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Scheme for Implementing an N-Qubit Phase Gate via Selective Atom-Field Interaction with Cavity Quantum Electrodynamics 下载免费PDF全文
A scheme for implementing a two-qubit phase gate with atoms sent through a high-Q optical cavity is proposed by choosing nonidentical coupling constants between the atoms and cavity. The atomic spontaneous emission can be suppressed due to the large atom-field detuning. Moreover, the scheme can be generalized to implement an N-qubit phase gate and the gating time does not change with an increase of the number of qubits. 相似文献
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用正则系综蒙特卡罗模拟方法研究余核破碎问题时,若对碎块位置的平均采取近似的办法,就可以得到余核(RT)系统破碎时的状态方程.本文用数值方法计算了该状态方程,得到了广义压强(P)-体积(VRT)平面上的等温曲线;它与Van der Waals气体相应等温线有类似之处;相变温度就应该对应于只有一特点的等温曲线的温度.本文又指出,描写破碎问题的统计模型中的两个参数,即破碎温度(T)和破碎体积(VRT),在一定的变化范围内都能符合碎块质量分布数据.也就是说,(T,VRT)对不是唯一的.一定温度下与实验符合最好的一对参数,就是相应等温线的两相共存区内压强的极大点. 相似文献
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<正> 一、引言 收敛定理的收敛速度的界估计是排队论中重要课题.在GI/G/1系统中,若假定μ=E(v_1-u_1)>0,σ~2=E(v_1-u_1-μ)~2>0,γ~3=E|v_1-u_1-μ|~3<∞,[2]得到了等待时间W_n的收敛速度如下 相似文献
7.
给出了示波器观测铁磁材料物质磁滞回线的基本原理,针对实验中常见的错误,介绍了如何选取合理的数据并快速描绘磁滞回线的技巧。 相似文献
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本文用给出_Λ~5He的Λ结合能实验值的Λ-α有效相互作用,统一地用超球谐函数方法的绝热近似,研究了超核_(ΛΛ)~6He的双Λ结合能与_Λ~9Be的Λ结合能.得到的结果比较满意的. 相似文献
9.
采用MEVVA源(Metal Vapor Vacuum Arc Ion Source)离子注入合成β-FeSi2薄膜,用常规透射电镜和高分辨电镜研究了不同制备参数下β-FeSi2薄膜的显微结构变化. 研究结果表明:调整注入能量和剂量,可以得到厚度不同的β-FeSi2表面层和埋入层. 制备过程中生成的α,β,γ和CsCl型FeSi2相的相变顺序为γ-FeSi2→β-FeSi2→α-FeSi2,CsCl-FeSi2→β-FeSi2→α-FeSi2或β-FeSi2→α-FeSi2. 当注入参数增加到60kV,4×1017ions/cm2,就会导致非晶的形成,非晶在退火后会晶化为β-FeSi2相,相变顺序就变为非晶→β-FeSi2→α-FeSi2. 随退火温度逐渐升高硅化物颗粒逐渐长大,并向基体内部生长,在一定的退火温度下硅化物层会收缩断裂为一个个小岛状,使得硅化物/硅界面平整度下降. 另外,对于β-FeSi2/Si界面取向关系的研究表明,在Si基体上难以形成高质量β-FeSi2薄膜的原因在于多种非共格取向关系的并存、孪晶的形成以及由此导致的界面缺陷的形成. 相似文献
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以晶体硅金刚线切割废料为原料,通过氮化反应制得氮化硅,既回收了金刚线切割废料,又解决了环境污染的问题。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线能量色谱仪(EDS)等技术手段研究了原料经HCl和HF酸洗净化后制备氮化产物的物相组成、组分质量分数和微观形貌的影响。结果表明,HCl酸洗后切割废料制备的氮化产物中主要物相为Si_2N_2O和Si_3N_4,而HF酸洗后切割废料制备的氮化产物中主要物相为Si_3N_4。氮化产物中Si_2N_2O的形成与切割废料中SiO_2的质量分数有关,降低原料中SiO_2的质量分数是切割废料经过高温氮化制得氮化硅的前提。 相似文献