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本文研究了Bi(2223)超导体屏蔽筒的磁屏蔽效应,从而得出了屏蔽效果与超导体的微观结构、临界电流密度、屏蔽空间大小有关,以及双筒套构的方法可进一步增强磁屏蔽效果的结论。 相似文献
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对于硅薄膜太阳电池来说, 无论是PIN型还是NIP型太阳电池, 采用绒面陷光结构来提高入射光的有效利用率是提高太阳电池效率的重要方法之一.本文采用标度相干理论对PIN和NIP型电池的绒面结构的陷光性能进行了数值模拟. 结果表明: PIN电池中前电极和NIP电池中背电极衬底粗糙度分别为160和40 nm时可获得理想的陷光效果; 在不同粗糙度背电极衬底上制备a-SiGe:H电池发现, 使用40和61.5 nm 背电极可获得相当的短路电流密度, 理论分析和实验得到了一致的结果.
关键词:
陷光结构
光散射能力
标量相干理论
硅基薄膜太阳电池 相似文献
84.
针对非晶硅锗电池本征层高锗含量时界面带隙失配以及高界面缺陷密度造成电池开路电压和填充因子下降的问题,通过在PI界面插入具有合适带隙的非晶硅缓冲层,不仅有效缓和了带隙失配,降低界面复合,同时也通过降低界面缺陷密度改善内建电场分布,从而提高了电池的收集效率. 进一步引入IN界面缓冲层以及对非晶硅锗本征层进行能带梯度设计,在仅采用Al背电极时,单结非晶硅锗电池转换效率达8.72%.
关键词:
非晶硅缓冲层
非晶硅锗薄膜太阳电池
带隙
界面 相似文献
85.
86.
87.
在95 ℃条件下通过水热方法制备出垂直于ITO基底高密度均匀生长的Mn掺杂ZnO(ZnO:Mn)纳米棒阵列. 纳米棒的直径约为100纳米,长约1微米,且沿[001]方向生长. XRD和XPS结果证实了Mn以替位方式掺杂到纳米棒中,并且掺杂浓度与反应物中的Mn离子浓度似呈正比关系. 所制备的ZnO:Mn纳米棒在室温均有铁磁性,其饱和磁化强度随反应物中Mn离子浓度的提高,饱和磁化强度呈现出先增大,5at.%时达到最大值,0.11 emu/g,然后减小. 铁磁性来源于取代Zn离子的Mn离子之间的铁磁交换相互作用. 相似文献
88.
付乌有 《原子与分子物理学报》2009,26(4):633-638
采用金属钛片和石墨分别作为阳极和阴极,氢氟酸和醋酸的混合溶液为电解液,通过阳极氧化法制备高度有序的TiO2 纳米管阵列. 经过场发射扫描电子显微镜(FESEM), X-射线电子衍射仪分别对样品的形貌,结构进行了研究. 结果表明,TiO2 纳米管的尺寸,形貌都随着外加电压、反应时间的变化而变化;随着退火温度的提高,TiO2 纳米管的结构逐渐由锐钛矿相向金红石相转变. 另外,我们讨论了TiO2 纳米管阵列形成机制. 相似文献
89.
Six high-index cores are embedded around the central solid core of the photonic crystal fiber to form a fiber embedded photonic crystal fiber (FEPCF), which is investigated based on the beam propagation method. In this structure, the Gaussian mode could be transferred to the ring mode. So FEPCF could used as a mode convertor. 相似文献
90.
针对目前图像匹配算法中存在的匹配精度不高和匹配速度慢的缺点,对基于灰度相关的2类匹配算法——最小误差法和相关系数法进行了改进。最小误差法采用新的ML距离法,提出动态调整阈值的方法,既保证了匹配精度,又避免了局部噪声的影响;相关系数法对相关系数的计算公式进行了简化,并采用三步搜索策略进行匹配,以达到减少计算量和搜索位置的目的。实验证明:改进后的算法,在保证一定匹配精度的条件下,匹配速度大大提高,能够满足实际应用中的实时性要求。 相似文献