Tunable enhanced spatial shifts of reflective beam on the surface of a twisted bilayer of hBN

We investigated Goos-Hänchen (GH) and Imbert-Fedorov (IF) shifts of a reflective beam on a twisted bilayer of hexagonal boron nitride (hBN), where a left circularly polarized beam was incident on the surface. Our results demonstrate that the twist angle between the two optical axes plays an important role in obtaining large shifts with a high reflectivity. The GH shift with 10λ₀ is achieved, while the reflectivity is near 100% by tuning the twist angle. The maximum of the IF shift is found in the certain condition satisfied by the reflective coefficients, and the shift strongly depends on the twist angle between the optical axes of the two slabs. The spatial shifts obtained directly from the GH and IF shift definitions were provided, which indicate that the theoretical results from the stationary phase method are believable. These results may open up a new way for developing the nano-optical devices.     

苝四羧酸铈在TiO2纳米晶膜上的光电转化性质

报道了Ce³⁺和Ce⁴⁺两种金属离子桥联苝四羧酸在二氧化钛纳米晶电极上自组装膜的制备,并利用紫外可见光谱、红外光谱、光电子能谱等手段对自组装膜进行了表征.通过同步辐射光电子能谱确定了自组装膜的HOMO能级.基于自组装膜敏化二氧化钛纳米晶电极的薄层三明治型太阳能电池具有较好的光电转化性质.在480 nm,苝四羧酸敏化二氧化钛电极产生了26.9%的入射单色光子-电子转化效率(IPCE),而由Ce⁴⁺离子或Ce³⁺离子桥联所形成的自组装膜分别产生了55.8%和39.1%的IPCE.金属离子桥联苝四羧酸自组装膜相当于一种配合物,其HOMO能级比苝四羧酸自组装膜的高,这是形成铈离子桥联苝四羧酸后IPCE提高的一个主要原因.     

苝四羧酸铈在TiO_2纳米晶膜上的光电转化性质

报道了Ce3+和Ce4+两种金属离子桥联苝四羧酸在二氧化钛纳米晶电极上自组装膜的制备,并利用紫外可见光谱、红外光谱、光电子能谱等手段对自组装膜进行了表征. 通过同步辐射光电子能谱确定了自组装膜的HOMO能级. 基于自组装膜敏化二氧化钛纳米晶电极的薄层三明治型太阳能电池具有较好的光电转化性质. 在480 nm, 苝四羧酸敏化二氧化钛电极产生了26.9%的入射单色光子-电子转化效率(IPCE), 而由Ce4+离子或Ce3+离子桥联所形成的自组装膜分别产生了55.8%和39.1%的IPCE. 金属离子桥联苝四羧酸自组装膜相当于一种配合物, 其HOMO能级比苝四羧酸自组装膜的高, 这是形成铈离子桥联苝四羧酸后IPCE提高的一个主要原因.     

能量范围从20keV到34keV的锆元素K壳层电离截面

 用20~34keV能量的电子束轰击锆靶,从而测得锆元素的K壳层电离截面。这些数据是国际上首次报道。在实验中采用电子输运双群模型修正了由厚衬底产生的反射电子对计数的影响。同时用蒙特卡罗EGS4程序计算了电子在质量厚度为24.3mg/cm²的锆靶中的平均路径长度。     

PIN型和NIP型硅薄膜太阳电池中绒面陷光结构和陷光性能研究

对于硅薄膜太阳电池来说, 无论是PIN型还是NIP型太阳电池, 采用绒面陷光结构来提高入射光的有效利用率是提高太阳电池效率的重要方法之一.本文采用标度相干理论对PIN和NIP型电池的绒面结构的陷光性能进行了数值模拟. 结果表明: PIN电池中前电极和NIP电池中背电极衬底粗糙度分别为160和40 nm时可获得理想的陷光效果; 在不同粗糙度背电极衬底上制备a-SiGe:H电池发现, 使用40和61.5 nm 背电极可获得相当的短路电流密度, 理论分析和实验得到了一致的结果. 关键词： 陷光结构 光散射能力 标量相干理论 硅基薄膜太阳电池     

非晶硅界面缓冲层对非晶硅锗电池性能的影响

针对非晶硅锗电池本征层高锗含量时界面带隙失配以及高界面缺陷密度造成电池开路电压和填充因子下降的问题,通过在PI界面插入具有合适带隙的非晶硅缓冲层,不仅有效缓和了带隙失配,降低界面复合,同时也通过降低界面缺陷密度改善内建电场分布,从而提高了电池的收集效率. 进一步引入IN界面缓冲层以及对非晶硅锗本征层进行能带梯度设计,在仅采用Al背电极时,单结非晶硅锗电池转换效率达8.72%. 关键词： 非晶硅缓冲层 非晶硅锗薄膜太阳电池 带隙 界面     

相变域硅薄膜材料的光稳定性

采用RF-PECVD技术，通过改变反应气体的硅烷浓度制备了一系列不同晶化率不掺杂的硅薄膜材料，研究了工艺变化对材料结构的影响及材料光电特性同微结构的关系.随后进行了光衰退试验，在分析光照前后光电特性变化规律的基础上，认为材料中的非晶成分是导致材料光电特性衰退的主要原因.在靠近过渡区非晶一侧的硅材料比普通非晶硅稳定，衰退率较少；高晶化率微晶硅材料性能稳定，基本不存在光衰退；在靠近过渡区微晶一侧的硅材料虽然不是完全不衰退，但相比高晶化率硅材料来说更适合制备高效微晶硅电池. 关键词： 射频等离子体增强化学气相沉积 硅薄膜 Staebler-Wronski(SW)效应 稳定性     

橄榄苦甙的NMR数据解析

对橄榄苦甙进行了¹H和¹³C MNR检测, 通过DEPT和¹H-¹H COSY、HMQC、HMBC、NO ESY等2D NMR对其¹H和¹³C NMR数据进行了全归属和较详细的解析, 并指出其NMR数据特征.     

宽带可调谐掺Yb3+双包层光纤激光器的研究

利用闪耀光栅构成可调谐Littrow外腔,对掺Yb³⁺双包层光纤激光器的波长调谐输出进行了实验研究.激光调谐输出波长范围70nm.针对光纤内的双折射效应对激光的输出功率的影响,实验中使用了在线光纤偏振控制器,从而有效地减小了调谐曲线的起伏及其与荧光谱的差别,并得到了窄线宽、线偏振、宽带调谐的激光输出.