胺类化合物的离子性指数、极化效应指数与其13C NMR谱化学位移关系

胺类化合物的离子性指数、极化效应指数与其13C NMR谱化学位移关系;脂肪胺化合物;13C NMR谱化学位移;离子性指数;极化效应指数;立体效应     

离去基团、非离去基团及中间体性质对取代苯甲酸苯酯氨解反应的影响

X-取代苯甲酸Y-取代苯基酯(X-C6H4COOC6H4-Y)的氨解反应是一个亲核加成-消除过程.为定量评价Um等对非离去基团(X-C6H4-)、离去基团(Y-C6H4O-)及中间体(T±)的性质对氨解反应速率(kN)影响的研究结果,分别用取代基x的Hammett常数σX、Y-C6H4OH的pKa和取代基X、Y的极化效应指数PEI表征上述结构因素,并用其对logkN建立多元线性回归模型,得到了良好的相关结果.进一步分析得出,Y-C6H4OH的pKa对logkN的影响最大(贡献率为90.46%),而取代基X的Hammett常数σX影响最小.     

铁电极化子动力学理论

在铁电屏蔽理论的基础上发展铁电极化子动力学理论,用来解释铁电体的极化反转现象.理论结果与TGS单晶的实验结果符合得很好.由该理论还可进一步用来研究铁电发射的基本物理过程 关键词： 铁电极化子 极化反转 慢极化效应     

关于最弱受约束电子势模型理论中势函数物理意义的讨论

从屏蔽、贯穿和极化作用考虑,对最弱受约束电子势模型理论（简称WBEPM理论）的势函数进行了讨论。通过一系推导、论证,得出WBEPM理论的有效势的物理意义为：势函数中的第一项表示最弱受约束电子在有效核电荷＋Z′e中心场中的势能;第二项代表最弱受约束电子对非最弱受约束电子和核组成的“实”的极化作用所引起的偶极子场中的势能。     

脂肪族胺、醇和醚气相碱性的通用表达式

脂肪族胺、醇和醚气相质子亲合能(PA)与N、O原子所带电荷(qx)、烷基的极化效应指数(PEI)以及N、O原子的sp^3杂化轨道能量[Ex(sp^3)]的并系可以表示为：PA(kj/mol)=2383.5547-1060.3351qx+59.4247∑PEI-117.0142Ex(sp^3)。上式较好地表达了脂肪族胺、醇和醚气相碱性的共同规律。     

应用光核反应计算μ原子中的核极化效应

近年来，瑞士保罗谢勒研究所的CREMA合作组通过测量$\mu$氢原子兰姆位移显著提升了质子半径的测量精确度。然而这一新实验结果与已知质子半径标准值(CODATA)相差5.6个标准差，被称为质子半径之谜，受到众多物理学家的关注。受此启发，CREMA合作组在不同的$\mu$原子中展开了一系列兰姆位移光谱的测量实验。他们计划从这些$\mu$原子的测量中得到轻核(包括$^{2,3}{\rm{H}}$,$^{3,4}{\rm{He}}$)的电荷半径。除了对光谱测量精度的要求外，轻核半径的实验精度当前仍被一项理论输入量限制:核极化效应对$\mu$原子光谱的修正。核极化效应体现了$\mu$子与原子核进行双光子交换中对核的虚激发，进而对$\mu$原子能谱产生高阶修正。因此，这一效应与光核反应以及康普顿散射直接相关。核极化效应对兰姆位移的修正可通过计算光核吸收截面以及虚光子康普顿振幅的求和规则而得到。本工作运用第一性原理的核结构计算方法，研究了$\mu$原子中的核极化效应。通过结合现代核力模型与超球简谐基展开多体方法，计算了一系列与核极化相关的光核反应及康普顿散射求和规则。这一理论研究为从$\mu$原子光谱测量中对核半径的精确提取提供了关键性的理论输入。     

A two-dimensional fully analytical model with polarization effect for off-state channel potential and electric field distributions of GaN-based field-plated high electron mobility transistor

In this paper, we present a two-dimensional （2D） fully analytical model with consideration of polarization effect for the channel potential and electric field distributions of the gate field-plated high electron mobility transistor （FP-HEMT） on the basis of 2D Poisson＇s solution. The dependences of the channel potential and electric field distributions on drain bias, polarization charge density, FP structure parameters, A1GaN/GaN material parameters, etc. are investigated. A simple and convenient approach to designing high breakdown voltage FP-HEMTs is also proposed. The validity of this model is demonstrated by comparison with the numerical simulations with Silvaco-Atlas. The method in this paper can be extended to the development of other analytical models for different device structures, such as MIS-HEMTs, multiple-FP HETMs, slant-FP HEMTs, etc.     

离子性指数、极化效应指数与醇13C NMR δC的关系

通过对64个饱和醇类化合物中348个碳原子的¹³C NMR谱化学位移与其部分结构参数关系的研究，发现各个碳原子的¹³C NMR谱化学位移与离子性指数(INI)、极化效应指数(PEI)以及结构信息参数[Nⁱ_H(i=α、β、γ)和γ_OH]的关系可表示为： 
δ_C=[-2.3-0.8577(INI)+10.623 3(∑PEI)+0.563 0(INI/∑PEI) -0.420 8(∑PEI/INI)     

Al0.6Ga0.4N/GaN/Al0.3Ga0.7N/Al0.6Ga0.4N量子阱中的Rashba自旋劈裂

正如人们所知, 可以通过电场或者设计非对称的半导体异质结构来调控体系的结构反演不对称性(SIA)和Rashba自旋劈裂. 本文研究了Al_0.6Ga_0.4N/GaN/Al_0.3Ga_0.7N/Al_0.6Ga_0.4N量子阱中第一子带的Rashba 系数和Rashba自旋劈裂随Al_0.3Ga_0.7N插入层(右阱)的厚度w_s以及外加电场的变化关系, 其中GaN层(左阱)的厚度为40-w_s Å. 发现随着w_s的增加, 第一子带的Rashba系数和Rashba自旋劈裂首先增加, 然后在w_s>20 Å 时它们迅速减小, 但是w_s>30 Å时Rashba自旋劈裂减小得更快, 因为此时k_f也迅速减小. 阱层对Rashba系数的贡献最大, 界面的贡献次之且随w_s变化不是太明显, 垒层的贡献相对比较小. 然后, 我们假w_s=20 Å, 发现外加电场可以很大程度上调制该体系的Rashba系数和Rashba自旋劈裂, 当外加电场的方向同极化电场方向相同(相反)时, 它们随着外加电场的增加而增加(减小). 当外加电场从-1.5×10⁸ V·m^-1到1.5×10⁸ V· m^-1变化时, Rashba系数随着外加电场的改变而近似线性变化, Rashba自旋劈裂先增加得很快, 然后近似线性增加, 最后缓慢增加. 研究结果表明可以通过改变GaN层和Al_0.3Ga_0.7N层的相对厚度以及外加电场来调节Al_0.6Ga_0.4N/GaN/Al_0.3Ga_0.7N/Al_0.6Ga_0.4N量子阱中的Rashba 系数和Rashba自旋劈裂, 这对于设计自旋电子学器件有些启示.