预应力钢框架梁柱节点抗震性能研究

为减少钢框架结构在地震作用下的残余变形和损伤,提出一种新型预应力钢框架梁柱节点。梁柱通过预应力钢绞线进行拼接,当拼接处弯矩超过节点的临界张开弯矩时,梁柱节点张开;卸载后节点在预应力作用下重新闭合,实现自复位功能。采用理论与试验相结合的方法,先研究了预应力钢框架梁柱节点的基本构造和工作机理,推导出梁端剪力、轴力以及弯矩表达式,建立起节点弯矩-转角关系理论分析模型。然后对3个试件进行低周往复加载试验,分析预应力和抗滑移系数对节点抗震性能的影响。试验结果表明,施加预应力能明显提高节点的抗弯能力并减小其残余变形,使试件具有一定的自复位能力;预应力节点耗能系数β_E满足大于0.25的基本要求;基于试验结果,利用ABAQUS软件对试件进行非线性有限元分析,二者吻合较好。     

Electroluminescence from the InGaN/GaN Superlattices Interlayer of Yellow LEDs with Large V-Pits Grown on Si(111)

A blue emission originated from In GaN/GaN superlattice(SL) interlayer is observed in the yellow LEDs with V-pits embedded in the quantum wells(QWs), revealing that sufficient holes have penetrated through the QWs into SLs far away from the p-type layer. In the V-pits embedded LEDs, hole transport has two paths: via the flat c-plane region or via the sidewalls of V-pits. It is proved that the holes in SLs are injected from the sidewalls of V-pits, and the transportation process is significantly affected by working temperature, current density, and the size of V-pits. Four motion possibilities are discussed when the holes flow via the sidewalls. All these may contribute to a better understanding of hole transport and device design.     

Effect of AlGaN interlayer on luminous efficiency and reliability of GaN-based green LEDs on silicon substrate

The effect of AlGaN interlayer in quantum barrier on the electroluminescence characteristics of GaN-based green light emitting diodes(LEDs)grown on silicon substrate was investigated.The results show that AlGaN interlayer is beneficial to improve the luminous efficiency of LED devices and restrain the phase separation of In GaN.The former is ascribed to the inserted AlGaN layers can play a key role in determining the carrier distribution and screening dislocations in the active region,and the latter is attributed to the increased compressive stress in the quantum well.However,when the electrical stress aging tests were performed at a current density of 100 A/cm^2,LED devices with AlGaN interlayers are more likely to induce the generation/proliferation of defects in the active region under the effect of electrical stress,resulting in the reduced light output power at low current density.     

新型格构式钢骨混凝土柱的轴压性能研究

提出了一种由格构式钢骨及钢筋混凝土所组成的新型LSRC(latticed-steel-reinforced-concrete,格构式钢骨约束混凝土)柱。通过对4个试件的轴压试验分析,对比CFTEC(con-crete-filled steel tube with encased concrete,外包混凝土的钢管混凝土)柱与LSRC柱的力学性能,探究了不同缀板间距对LSRC柱跨中应变的影响。此外,利用有限元软件对试件建立三维模型,阐述了LSRC柱在压力荷载下的破坏过程和各部件间的相互作用。结果表明:与CFTEC柱相比,由于LSRC柱中的钢筋笼能够有效延缓柱外包混凝土的破坏,其具有更高的承载能力和强重比。同时,LSRC柱对跨中角钢材料的抗压性能利用更为充分,但缀板间距的增大将会降低其跨中外包混凝土的约束作用。此外,利用有限元软件建立的模型能够准确模拟LSRC柱在弹塑性阶段的力学性能,柱中的钢筋笼及内侧角钢均具有良好的约束作用。基于试验和有限元结果,提出了LSRC柱的承载力计算公式,其预测值与有限元结果吻合良好。     

聚吡咯电化学掺杂过程的拉曼光谱研究

共轭导电聚合物经过掺杂,电导率可以提高十几个数量级,由绝缘体变为导体.但是,掺杂对聚合物链结构的影响方面,人们目前尚所知甚少.从实验的角度看,由于物性测量结果和材料的制备过程密切相关,往往不容易重复,有时还会出现一些令人困惑的假象.     

导电聚合物膜修饰电极的研究Ⅲ: 杂多酸掺杂聚吡咯膜电极的电子自旋共振(ESR)特性研究

本文通过对不同条件下的Co(W_2O_7)_6~(10-)和CuW_(12)O_(40)~(6-)掺杂聚吡膜ESR谱线的分析并以相同条件下NO_3~-掺杂聚吡咯膜作为参照,表明杂聚阴离子不仅起着中和电性的作用,而且与聚吡咯分子链相作用形成某种加合物,它影响聚吡咯的电结构,这种加合物在过正或过负的电位下均不稳定.首次发现在CuW_(12)O_(40)~(6-)掺杂的干态聚吡咯膜具有Dysonian线型,表明膜中其它电结构的存在.     

聚吡咯薄膜中茜素红S的电化学特性

利用循环伏安法研究了聚合电位和聚合电量对茜素红S掺杂聚吡咯薄膜修饰玻碳电极性质的影响,考察了不同电位范围内修饰电极的电化学特性.发现在茜素红S的氧化还原过程中存在着茜素红S分子与聚吡咯链的相互作用,且这一相互作用敏感于扫描正电位限.基于实验结果,提出了可能的茜素红S在电极表面聚吡咯膜内的氧化还原机理.     

导电高分子薄膜修饰电极的研究I. 聚吡咯薄膜电极的电化学合成及行为

利用在水溶液中的电化学聚合制备了聚吡咯烷、薄膜修饰电极. 讨论了对电化聚合的影响因素及薄膜修饰电极在不同电解质中的伏安特性, 从X-射线光电子能谱推测, 在吡咯的电化聚合过程中氧的参加引起在聚吡咯烷膜的结构中有羰基和羟基的生成.     

竹叶绿色素的提取及稳定性研究

竹子属竹亚科植物,其叶四季常绿,内含丰富的叶绿色素,无毒,国内外对竹叶价值的研究非常重视.据研究报道叶绿素是抑治胃癌的有效物质,且竹叶绿素易被人体所吸收.国内亦有人对竹叶绿素的应用进行了研究[1].本文报道从鲜竹叶提取叶绿色素并进行性质研究.     

NO2在NaCl表面的非均相反应研究

采用新的样品制备方法和气-固自由扩散的实验方式, 使用漫反射傅立叶转换红外光谱原位反应器, 结合离子色谱、X-射线光电子能谱、扫描电子显微镜等分析方法, 研究了NO₂在NaCl表面的非均相反应. 研究表明反应不只是发生在颗粒物表面, 体相也参与了反应; 颗粒物表面的活性点对反应起决定作用, 同时测定了反应级数为二级, 反应摄取系数为(1.54±0.70)× 10NO^−5.