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21.
Improvement on the breakdown voltage for silicon-on-insulator devices based on epitaxy-separation by implantation oxygen by a partial buried n~+-layer 下载免费PDF全文
A novel silicon-on-insulator (SOI) high-voltage device based on epitaxy-separation by implantation oxygen (SIMOX) with a partial buried n +-layer silicon-on-insulator (PBN SOI) is proposed in this paper.Based on the proposed expressions of the vertical interface electric field,the high concentration interface charges which are accumulated on the interface between top silicon layer and buried oxide layer (BOX) effectively enhance the electric field of the BOX (E_I),resulting in a high breakdown voltage (BV) for the device.For the same thicknesses of top silicon layer (10 μm) and BOX (0.375 μm),the E I and BV of PBN SOI are improved by 186.5% and 45.4% in comparison with those of the conventional SOI,respectively. 相似文献
22.
Adaptive synchronization of chaos in permanent magnet synchronous motors based on passivity theory 下载免费PDF全文
An adaptive synchronization control method is proposed for chaotic permanent magnet synchronous motors based on the property of a passive system.We prove that the controller makes the synchronization error system between the driving and the response systems not only passive but also asymptotically stable.The simulation results show that the proposed method is effective and robust against uncertainties in the systemic parameters. 相似文献
23.
首先测量了高纯n型硅样品在接近液氦温度区域内随温度变化的光热电离光谱,确定了硅样品的最佳光热电离温度范围. 在该温度范围内,在有本征带隙光照射条件下,测量了样品的高分辨率光热电离光谱,同时观察到了来自主要浅杂质施主磷以及补偿性杂质硼的正信号. 随后,应用外加磁场,对硼的光热电离光谱进行了研究,发现来自硼的光热电离信号,在外加磁场作用下,发生了由正向负信号的转变. 通过对该现象进行分析讨论,排除了该现象是温度效应的可能,指出普遍用来解释补偿性杂质光热电离响应的Darken模型存在不足,而少数载流子快速复合模 相似文献
24.
Experimental and numerical analyses of high voltage 4H-SiC junction barrier Schottky rectifiers with linearly graded field limiting ring 下载免费PDF全文
This paper describes the successful fabrication of 4H-SiC junction barrier Schottky(JBS) rectifiers with a linearly graded field limiting ring(LG-FLR). Linearly variable ring spacings for the FLR termination are applied to improve the blocking voltage by reducing the peak surface electric field at the edge termination region, which acts like a variable lateral doping profile resulting in a gradual field distribution. The experimental results demonstrate a breakdown voltage of 5 kV at the reverse leakage current density of 2 mA/cm2(about 80% of the theoretical value). Detailed numerical simulations show that the proposed termination structure provides a uniform electric field profile compared to the conventional FLR termination, which is responsible for 45% improvement in the reverse blocking voltage despite a 3.7% longer total termination length. 相似文献
25.
26.
混沌SPWM控制因其可以有效地降低变换器的电磁干扰而得到越来越多的关注,目前对于电磁干扰效果的分析主要以仿真和实验为主,缺乏一种量化的分析方法.本文利用双重傅里叶级数的方法,首先给出了多周期及准随机SPWM的频谱量化表达式,并且针对多周期SPWM进行了频谱计算与仿真的对比验证,然后本文将此计算方法拓展应用到混沌SPWM中,并分析了混沌频谱计算的可行性.为了验证不同映射及不同载波周期波动范围对频谱的影响,文中选择了常用的Tent和Chebyshev映射分别进行了对比实验,实验结果表明,载波周期波动范围对扩频效果具有较大的影响,而且从长期看,混沌序列的分布概率密度会影响扩频的效果,从短期来看,序列的初始值选取也会对扩频效果有较大影响.本文的频谱分析方法对混沌SPWM抑制电磁干扰原理提供了一定的理论基础,而且可以为其工程实践提供设计参考. 相似文献
27.
通过结合电磁波在周期性纳米材料中的传播特性以及阿贝完备成像理论中的阿贝正弦条件,提出了一种快速测试光子等频图和能带结构的测试技术和光学检测系统。将无限筒长显微物镜作为一种把波矢空间直接转换到实空间的变换器件,并通过配备二维面阵CCD的光栅光谱仪实现了对周期性纳米材料的等频图和能带结构的一次性拍照,真正实现了方便、快速和无损的探测技术。利用自行搭建的测试系统对用自组装方法制备的二维周期性纳米材料进行了相关光学测试,通过实验测试结果和相关理论计算的对比验证了系统的可行性和可靠性,从而说明该光学系统在研究周期性纳米材料的光学特性方面具有一定的优势。 相似文献
28.
测量了 2H Nb0 .9Ta0 .1 Se2 单晶样品在不同电流下电压随磁场变化的曲线V(H) ,并从V(H)曲线得到V(I)数据 .使用标度关系V =α(I-Ic)β进行了拟合 ,得到了临界电流随磁场Ic(H)和微分电阻随磁场Rd 的变化关系 .在微分电阻随磁场变化的曲线中 ,电流较大时 ,靠近上临界磁场Hc2 附近出现一个强峰 ,而在低电流下 ,该峰消失 .同时在临界电流峰效应区的起始处出现一小峰 .实验结果表明掺Ta后 ,涡旋体系的动力学特性发生了显著的变化 . 相似文献
29.
用Co和Sb作为初始原料,通过机械合金化(mechanical alloying, MA)的方法合成了CoSb3,并系统研究了MA转速和MA时间对MA过程中固相反应的影响.XRD结果表明,相同MA转速下,CoSb3的量随MA时间的延长而增多,但是MA时间过长会导致大量CoSb2的生成,甚至诱发CoSb3分解为CoSb2和非晶态Sb.而提高MA转速,只能缩短固相反应的发生时间,而不会改变整个固相反应
关键词:
机械合金化
热电材料
3')" href="#">CoSb3
非平衡热力学 相似文献
30.