壳聚糖/乙炔黑修饰电极上萘酚异构体的电化学行为及同时测定

制备了壳聚糖/乙炔黑复合修饰电极(CS-AB/GCE),采用SEM和交流阻抗法对其进行表征。并利用循环伏安法(CV)研究了萘酚异构体(α-N和β-N)在该修饰电极上的电化学行为,对实验条件进行了优化。结果表明,在p H 7.0的PBS缓冲液中,α-N和β-N在该修饰电极上均出现一不可逆氧化峰,且在20~200m V/s范围内,其峰电流与扫速呈线性关系,表明电极过程是受吸附控制的不可逆过程。计算了电极过程的部分动力学参数,优化了差分脉冲伏安法(DPV)的实验参数,并对α-N和β-N进行同时测定,发现二者的微分氧化峰电流值与其浓度在2.5×10-6~1.0×10-4mol/L范围内呈良好的线性关系(rα-N=0.996;rβ-N=0.998)。α-N和β-N的检出限(S/N=3)分别为3.4×10-7mol/L和2.4×10-7mol/L。采用该法对实际水样进行检测,得到α-N和β-N的加标回收率分别为96.7%~105.1%和98.8%~103.9%。     

电化学微/纳米加工技术

介绍电化学微／纳米加工技术，特别是厦门大学电化学微／纳米加工课题组建立起来的约束刻蚀剂层技术，旨在让广大师生了解这一特种加工技术，共同促进我国电化学微／纳米加工技术的研究及产业化进程。     

聚磷钼酸/乙炔黑修饰电极上乙萘酚的电化学行为及测定

制备了聚磷钼酸/乙炔黑修饰电极(PMA/AB/GCE),用循环伏安法(CV)研究了乙萘酚(EN)在该电极上的循环伏安行为。在pH 5.5的HAc-NaAc缓冲液中,EN在该修饰电极上出现一明显的氧化峰。在60~300 mV/s扫速范围内,其氧化峰电流(I pa)与扫速平方根(v1/2)呈线性关系,表明该电极过程是受扩散控制的不可逆过程。计算电极过程的部分动力学参数:电极有效面积为0.122 cm2,质子数与电子数均为1,扩散系数为D为9.64×10-5cm2/s。运用方波伏安法测定不同浓度EN的方波伏安曲线,结果表明氧化峰电流与EN浓度在9.0×10-7~1.0×10-4mol/L范围内呈良好线性关系(r=0.992),检出限(S/N=3)为6.35×10-7mol/L,加标回收率为92.8%~102.8%。     

乙炔黑-离子液体复合修饰电极上阿昔洛韦的电化学行为研究

采用乙炔黑(Acetylene Black,AB)和离子液体(1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐[BMIM]PF6)作为复合修饰材料,制备乙炔黑-离子液体复合修饰电极(AB-[BMIM]PF6/GCE)。用红外光谱法对AB-[BMIM]PF6/GCE进行表征,用循环伏安法(CV)研究阿昔洛韦(ACV)在该修饰电极上的电化学行为。实验结果表明,在pH=4.70的磷酸盐缓冲液(PBS)中,ACV在该修饰电极上出现一氧化峰。在20~280mV/s扫速范围内,氧化峰电流与扫速平方根呈线性关系,表明该电极过程是受扩散控制。电极过程的部分动力学参数分别为:电极有效面积0.076cm2,转移电子数2,扩散系数1.817×10-4 cm2/s。用方波伏安法(SWV)测定一系列不同浓度的ACV溶液,结果表明其氧化峰电流与ACV浓度在7.0×10-7~1.0×10-4 mol/L范围内呈良好线性关系,相关系数为0.993,检出限(S/N=3)为2.30×10-7 mol/L,加标回收率为95.0%~105.6%。     

乙萘酚在纳米银/壳聚糖-乙炔黑复合修饰电极上的电化学行为及测定

制备了纳米银/壳聚糖(AgCS)与乙炔黑(AB)复合修饰电极(AgCS-AB/GCE),用紫外可见分光光度法、扫描电镜法对AgCS进行表征,用交流阻抗法对不同电极进行表征,用循环伏安法(CV)研究了乙萘酚(β-N)在AgCS-AB/GCE上的循环伏安行为。结果表明,在pH 6.5的PBS缓冲液中,β-N在该修饰电极上出现一明显氧化峰,在60~240 mV/s扫速范围内,β-N的氧化峰电流(I pa)与对应扫速平方根(v1/2)呈良好的线性关系,表明β-N在该电极上的电化学过程为受扩散控制的不可逆过程。计算了电极过程的动力学参数,运用方波伏安法测定不同浓度β-N的方波伏安曲线,结果表明β-N的氧化峰电流与其浓度在3.0×10-7~2.0×10-4mol/L范围内呈良好线性关系(r=0.996),检出限(S/N=3)为1.24×10-7mol/L,加标回收率为99%~105%。     

具有双曲正割型折射率的线性和非线性介质中的光呼吸子

通过数值模拟研究具有横向双曲正割型折射率调制的线性和非线性介质中光的传输。结果显示光束在传输过程中有呼吸的特性,其呼吸周期可以通过折射率调制的深度和宽度加以改变。同时讨论具有不同初始相位的两相邻光束之间的相互作用。指出周期性在初始相位相同时出现,在初始相位相反时可以通过适当地选择光束间距形成束缚态。     

香兰素在AB/PABSA/GCE修饰电极上的电化学行为及测定

采用电聚合和滴涂法制备了乙炔黑/聚对氨基苯磺酸修饰电极(AB/PABSA/GCE),并用交流阻抗法(EIS)进行了表征,运用循环伏安法(CV)对实验条件进行优化后,研究了香兰素(Van)在AB/PABSA/GCE上的电化学行为。结果表明,在p H 7.0的PBS溶液中,Van在该修饰电极上有1个氧化峰,无还原峰,在40~300 m V/s扫速范围内,Van氧化峰电流与扫速呈线性关系,说明Van在该电极上的电化学反应过程是受吸附控制的不可逆过程。该反应过程中电子转移数及参加反应的质子数均为2,电极有效面积A=0.065 7cm2,扩散系数D=1.557×10-3cm2/s,反应物吸附量Γ=2.249×10-8mol/cm2。采用计时电流法(CA)对不同浓度的Van进行测定,结果发现在5~460μmol/L浓度范围内,氧化峰电流与浓度呈良好的线性关系(r=-0.998 5),检出限为2.09×10-7mol/L。运用该方法对巧克力样品进行了检测,回收率为93.0%~114.2%。     

萘酚异构体在碳纳米管/铁氰化铜修饰电极上的电化学行为及同时测定

采用滴涂法和电聚合法制备了碳纳米管/铁氰化铜复合修饰电极(MWCNTs-Cu HCF/GCE),用交流阻抗法对其进行表征。并利用循环伏安法(CV)研究了萘酚异构体(α-N和β-N)在该修饰电极上的电化学行为,考察了缓冲液、p H值、修饰剂用量、电聚合圈数及扫描速率对测定的影响。结果表明,在p H 7.0的PBS缓冲液中,α-N和β-N的氧化峰得到了较好分离,分别于0.335 V和0.505 V处出现一不可逆氧化峰,且在40~220 m V/s范围内,二者氧化峰电流与扫速(v)呈良好的线性关系,表明电极过程是受吸附控制的不可逆过程。计算了α-N和β-N在该修饰电极上的部分动力学参数。优化了差分脉冲伏安法(DPV)的实验参数,并对α-N和β-N进行了同时测定,发现二者的微分氧化峰电流值与其浓度在0.5~100μmol/L范围内呈良好的线性关系(rα-N=0.992;rβ-N=0.996)。采用该法对实际水样进行检测,α-N和β-N的加标回收率分别为94.2%~105.7%和90.2%~103.3%。