| 半导体黄光发光二极管新材料新器件新设备 |
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| 引用本文： | 江风益,刘军林,张建立,徐龙权,丁杰,王光绪,全知觉,吴小明,赵鹏,刘苾雨,李丹,王小兰,郑畅达,潘拴,方芳,莫春兰.半导体黄光发光二极管新材料新器件新设备[J].物理学报,2019(16). |
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| 作者姓名： | 江风益 刘军林 张建立 徐龙权 丁杰 王光绪 全知觉 吴小明 赵鹏 刘苾雨 李丹 王小兰 郑畅达 潘拴 方芳 莫春兰 |
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| 作者单位： | 南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心 |
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| 摘 要： | 在可见光范围内,半导体发光二极管(LED)发展很不平衡,黄光LED光效(光功率效率)长期远低于其他颜色光效.本文基于GaN/Si体系,从材料生长、芯片制造、器件物理和专用装备等方面进行了系统研究,解决了外延膜龟裂、位错过多、量子阱应力过大、InGaN黄光阱材料相分离、空穴浓度不足、阱材料生长温度过低、衬底吸光、电极挡光等问题,率先实现了高光效黄光LED关键性突破.所研制的黄光LED器件,在20 A/cm~2驱动下波长565 nm黄光LED光效达26.7%,对应164 lm/W;在1 A/cm~2驱动下波长577 nm黄光LED光效达42.8%,对应248 lm/W.基于高光效黄光LED,开发了无荧光粉、多基色LED照明新光源,实现了纯LED照明光源在路灯、氛围灯等方面应用.
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