VaR测度下的风险对冲策略研究

本文分别在正态分布和任意分布设定下讨论最小在险价值(VaR)的风险对冲问题。在正态分布设定下,本文深入讨论最小方差对冲比率和最小VaR对冲比率的性质,并得出最小VaR对冲策略下组合收益率的均值和方差大于最小方差策略下组合收益率的均值和方差。在任意分布设定下,本文构建一种新的VaR对冲模型,该模型引入非参数核估计方法对VaR进行估计,然后基于VaR核估计量建立风险对冲问题,实现风险估计与风险对冲同步进行。实证结果非常稳健地表明,不做任何分布假设下的核估计法得到的风险对冲效果优于最小方差对冲策略和正态分布设定下的最小VaR对冲策略。     

Effects of Hydrogen Treatment in Barrier on the Electroluminescence of Green InGaN/GaN Single-Quantum-Well Light-Emitting Diodes with V-Shaped Pits Grown on Si Substrates

Effect of hydrogen(H_2) treatment during the GaN barrier growth on the electroluminescence performance of green In GaN/GaN single-quantum-well light-emitting diodes(LEDs) grown on Si substrates is experimentally investigated. We prepare two LED samples with different carrier gas compositions during the growth of GaN barrier. In the H_2 free LED, the GaN barrier is grown in full nitrogen(N_2) atmosphere. For the other H_2 treated LED, a mixture of N_2 and H_2 was used as the carrier gas. It is observed that V-shaped pits decrease in size after H_2 treatment by means of the scanning electron microscope. Due to the fact that the p–n junction interface would be closer to the p-GaN as a result of smaller V-shaped pits, the tunneling barrier for holes to inject into the In GaN quantum well would become thicker after H_2 treatment. Hence, the external quantum efficiency of the H_2 treated LED is lower compared to the H_2 free LED. However, LEDs would exhibit a better leakage behavior after H_2 treatment during the GaN barrier growth because of more effective blocking of the threading dislocations as a result of the H_2 etching at V-shaped pits.     

半导体黄光发光二极管新材料新器件新设备

在可见光范围内,半导体发光二极管(LED)发展很不平衡,黄光LED光效(光功率效率)长期远低于其他颜色光效.本文基于GaN/Si体系,从材料生长、芯片制造、器件物理和专用装备等方面进行了系统研究,解决了外延膜龟裂、位错过多、量子阱应力过大、InGaN黄光阱材料相分离、空穴浓度不足、阱材料生长温度过低、衬底吸光、电极挡光等问题,率先实现了高光效黄光LED关键性突破.所研制的黄光LED器件,在20 A/cm~2驱动下波长565 nm黄光LED光效达26.7%,对应164 lm/W;在1 A/cm~2驱动下波长577 nm黄光LED光效达42.8%,对应248 lm/W.基于高光效黄光LED,开发了无荧光粉、多基色LED照明新光源,实现了纯LED照明光源在路灯、氛围灯等方面应用.     

全氯代多环芳烃的大气压化学电离质谱

８种全氯代多环芳烃的大气压化学电离质谱（ＡＰＣＩ－ＭＳ）测试结果表明,在ＡＰＣＩ离原中,所有全氯代多环芳烃均能形成质量较样品分子量少１９的负离子,该类负离子是样品分子离子解离一个氯原子后再结合一个氧原子的产物。当样品含有一个五元环时,仍能观察到样品的分子离子峰。ＡＰＣＩ－ＭＳ是一种全氯代多环芳烃或其它弱极性有机物的理想质谱分析方法。     

虫草素的合成

以腺苷为原料经原酸酯环化和乙酰溴水解原酸酯、自由基还原脱溴及水解乙酰基等3步反应合成了虫草素——3'-脱氧腺苷,总收率29.8%,纯度95%,其结构经1H NMR和MS确证。     

数学娱乐圈

数学是什么　　数学是什么 ?为什么从小学开始我们就一直把数学作“主课” ?近一年来 ,我一直思考这个问题 .我也不断地在课堂上给学生表达我的体会 .正好我搜集到 2 0 0 2年北京举办国际数学家大会期间有关报刊编发的文章 ,读后很受启发 .以一个中学老师的眼光遑论这个大题目 ,不禁惴惴 ,但愿对中学生认识中学数学课有点裨益 .马克思指出 :“任何科学只有在数学得以成功地应用于其中时才能被认为是完美的科学 .”拿破仑的话不无道理 ,“国家的兴盛与数学的进步和完善有着紧密的联系 .”数学一向以其辉煌的智力成就而被尊为“科学的皇后” ,…     

NO2在NaCl表面的非均相反应

采用新的样品制备方法和气-固自由扩散的实验方式,使用漫反射傅立叶转换红外光谱原位反应器,结合离子色谱、X-射线光电子能谱、扫描电子显微镜等分析方法,研究了NO2在NaCl表面的非均相反应.研究表明反应不只是发生在颗粒物表面,体相也参与了反应; 颗粒物表面的活性点对反应起决定作用,同时测定了反应级数为二级,反应摄取系数为(1.54±0.70)×10-5.     

关于超越亚纯函数的一类复微分-差分多项式的零点

主要运用Nevanlinna值分布理论,研究了一类关于超越亚纯函数的复差分-微分多项式的零点问题,推广了差分-微分多项式的一些结果.利用分析函数的零点与极点的方法,证明了n取一定值时,复差分-微分多项式取零点无穷多次,结果可被看作Hayman猜想的微分-差分形式.