高剂量X射线辐照下碲锌镉探测器的深度极化效应

采用双向辐照的方法研究了碲锌镉晶体中的深度极化效应,实验结果表明,深度极化效应与直接辐照的X射线剂量无关。通过对晶体内电场分布的模拟,进一步分析了深度极化的形成机制,认为深度极化效应与极化效应一样,都是由于高浓度的堆积电荷使得晶体内电势畸变从而阳极不能收集信号,但它与通常极化效应有所不同,造成这种极化的高浓度空间电荷是从更高浓度的空间电荷区扩散而来的,发生深度极化的区域本身并没有受到X射线的强烈辐照。     

p型GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱中二维空穴气的研究

对Ga面p型GaN/Al_0.35Ga_0.65N/GaN应变异质结构中形成的二维空穴气(2DHG)进行了研究.首先基于半导体-绝缘体-半导体异质结构模型确定了应变异质中的临界厚度，然后自洽求解薛定谔方程和泊松方程，计算了当中间势垒层AlGaN处于完全应变状态和半应变状态两种条件下，顶层GaN及中间层AlGaN厚度的变化对2DHG分布的影响.计算结果表明，势垒层AlGaN和顶层GaN的应变状态和厚度对极化引起的2DHG面密度及分布有重要影响.在此基础上制备了p型GaN/Al_0.35Ga_0.65N/GaN应变量子阱结构肖特基器件，并通过器件的C-V测试证实了异质结处2DHG的存在.器件响应光谱的测试结果表明，由于p型GaN/Al_0.35Ga_0.65N/GaN量子阱中强烈的极化作用和Stark效应使得器件零偏压和反向偏压时的响应光谱都向短波方向移动了10 nm，在零偏压下器件在280 nm处的峰值响应为0.022 A/W，在反向偏压为1 V时，峰值响应达到0.19 A/W，已经接近理论值. 关键词： AlGaN 二维空穴气 极化效应     

Spin polarization effect for molecule Ta2

Density functional theory （DFT） （B3p86） has been used to optimize the structure of the molecule Ta2. The result shows that the ground state of molecule Ta2 is a 7-multiple state and its electronic configuration is ^7∑u^＋, which shows the spin polarization effect for molecule Ta2 of transition metal elements for the first time. Meanwhile, spin pollution has not been found because the wavefunction of the ground state does not mix with those of higher states. So, the fact that the ground state of molecule Ta2 is a 7-multiple state indicates a spin polarization effect of molecule Ta2 of the transition metal elements, i.e. there exist 6 parallel spin electrons and the non-conjugated electrons are greatest in number. These electrons occupy different space orbitals so that the energy of molecule Ta2 is minimized. It can be concluded that the effect of parallel spin of the molecule Ta2 is larger than the effect of the conjugated molecule, which is obviously related to the effect of d-electron delocalization. In addition, the Murrell-Sorbie potential functions with parameters for the ground state ^7∑u^＋ and other states of the molecule Ta2 are derived. The dissociation energy De, equilibrium bond length Re and vibration frequency we for the ground state of molecule Ta2 are 4.5513eV, 0.2433nm and 173.06cm^-1, respectively. Its force constants f2, f3 and f4 are 1.5965×10^2aJ.nm^-2, -6.4722×10^3aJ·nm^-3 and 29.4851×10^4aJ·nm^-4, respectively. Other spectroscopic data we xe, Be and αe for the ground state of Ta2 are 0.2078cm^-1, 0.0315 cm^-1 and 0.7858×10^-4 cm^-1, respectively.     

用分子极化效应估计和预测卤代烃水溶解度

用分子极化效应估计和预测卤代烃水溶解度＊康继军ａ曹晨忠ｂ＊＊李志良ａ（ａ湖南大学药物研究所长沙４１００８２；ｂ湘潭师范学院化学系湘潭４１１１００）关键词分子极化效应共轭体系有效连通面积水溶解度中图分类号Ｏ６２３．２有机物的水溶解度是一个用途广泛的参数...     

基团极化效应与气相有机分子酸碱性

长期以来,人们测定有机物的酸碱性是在溶液中进行的,因此物质的酸碱性往往受溶剂性质的影响。自60年代高压质谱和离子回旋共振及脉冲双共振谱等高技术的发展和应用,使人们能在气相中测定有机物的酸碱性。气相中     

R2C＝GeH2和R2Ge＝CH2结构与成键特征的理论研究

用密度泛函理论(DFT), 在B3LYP/6-31＋G(d, p)水平上研究了取代基对二取代锗烯R₂Ge＝CH₂和R₂C＝GeH₂ [R＝H, OH, NH₂, SH, PH₂, F, Cl, Br, (NHCH)₂, CH₃, (CH)₂]的影响. 研究发现π供电子取代基在碳上时更能引起分子结构在锗端的锥型化. 碳原子上的π电子给予取代基的给电子效应越强, R₂C的单-三态能量差越大, π电子的反极化效应就越强, 使得化合物的结构在锗端发生的弯曲越明显, 从而使得弯曲结构更稳定. 和前人的计算相比, 碳上的给电子取代基对GeH₂结构影响大于它对SiH₂的影响.     

烷基极化效应的研究

烷基极化效应的研究曹晨忠（湘潭师范学院化学系，湖南４１１１００）极化效应是取代基的４种基本效应（场效应、电负性效应、极化效应和共轭效应￣［１］）之一，物理有机化学工作者一直期望对其进行定量化。Ｔａｆｔ￣［１，２］等曾计算出某些取代基的极化势，成功地解...     

烷基极化效应与X=O键伸缩振动频率

烷基取代物R'X=O的X=O键伸缩振动频率ν与烷基R的极化效应指PEI(R)的关系可表示为:ν=a+bPEI(R)。研究结果表明,烷基的极化效应使X=O键的伸缩振动频率降低。     

分子极化效应指数与脂肪族醛酮的沸点

建立物质的定量结构—活性相关性(QSAR)和定量结构—性质相关性(QSPR)的研究一直受到化学工作者的关注。用拓扑指数研究饱和烃的各种物理化学性质已经有大量报道1 4。本文讨论了分子极化效应指数[5]与脂肪族醛酮沸点的关系,力求寻找到一个适用范围广,并且具有分子结构特征的计算脂肪族醛酮沸点的计算公式。1　分子结构参数的确定脂肪族醛酮分子中羰基的存在,使相同碳原子数的醛酮沸点比烷烃升高很多。我们以醛酮分子中的烷基极化效应指数(PEI)的差值(ΔPEI)[6]来表示羰基位置对醛酮沸点的影响:ΔPEI=PEIB,N-PEInrm,N(1)式中,…     

硅油的结构和时域介电谱

有机物结构常分级描述．频域介电谱方法只能觉察一级结构的极化，对二和三级结构很不灵敏．时域介电谱方法则可分辨出高级结构的丰富信息．在水和甘油等极性液体中，极谱电流的存在使时域测量无法进行．但苯和正烷系列非极性液体却存在有意义的时域谱[1]．硅油具有强的极性键，