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不饱和聚酯/环氧树脂嵌段共聚树脂的光固化研究 总被引:5,自引:0,他引:5
光固化涂料以其节省能源、减少空气污染、固化速度快、适用于自动化流水线涂布等特点而引起涂料行业的关注 .随着世界范围内对环境保护的日益重视和绿色科技的蓬勃发展 ,光固化技术因其能有效地控制空气污染 ,特别是可以大大减少挥发性有机物的排放而越来越受到青睐[1] .不饱和聚酯树脂 (UPR)型的光固化树脂是发展最早和销售量最大的光固化树脂 .它是由二元羧酸与多羟基醇共缩合的缩聚物与活性单体的混合产物 ,二元羧酸中含有部分不饱和成分 .主要用于光敏树脂印刷版、光敏油墨、光敏涂料及印刷电路版的光致抗蚀膜等 .但是感光不饱和聚酯… 相似文献
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借助与示差扫描量热法、磁化率测量、电子自旋共振、铁电与介电性质测量及电子衍射系统地研究了Pb(Fe1/2Nb1/2)O3(PFN)的电、磁性质和相变特征.结果表明发生在380K附近的顺电-铁电转变和发生在145K附近的顺磁 反铁磁转变分别为一级相变和二级相变或弱一级相变.在室温下,PFN的剩余极化与矫顽场分别为11.5μC/cm2和3.04kV/cm.介电测量表明PFN的顺电-铁电相变为弥散型相变.其弥散指数为1.62.电子衍射表明Fe3+与Nb5+离子在B位置上是无序分布的,正是这种与无序分布相关联的成分涨落导致铁电相变的弥散性.
关键词: 相似文献
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MPP/PER/APP系统阻燃的PA6/OMMT纳米复合材料的燃烧特性 总被引:3,自引:0,他引:3
以聚磷酸蜜胺(MPP)/季戊四醇(PER)/聚磷酸铵(APP)三元膨胀型阻燃剂(IFR)(其中P/PER/三聚氰胺(MA)的摩尔比为4.1/1.0/1.1)对聚酰胺6(PA6)/有机蒙脱土(OMMT)纳米复合材料(wOMMT=0.03)进行阻燃,测定了阻燃PA6/OMMT的极限氧指数(LOI)及垂直燃烧阻燃性(UL94),以锥形量热仪(CONE)测定了材料诸多与火灾安全性有关的阻燃参数,包括释热速率、有效燃烧热、总释热量、质量损失速率、比消光面积及引燃时间等,并与PA6、阻燃PA6及PA6/OMMT进行了比较,用扫描电镜(SEM)观察了由CONE测试所得残炭的形态。 相似文献
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改进了非卤反应型阻燃剂N,N-二(2-羟基乙基)氨甲基膦酸二乙酯(BHAPE)的合成方法.在35℃左右将二乙醇胺滴入37%~40%的甲醛水溶液中,加毕,于40~45℃继续保温反应2 h,然后于80~82℃,小于0.094 MPa,减压蒸馏直到没有馏分为止,得到中间体3-(2-羟基乙基)-1,3-氧氮杂环戊烷(HENH).向HENH中加入阳离子交换树脂催化剂,于55~62℃滴入亚磷酸二乙酯,加毕,于60~62℃保温反应2 h,降到室温,过滤回收催化剂,得黄色透明液体产品,收率98.5%.用元素分析、红外光谱和核磁共振谱表征了中间体和标题化合物. 相似文献
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A coupling equation of directional solidification of CBr4(α)-C2Cl6(β) eutectic is solved numerically. Profiles and profile bifurcation of the solidifying interface as functions of the interlamellar spacing are studied in detail. It is believed that the critical bifurcating point of the solidifying interface of each lamella coincides with its marginally stable position and hence, a new scaling law is derived. Existence of the band of spacing selection is also studied. For a given solidifying rate, the critical bifurcating point of β/liquid interface is the upper limit of this band, and its lower limit corresponds to the critical bifurcating point of α/liquid interface. Our analyses interpret the latest relevant experimental data reasonably. 相似文献
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The fully transparent indium-tin-oxide/BaSnO3/F-doped SnO2 devices that show a stable bipolar resistance switching effect are successfully fabricated. In addition to the transmittance being above 87% for visible light, an initial forming process is unnecessary for the production of transparent memory. Fittings to the current-voltage curves reveal the interfacial conduction in the devices. The first-principles calculation indicates that the oxygen vacancies in cubic BaSnO3 will form the defective energy level below the bottom of conduction band. The field-induced resistance change can be explained based on the change of the interracial Schottky barrier, due to the migration of oxygen vacancies in the vicinity of the interface. This work presents a candidate material BaSnO3 for the application of resistive random access memory to transparent electronics. 相似文献
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