苯并䓛盘状液晶: 合成、柱状相和光物理性质

盘状液晶分子由稠环芳核和围绕的多条柔性链构成, 具有独特的自组装有序超分子结构、半导体性质和光学性质. 其可通过溶液或喷墨打印技术加工成为光电子薄膜器件, 具有低成本优势. 通过Suzuki-Miyaura交叉偶联和Scholl氧化环化策略, 合成了一系列新的具有苯并䓛结构的非对称酸酐、羧酸酯、酰亚胺和苯并咪唑稠环衍生物, 并对其液晶性和光物理性质进行了详细研究. 通过偏振光学显微镜(POM), 差示扫描量热法(DSC)和小角度X射线散射(SAXS)测试表明, 这些极性盘状化合物自组装堆积呈六方柱状(Col_hex)液晶相, 其中, 最宽的液晶温度范围达206 ℃. 官能团和共轭体系大小决定了相变温度和液晶范围. 荧光测试结果表明, 化合物溶液中绝对量子产率高达34%, 根据官能团不同, 这些化合物发蓝、绿和红光. 借助密度泛函理论(DFT)计算, 解释了该系列极性盘状液晶分子发光性质的差异. 基于本工作的合成方法, 从萘酸酐原料出发为构建结构多变、性质丰富的π-共轭(杂环)芳烃盘状液晶化合物提供了新途径.     

中子单粒子效应研究现状及进展

回顾了中子单粒子研究的国内外发展情况,介绍了近几年西北核技术研究所在西安脉冲堆开展的低能中子单粒子效应研究进展。比较了稳态与脉冲工况下中子单粒子效应的异同性;分析了含有SRAM结构器件随着特征尺寸的减小,中子单粒子效应敏感性加剧的物理机制。分析认为目前中子单粒子效应已成为小尺寸大规模互补金属氧化物半导体器件的主要中子效应表现;中子辐射效应研究中,除了位移损伤效应以外还必需重视由中子电离造成的中子单粒子效应。     

敏化LiF(Mg,Ti)热释光剂量片γ射线响应特性

敏化LiF(Mg, Ti)热释光剂量片（LiF(Mg, Ti)-M TLD）是用于强脉冲辐射场剂量测量的主要探测器。对国内4个厂家生产的敏化LiF(Mg, Ti)热释光剂量片进行了射线响应的一致性、重复性和线性的比较研究, 测量了射线辐照后4种敏化LiF(Mg, Ti)热释光剂量片试验样品的吸收剂量读数平均值及标准偏差, 比较了4种样品在不同吸收剂量下的灵敏度及其变异系数, 并获得了超出线性上限的大剂量辐照对剂量片线性响应特性的影响规律。研究结果表明, 北京防化研究院生产的剂量片性能最优, 试验样品在吸收剂量为6 Gy(Si)时读数变异系数为3.11%, 重复性指标在5%以内, 线性响应上限在50~100 Gy(Si)之间。吸收剂量为150 Gy(Si)并退火后再次使用时的灵敏度漂移幅度约为11%。     

电子束产生大尺度等离子体过程的数值模拟研究

建立了一个四组分一维混合模型，对电子束注入大气产生大尺度等离子体的过程进行了数值模拟.结果表明了能量为140keV、流强为50mA/cm²的注入电子束，可以产生线度为0.5m，密度为10¹²cm^-3量级的大气环境下等离子体.电子束所伴随的空间电荷效应由于等离子体的产生会很快消失，不影响后续的等离子体产生过程.电子束注入流强主要影响产生等离子体的密度，而电子束能量则同时影响其空间线度和密度. 关键词： 电子束 碰撞 电离     

随机静态存储器低能中子单粒子翻转效应

 建立了中子单粒子翻转可视化分析方法,对不同特征尺寸（0.13~1.50 μm）CMOS工艺商用随机静态存储器(SRAM)器件开展了反应堆中子单粒子翻转效应的实验研究,获得了SRAM器件的裂变谱中子单粒子翻转截面随特征尺寸变化的变化趋势。研究结果表明:SRAM器件的特征尺寸越小,其对低能中子导致的单粒子翻转的敏感性越高。     

样本空间排序法评价瞬时辐照无失效数据研究

为降低瞬时辐照抽样检验中现行经典非参数法的评价结果的保守性,引入样本空间排序法,从理论和实例两方面计算无失效数据的生存概率置信下限,并与经典非参数法进行对比。结果是,样本空间排序法不仅提高生存概率的置信下限,还增大这些置信限所对应的剂量率范围。该研究结果表明样本空间排序法提高了数据利用率,降低了保守性,可减少试验成本。     

Synergistic effects of neutron and gamma ray irradiation of a commercial CHMOS microcontroller

This paper presents the experimental results of a combined irradiation environment of neutron and gamma rays on 80C196KC20,which is a 16-bit high performance member of the MCS96 microcontroller family.The electrical and functional tests were made in three irradiation environments:neutron,gamma rays,combined irradiation of neutron and gamma rays.The experimental results show that the neutron irradiation can affect the total ionizing dose behaviour.Compared with the single radiation environment,the microcontroller exhibits considerably more severe degradation in neutron and gamma ray synergistic irradiation.This phenomenon may cause a significant hardness assurance problem.     

Synergistic effects of neutron and gamma ray irradiation of commercial CHMOS microcontroller

This paper presents the experimental results of a combined irradiation environment of neutron and gamma rays on 80C196KC20, which is a 16-bit high performance member of the MCS96 microcontroller family. The electrical and functional tests were made in three irradiation environments: neutron, gamma rays, combined irradiation of neutron and gamma rays. The experimental results show that the neutron irradiation can affect the total ionizing dose behaviour. Compared with the single radiation environment, the microcontroller exhibits considerably more severe degradation in neutron and gamma ray synergistic irradiation. This phenomenon may cause a significant hardness assurance problem.     

Phase behaviors of binary mixtures composed of electron-rich and electron-poor triphenylene discotic liquid crystals

Disk-like liquid crystals(DLCs) can self-assemble to ordered columnar mesophases and are intriguing onedimensional organic semiconductors with high charge carrier mobility.To improve their applicable property of mesomorphic temperature ranges,we exploit the binary mixtures of electronic donor-acceptor DLC materials.The electron-rich2,3,6,7,10,11-hexakis(alkoxy)triphenylenes(C4,C6,C8,C10,C12) and an electron-deficient tetrapentyl triphenylene-2,3,6,10-tetracarboxylate have been prepared and their binary mixtures have been investigated.The mesomorphism of the1:1(molar ratio) mixtures has been characterized by polarizing optical microscopy(POM),differential scanning calorimetry(DSC),and small angel x-ray scattering(SAXS).The self-assembled monolayer structure of a discogen on a solid-liquid interface has been imaged by the high resolution scanning tunneling microscopy(STM).The match of peripheral chain length has important influence on the mesomorphism of the binary mixtures.     

CMOS电路瞬态辐照脉冲宽度效应的实验研究

 在“强光一号”加速器上,对两种CMOS反相器和一种CMOS存储器进行了长脉冲状态和短脉冲状态下的辐照实验,测量了CMOS电路的瞬时辐照效应规律,得到了CMOS电路辐射损伤阈值与脉冲宽度的关系,分析了CMOS电路在不同脉冲宽度下的效应差异。实验结果表明：CMOS电路的辐射损伤阈值随脉冲宽度的增加而降低,在20 ns的脉冲宽度辐照下,CMOS反相器4007和4069的闩锁阈值大约为150 ns脉冲辐照下的2倍,CMOS存储器6264的翻转阈值在20 ns脉冲宽度辐照下为150 ns脉冲宽度辐照下的3倍。