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集值Lebesgue—Stieltjes积分 总被引:8,自引:2,他引:6
本文首先刻划了B(R_ )上的集值测度,其次建立了(R_ B(R_ ))上的集值Lebesgue-Stieltjes积分.最后,进—步建立了集值随机Lebesgue-Stietjes积分的理论. 相似文献
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34.
本文讨论如下形式的方程((?)/(?)~t-it~ρD_x)(?)/(?)~t+it~ρD_x+(α+β)/t~α)u+α/t~α-(?)/(?)~t+α(α+β)/t~(2α)u=f(t,x) (1)x∈R~n,00,α≥1的常数。α及β也是常数。方程在 t=O 有重特征。而低阶项的系数正好在 t=0 有奇异性。我们在方程的低阶项符合一定条件,且方程的特征根的重数与低阶项的奇异性的阶数满足一定关系时,给出了方程(1)的解的唯一性与可微性定理。并讨论了当 t→+0 时,解的渐近性态。 相似文献
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令X是连续半鞅,f是R上的局部可积函数。本文我们将证明,只要∫0tf(Xs)ds存在,那么平方协变差存在且等于-∫Rf(a)daLta,Lat是X的局部时。因此对具有导数f的绝对连续函数F,有推广的Ito^公式F(Xt)=F(X0) ∫0tf(Xs)dXs 1/2[f(X),X]t。 相似文献
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可允许集上的广义向量拟均衡问题 总被引:2,自引:0,他引:2
主要讨论可允许集上的广义向量拟均衡问题,推广L in的一些结果. 相似文献
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Total Dose Radiation Tolerance of Phase Change Memory Cell with GeSbTe Alloy 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Phase change memory (PCM) cell array is fabricated by a standard complementary metal-oxide-semiconductor process and the subsequent special fabrication technique. A chalcogenide Ge2Sb2Te5 film in thickness 50hm deposited by rf magnetron sputtering is used as storage medium for the PCM cell. Large snap-back effect is observed in current-voltage characteristics, indicating the phase transition from an amorphous state (higher resistance state) to the crystalline state (lower resistance state). The resistance of amorphous state is two orders of magnitude larger than that of the crystalline state from the resistance measurement, and the threshold current needed for phase transition of our fabricated PCM cell array is very low (only several μA). An x-ray total dose radiation test is carried out on the PCM cell array and the results show that this kind of PCM cell has excellent total dose radiation tolerance with total dose up to 2 ×10^6 rad(Si), which makes it attractive for space-based applications. 相似文献
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一类平面七次多项式系统赤道环的稳定性与极限环分支 总被引:2,自引:0,他引:2
本文研究一类平面七次多项式系统赤道环的稳定性和极限环分支,给出了系统的前12个奇点量公式,可积性条件及在赤道附近存在3个极限环的条件,较为精细地指出了极限环的存在位置。 相似文献