北京同步辐射装置(BSRF)3B1束线精细调试

本文给出了北京同步辐射装置(BSRF)3B1束线在BEPC专用模式(储存环电子能量E_e=2GeV)不同闭轨情况下的最佳光强输出及最佳工作条件选择,并给出不同状态下的能谱测试及分析结果.     

沉积在α－Al＿2O＿3分形基底上Ag薄膜的特性

报道了采用磁控溅射法在α－Ａｌ＿２Ｏ＿３分形基底上沉积Ａｇ薄膜表面的形貌、结晶状态以及其Ｖ－Ｉ特性．结果表明：分形的Ａｌ＿２Ｏ＿３基底导致Ａｇ薄膜具有起伏不平的结构、较差的结晶状态并且存在大量的孔洞，它们同样受基底温度和薄膜厚度的影响．在一定的厚度范围内，Ａｇ薄膜呈现反常的非线性Ｉ（Ｖ）特性，其行为也受薄膜厚度、基底温度和测试环境的强烈影响．     

沉积在α-Al２Ｏ3分形基底上Ag薄膜的特性

报道了采用磁控溅射法在α－Ａｌ_２Ｏ₃分形基底上沉积Ａｇ薄膜表面的形貌、结晶状态以及其Ｖ－Ｉ特性．结果表明：分形的Ａｌ_２Ｏ₃基底导致Ａｇ薄膜具有起伏不平的结构、较差的结晶状态并且存在大量的孔洞，它们同样受基底温度和薄膜厚度的影响．在一定的厚度范围内，Ａｇ薄膜呈现反常的非线性Ｉ（Ｖ）特性，其行为也受薄膜厚度、基底温度和测试环境的强烈影响． 关键词：     

类镍Hf^44＋,Ta^45＋,W^46＋,Re^47＋,Pt^50＋,Au^51＋能级结构…

本文用多组态Ｄｉｒａｃ－Ｆｏｃｋ（ＭＣＤＦ）法计算了类镍Ｈｆ＾４４＋、Ｔａ＾４５＋、Ｗ＾４６＋、Ｒｅ＾４７＋、Ｐｔ＾５０＋、Ａｕ＾５１＋能级的精细结构和ｎ＝３－４偶极跃迁辐射的振子强度，得到了和实验符合得相当好的结果（对有实验数据的跃迁波长而言），并对组态的选取、核模型和、Ｂｒｅｉｔ修正和ＱＥＤ效应作了讨论，指出对于本文研究体系，ＱＥＤ效应对跃迁的贡献可以忽略。     

Cu的类F、类Ne和类Na离子的相对论多组态计算和相关效应的讨论

本文应用加Briet与QED修正的相对论多组态方法对Cu的类F、类Ne和类Na离子的精细结构能级和跃迁参数进行了计算,获得的数据和文献值符合很好。对相对论多组态方法中的相关效应做了分析与讨论,以高剥离度Cu离子为例,总结出判断非动力学相关与动力学相关效应大小的一些规则。     

傅里叶变换滤波-差分吸收光谱法在烟气SO_2在线监测中的应用研究

差分吸收光谱(DOAS)法是利用气体分子窄带吸收特征来测量气体浓度的一种新型的光谱测量技术。本文分析了紫外差分吸收光谱(DOAS)法检测SO2数值处理上的问题,提出傅里叶变换滤波分析方法。本方法可有效减少各种干扰对SO2浓度计算的影响,特别是对与SO2有重叠差分吸收光谱但有不同频谱特性且未知气体的干扰有很好的效果。     

相互作用势对模拟计算单壁碳纳米管物理吸附储氢的影响

采用巨正则Monte Carlo方法模拟氢分子在单壁碳纳米管中的储存与分布,重点研究了Lennard-Jones势、Crowell-Brown势和Silvera- Goldman势对模拟计算单壁碳纳米管物理吸附储氢的影响.计算结果显示,碳纳米管与氢分子间的相互作用宜采用Lennard-Jones势描述;氢分子与氢分子间相互作用的描述则与碳纳米管的管径有关,管径较小时选Lennard-Jones势较佳,管径偏大时取七参数Silvera-Goldman 势更为合理,而三参数Silvera-Goldman势则不宜采用;并给出了相应的理论解释.     

复Grassmann流形上陈氏示性式的积分公式──谨以此文纪念我们的老师吴光

在本文中给出了复Ｇｒａｓｓｍａｎｎ流形上陈氏示性式Ｃ＿ｋ（Ω）的积分公式如下：     

3d过渡金属原子单层在Pd(001)表面磁性的第一性原理研究

用第一性原理基础上的超软赝势方法的总能计算，研究了3d过渡金属(Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn)在Pd(001)表面的单层p(1×1)和c(2×2)结构的表面磁性和总能. 所得结果表明：对于Sc, Ti, V和Cr只存在p(1×1)的铁磁性结构，而Mn只有c(2×2)的反铁磁结构存在. Fe, Co和Ni这三种元素上述两种结构都存在，但是总能上p(1×1)的铁磁结构要低些，因此是比较稳定的结构. 而Cu和Zn在该表面上的单层中不存在上述两种结构. 对于V的p(1×1)铁磁结构，计算得到的每个V原子磁矩为2.41μ_B，大于用全电子方法得到的0.51μ_B. 两种计算方法得到其他金属原子 (Cr，Mn，Fe，Co，Ni)的表面磁矩比较相近，都比孤立原子磁矩略小. 关键词： Pd(001)表面 过渡金属原子单层 表面磁性     

短波碲镉汞光伏器件的低频噪声研究

对所研制的短波光伏碲镉汞器件进行了变温电流-电压特性和低频噪声研究，测试温度范围255—293K.实验结果表明随着温度的下降，器件的优值因子R₀A从45×10³Ωcm²增加到7×10⁴Ωcm².器件在低频区的主要噪 声成分是1/f噪声和产生-复合噪声，在高频区主要是散粒噪声.在测试的偏压内，器件的1/f噪声功率谱密度与流过器件的电流的平方成正比，器件的Hooge系数为3×10^-4—7×10^-4.从噪声 功率谱密度曲线分析中得到产生-复合噪声的特征时间常数τ，通过τ的温度特性得到了器件的深能级. 关键词： 碲镉汞 优值因子 低频噪声 深能级