从1/2+1/3=2/5引发的思考

我国的一位学者有一次到国外去考察,听了一堂洋教师的分数加法课.在课堂上,老师首先提问学生21 13等于多少?不一会儿,许多学生纷纷站起来回答:12 31=25.然后,老师又问其余的学生,你们有不同意见吗?其余学生都说没有.这时老师便说:“那好!就让21 13等于52吧!这就是分数的加法,…     

高亮度搪瓷交流电致发光屏的研究

本文报导了通过改进珐琅介质的介电性能,并采用特殊的灼烧工艺,获得高亮度.长寿命的搪瓷交流电致发光(AC—EL)屏的方法。     

一个错误的例题

邦德列雅金著《连续群》第六章有一个如下的例题(中译本283页)。 例65 设α_1,…,α_r为线性无关的无理数的有限组(以整数n_1,…,n_r为系数的和n_1α_1 … n_rα_r,只当所有系数为零时才为零)。我们来证,对任何正数e     

Ag含量对熔融织构YBCO结构及超导电性的影响

本对熔融眼导体进行了Ａｇ掺杂研究，Ａｇ掺杂量为０－１８ｗｔ％，并添加了适量的２１１相，使ＹＢＣＯ超导体中起钉扎中心作用的２１１相达到２０ｗｔ％。采用加高熔化温度的ＢｄＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ籽晶的办法解决子Ａｇ掺杂引起ＹＢＣＯ晶粒细化的问题，制备了强织构Ａｇ掺杂大块的ＹＢＣＯ超导体，并对其超导电性和Ａｇ的行为进行了研究。     

HfO_2单层膜的吸收和激光损伤阈值测试

薄膜吸收是降低膜层激光损伤阈值的重要原因,为了研究薄膜吸收对激光损伤阈值的影响,对HfO2单层膜在1 064 nm处的吸收及其在不同波长激光辐照下的损伤阈值进行了测试和分析。研究结果表明:薄膜的激光损伤阈值由薄膜吸收平均值(决定于薄膜中缺陷的种类和数量)和吸收均匀性(决定于薄膜中缺陷的分布)共同决定;根据HfO2单层膜在1064 nm波长处的吸收值,不但可以定性判断薄膜在1 064 nm波长,而且还可以判断在其它波长激光辐照下的抗激光损伤能力。     

MOCVD生长中载气H2对N掺杂ZnO性质的影响

采用MOCVD方法在石英衬底上生长ZnO。实验使用二乙基锌(DEZn)为锌源,N2O作为氧和氮源,H2作为载气。采用PL和Raman光谱方法对ZnO样品进行表征,结果表明H2的加入大幅度减少薄膜中碳的掺入,明显改善了薄膜的光学质量。采用N2O离化技术,可以进一步提高其带边峰的强度,抑制带内发光。XRD测量表明,生长的ZnO薄膜具有c轴择优取向。目前生长高质量N掺杂的p型ZnO薄膜是很困难的,而H2作为载气的加入明显改善了ZnO薄膜的光学性质,在生长过程中加入H2将为获得高质量N掺杂的p型ZnO薄膜提供一种途径。     

八甲基环四硅氧烷正离子细乳液开环聚合动力学

以十二烷基苯磺酸钠(SDBS)为乳化剂,硫酸或盐酸为催化剂,八甲基环四硅氧烷(D4)为单体,十六烷为共稳定剂,超声预乳化,制备了聚硅氧烷细乳液,研究了超声时间、催化剂用量、乳化剂用量和温度对聚合动力学的影响.结果表明,在一定酸度范围内,聚合速度与硫酸浓度0.81次方、与盐酸浓度1.02次方、与乳化剂浓度-0.66次方成正比,反应的表观活化能为40.56kJ/mol.     

关于感生电动势计算问题的分析

产生感生电动势的非静电力为感生电场力, 它是感生电场对电荷的作用力, 而感生电场及非闭合回路 感生电动势的计算是大学物理中较难理解的问题. 通过对一道计算感生电动势的问题进行分析, 得到了3种解决问 题的方法, 加深了学生对感生电场及感生电动势计算的理解和掌握     

双官能度引发剂引发苯乙烯聚合微观动力学

采用 2 ,5 二甲基 2 ,5 二己酰基过氧化己烷 (DMDEHPH)为引发剂 ,在 5 5～ 80℃下引发苯乙烯聚合 .通过研究影响聚合速率的各种因素 ,得出了聚合速率对单体浓度和引发剂浓度的级数分别为 1 0和 0 5次、聚合活化能为 92 0kJ mol、引发效率为 0 5 5± 0 0 3.温度一定 ,引发效率随引发剂浓度的增加而减小 .求得 6 0和70℃下DMDEHPH向引发剂的链转移常数分别为 0 0 37和 0 0 4 8、向单体的链转移常数分别为 0 5 9× 10 - 4和0 75× 10 - 4.