低工作电压聚噻吩薄膜晶体管

以高掺杂Si单晶片作为衬底且充当栅电极,采用磁控溅射法在硅片上沉积HfTiO薄膜作为栅介质层,聚三己基噻吩(P3HT)薄膜作为半导体活性层,金属Au作为源、漏电极,并采用十八烷基三氯硅烷(OTS)对栅介质层表面修饰,在空气环境下成功地制备出聚合物薄膜晶体管(PTFT).PTFT器件测试结果表明,该晶体管在低的驱动电压(<-1 V)下仍呈现出良好的饱和行为,其阈值电压和有效场效应迁移率分别为0.4 V和2.2×10^-2 cm²/V ·s.通过对金属-聚合物-氧化物 关键词： 聚合物薄膜晶体管 聚三己基噻吩 场效应迁移率 k栅介质')" href="#">高k栅介质     

脉冲X射线剂量率测量不确定度分析

"强光一号"短脉冲高能X射线剂量率测量,主要包括脉冲射线总剂量与脉冲射线时间宽度的测量,前者采用热释光剂量计测量,后者采用PIN半导体探测器记录。根据不确定度传递数学模型,分析了影响X射线剂量和脉冲宽度测量结果的因素。针对"强光一号"短脉冲高能X射线测量,定量地给出了各种因素引入的测量不确定度,总剂量测量是影响剂量率测量准确性的决定性因素,其相对标准不确定度为25.1%,脉冲宽度测量不确定度为3.7%,剂量率测量扩展不确定度为50.8%,置信概率95%。     

激光电源中基于EXB841的IGBT驱动电路设计

根据IGBT对驱动电路的各项要求,在采用专用驱动模块EXB841及带有过流保护功能的驱动电路的基础上,设计了简化的IGBT驱动电路,并提出了构建实际驱动电路的注意事项。通过对PWM信号、IGBT动态驱动信号、IGBT开通时驱动信号上升沿、IGBT关断时驱动信号下降沿等波形的实际观测,表明此驱动电路工作正常。该驱动电路已用于某型脉冲固体激光电源中,运行良好,可靠性较高。     

Effects of modulation amplitude and frequency of frequency-modulated fiber lasers on the threshold of the stimulated Brillouin scattering in optical fiber

Stimulated Brillouin scattering （SBS） is a key problem with the increasing power of fiber transmission systems. In this letter, a frequency-modulated fiber laser with an ultra-narrow linewidth is chosen as a light source. The SBS threshold is increased from 4.1 to 6.2 mW at 13-MHz frequency modulation amplitude for a 50-km G652 fiber. We also show that the SBS threshold increases with not only the frequency modulation amplitude, but also the modulation frequency. The modulation frequency should be high enough for effective modulation.     

整数规划问题的滤子填充函数算法

全局优化是最优化的一个分支,非线性整数规划问题的全局优化在各个方面都有广泛的应用.填充函数是解决全局优化问题的方法之一,它可以帮助目标函数跳出当前的局部极小点找到下一个更好的极小点.滤子方法的引入可以使得目标函数和填充函数共同下降,省却了以往算法要设置两个循环的麻烦,提高了算法的效率.本文提出了一个求解无约束非线性整数规划问题的无参数填充函数,并分析了其性质.同时引进了滤子方法,在此基础上设计了整数规划的无参数滤子填充函数算法.数值实验证明该算法是有效的.     

不良贷款约束下我国上市商业银行全要素生产率时序演变及其驱动因素研究——基于非期望产出的Malmquist-luenberger和Tobit模型

基于我国上市商业银行2007~2013年面板数据,构建包括不良贷款约束条件下我国上市商业银行投入产出指标体系,采用基于非期望产出的M-L生产率指数方法对我国上市商业银行全要素生产率跨期动态变化进行实证测度,并应用Tobit回归分析方法对影响我国上市商业银行全要素生产率的因素进行实证分析,实证结果显示:我国上市商业银行全要素生产率平均增长率为2.4%,上市城市商业银行全要素生产率高于股份制上市商业银行,而股份制商业银行高于国有商业银行,其主要来源与规模效率提升;此外,银行规模和存贷比对商业银行技术效率提升产生显著的正向驱动影响;而银行集中度对其产生显著的负向驱动影响;资产收益率和所有权结构对其影响不显著。     

抗弯光纤的理论研究与制造

针对军事上光纤制导等方面的技术要求,从光纤波导的芯层相对折射率差、芯直径、下凹包层等结构参数方面研究了光纤抗弯曲性能,并且研究了光纤内涂层对光纤弯曲性能的影响。通过对光纤弯曲特性的深入研究后,采用PCVD工艺制造了专利技术的抗弯光纤,并测试了相关参数。     

随机静态存储器低能中子单粒子翻转效应

 建立了中子单粒子翻转可视化分析方法,对不同特征尺寸（0.13~1.50 μm）CMOS工艺商用随机静态存储器(SRAM)器件开展了反应堆中子单粒子翻转效应的实验研究,获得了SRAM器件的裂变谱中子单粒子翻转截面随特征尺寸变化的变化趋势。研究结果表明:SRAM器件的特征尺寸越小,其对低能中子导致的单粒子翻转的敏感性越高。     

Raman and optical absorption spectroscopic investigation of Yb-Er codoped phosphate glasses containing SiO_2

Yb-Er codoped Na2O-Al2O3-P2O5-xSiO2 glasses containing 0 - 20 mol% SiO2 were prepared successfully. The addition of SiO2 to the phosphate glass not only lengthens the bond between pS＋ and non-bridging oxygen but also reduces the number of P=O bond. In contrast with silicate glass in which there is only four-fold coordinated Si4＋, most probably there coexist [SiO4] tetrahedron and [SiO6] oetahedron in our glasses. Within the range of 0 - 20 mol% SiO2 addition, the stimulated emission cross-section of Era＋ ion only decreases no more than 10%. The Judd-Ofelt intensity parameters of Er3＋, Ω2 does not change greatly, but Ω4 and Ω6 decrease obviously with increasing SiO2 addition, because the bond between Er3＋ and O2- is more strongly eovalently bonded.     

新的一个求解带孔薄板弹性问题的二维杂交应力单元

建立了一个新的求解带圆孔薄板弹性问题的二维杂交应力单元,该单元为四节点四边形平面单元,名为P-HS4-8β。由极坐标系下的物理方程和几何方程求解出了一个极坐标方向的应力,通过将这个应力带入由Hellinger-Reissner原理推导的极坐标系下平面应力问题的能量方程中,得到了消除了该应力的能量方程,基于这个能量方程建立了杂交应力单元列式。根据圆孔边无外力条件和相容方程,推导了适用于求解带圆孔薄板问题的极坐标系下的二应力插值矩阵,并将此矩阵应用于新的有限单元列式中。数值算例表明新单元在求解孔边附近的应力时具有较高的精度。