grown using triethylgallium and tertiallybutylarsine. As a result of micro-PL, only a few peaks from individual dots have been observed. The exciton-biexciton behaviour was clearly observed at low temperature.     

有机材料(EDT-DSDTFVO)FeCl_4和(EDT-DSDTFVO)GaCl_4的输送现象

通过对有机材料(EDT-DSDTFVO)2FeCl4和(EDT-DSDTFVO)2GaCl4的输送测定,对其电阻率的温度依赖性以及压力效果进行了系统的比较,虽然两类盐的电阻率随着温度的变化行为十分相似,但是其压力效果尤其在高压时表现出明显的差异性。认为这种差异性和π-d相互作用密切相关。在这里,用EDT-DSDTFVO表示ethylenedithiodiselenadithiafulvalenothioquinone-1,3-dithiole methide。     

A new direct band gap silicon allotropeο-Si32

Silicon is a preferred material in solar cells,and most of silicon allotropes have an indirect band gap.Therefore,it is important to find new direct band gap silicon.In the present work,a new direct band gap silicon allotrope of o-Si32 is discovered.The elastic constants,elastic anisotropy,phonon spectra,and electronic structure of o-Si32 are obtained using first-principles calculations.The results show that o-Si32 is mechanically and dynamically stable and is a direct semiconductor material with a band gap of 1.261 e V.     

基于互连线电容耦合的SR锁存电路研究

通过对线间电容耦合模型的研究, 提出了一种基于互连线电容耦合的SR锁存电路设计方案. 该方案首先分析互连线间电容耦合关系, 利用MOS管栅极电容模拟互连线电容; 然后利用电容耦合结构与线计算特性, 设计或非逻辑门电路, 在此基础上实现基于互连线电容耦合的SR锁存电路; 最后在TSMC 65nm Spectre环境下仿真验证. 结果表明 所设计的电路逻辑功能正 确, 且具有低硬件开销特性.     

担载型铱催化剂上CO吸附量热和红外光谱研究

分别对Al2O3和SiO2担载的不同含量铱(Ir)催化剂进行了H2程序升温还原、CO微量吸附量热和红外研究.结果表明,还原后,Ir/Al2O3上存在金属态Ir0和氧化态Irδ 两种物种,CO在催化剂表面主要以线式和孪生吸附态存在,测量的CO吸附热为两种吸附形式的平均吸附热.提高还原温度和Ir担载量,Ir/Al2O3表面CO线式吸附物种的比例增加,从而导致CO吸附热值的升高.而在Ir/SiO2上Ir物种主要为金属态Ir0,CO吸附都以线式吸附为主,在所考察的条件下CO吸附热随Ir担载量和还原温度的变化不明显。     

粗茎乌碱I相对空间构型的NMR解析

综合利用1↑HNMR、13↑CNMR、DEPT、COSY、HMQC和HMBC等NMR技术,对从黄草乌中分离提取的粗茎乌碱类化合物进行了结构解析,分析结果表明,该化合物含有乌头生物碱化合物母核,以及1个甲氧基苯基片段和1个乙酸基片段,并最终确证该化合物为粗茎乌碱I。根据该化合物特有的刚性特征,利用ROESY实验并辅以1D—GOESY等实验手段完成了该化合物的相对空间结构的解析。     

Performance of dispersed Rayleigh interferometer on the active cophasing and alignment testbed

We report the laboratory experiment on a segmented mirror testbed that shows the use of a dispersed Rayleigh interferometer to phase segmented mirrors.Segment alignment of tip-tilt is fulfilled by overlapping diffraction pattern centroids of the three individual segments on the focal plane.A spherical interferometer is introduced to evaluate the performance of piston, tip-tilt sensing, and control closed-loop, and finally a total residual root-mean-square (RMS) surface error of about 45 nm is achieved, in which a typical error of about 20 nm is contributed by piston.These results demonstrate that the dispersed Rayleigh interferometer can successfully sense the piston of segmented mirrors and be used in phasing segmented telescopes under extensive studies.