C60的发现,制备,结构,性质及其潜在应用前景

Ｃ６０是碳的一种新的同素异型结构．本文综述了Ｃ６０的发现与制备方法，Ｃ６０形成的机制与其绪构特征，以及Ｃ６０的性质与其潜在的广阔应用前景．重点介绍用红外（ＩＲ）谱，１３Ｃ核磁共振（ＮＭＲ）谱和Ｘ射线衍射（ＸＤ）谱研究Ｃ６０结构的结果，及掺杂Ｃ６０固体的高温超导电性及其结构的最新研究进展．     

离子注入合成β-FeSi2薄膜的显微结构

采用MEVVA源(Metal Vapor Vacuum Arc Ion Source)离子注入合成β-FeSi2薄膜,用常规透射电镜和高分辨电镜研究了不同制备参数下β-FeSi2薄膜的显微结构变化. 研究结果表明:调整注入能量和剂量,可以得到厚度不同的β-FeSi2表面层和埋入层. 制备过程中生成的α,β,γ和CsCl型FeSi2相的相变顺序为γ-FeSi2→β-FeSi2→α-FeSi2,CsCl-FeSi2→β-FeSi2→α-FeSi2或β-FeSi2→α-FeSi2. 当注入参数增加到60kV,4×1017ions/cm2,就会导致非晶的形成,非晶在退火后会晶化为β-FeSi2相,相变顺序就变为非晶→β-FeSi2→α-FeSi2. 随退火温度逐渐升高硅化物颗粒逐渐长大,并向基体内部生长,在一定的退火温度下硅化物层会收缩断裂为一个个小岛状,使得硅化物/硅界面平整度下降. 另外,对于β-FeSi2/Si界面取向关系的研究表明,在Si基体上难以形成高质量β-FeSi2薄膜的原因在于多种非共格取向关系的并存、孪晶的形成以及由此导致的界面缺陷的形成.     

同步辐射光电子能谱表征MgO在GaAs（100）上淀积过程中的氧物种

用同步辐射光电子能谱表征了不同氧分压下通过热蒸发镁在ＧａＡｓ（１００）面制备氧经物超薄膜过程中的氧物种，结果表明表面氧物种的形式与镁氧配比有关，较高的氧分压下于形成活泼的分子离子等氧中间体，因此通过控制镁氧比可以制备高效的薄膜模型催化剂或适合于功能材料集成的规则氧化物过渡层，氧物种的形式可以通过能谱中不同的原子或分子轨道电子跃迁来有效地区分。     

纳米硅薄膜光吸收谱的研究

用恒定光电导法测量了纳米硅(其晶粒尺寸为3-5nm,晶态成分比X_c为45％—50％)薄膜在0.9—2.5eV范围的光吸收谱。分析了在不同光子能量范围可能存在的对光电导作主要贡献的几种光跃迁过程,以及随着X_c的增加,材料由非晶、微晶转变为纳米硅薄膜时光吸收谱的变化。发现纳米硅晶粒之间的界面区(平均厚度约为1nm)中载流子的跃迁及传输过程对整个范围的光吸收谱起主导作用。联系纳米硅的这种特殊结构解释了有关实验结果。 关键词：     

金属颗粒-半导体膜Cu:CdS的制备及结构研究

利用磁控溅射产生金属Cu团簇，同时蒸发半导体介质CdS，将Cu团簇包埋在CdS介质中，制备出金属颗粒 半导体膜．团簇大小可通过改变溅射气压控制．用TEM研究了嵌埋团簇的结构．分析表明：CdS很好地包埋了Cu团簇，都呈多晶结构；团簇尺寸在5—20nm，Cu晶格发生了膨胀，膨胀量在7%左右 关键词：     

薄膜界面粗糙对双晶摇摆曲线的影响

用X射线衍射动力学理论,模拟计算InP衬底上InGaAs/AllnAs超晶格和InGaAs单层膜的X射线双晶摇摆曲线,计算结果表明:薄膜界面粗糙对单层膜的衍射峰和超晶格的零级衍射峰影响较小,但却明显影响单层膜衍射干涉条纹和超晶格的±1级卫星峰,随着平均界面粗糙度的增大,单层膜衍射干涉条纹强度减弱并趋于消失;超晶格的±1级卫星峰变弱并逐渐展宽,理论计算的模拟双晶摇摆曲线与超晶格实验曲线比较表明:高质量匹配In_0.53Ga_0.47As(85?)/Al_{0.4 关键词：}     

电子束蒸发a—Si1—xGdx薄膜的光吸收

研究了电子束蒸发的掺稀土非晶硅基薄膜材料a—Si_(1-x)Gd_x的光吸收特性。这类材料的组分变化对近红外长波吸收特性的影响灵敏,在0.1at％相似文献   

非晶锂离子导体P2O5-0.7Li2O-0.4LiCl-0.1Al2O3的离子导电性与结构研究

本文研究了非晶锂离子导体P₂O₅-0.7Li₂O-0.4LiCl-0.1Al₂O₃的60目、120目、200目粉末、粉末压片和整片非晶在60至380℃的离子电导率和激活能。发现颗粒度减小能使离子电导率提高四倍以上,但不影响激活能,它归因于同一非晶相的界面效应。各样品在380℃等温热处理76h内的离子电导率和X射线衍射研究表明:颗粒度越小,晶化就越容易。整片非晶比粉末压片不仅电导率提高两个数量级,激 关键词：     

椭偏法测厚及折射率的计算机解算

WJZ型多功能激光椭圆偏振仪是在JJY型分光计上附加激光椭偏装置而组成。兼有分光计和椭偏仪的功能,可用于测量不同基底上介质薄膜的厚度和折射率;除作为高校中级物理实验外,亦可用于材料表面光学参数的分析研究。但是,与原椭偏装置相配用的椭偏仪数据表,只能适用于K_q基底上生长的氧化锆薄膜标准试样,这就实际上限制了椭偏仪的使用范围;另一方面,即使对上述标准试样测量,所获数据往往与数据表提供的数值偏离甚大,直接影响实验效果。经过多次实际试验,本文分析了三相椭偏方程解的特性,讨论了不同条件下椭偏法测厚及折射率的计算机解算。