低温度系数的Nd-Fe-B永磁合金

研究了取代元素钴、镝、钬、铒、钆等对Nd-Fe-B系永磁合金磁性及热稳定性的影响。用钻和重稀土元素取代铁和钕,合金居里温度升高,磁感总损失下降,平均可逆温度系数下降最后变为正值。已得到一种温度系数α=-0.028％/℃(20～100℃)的Nd Fe B系永磁合金,它可以较好地工作在150℃的环境中。用这种取代方法获得的温度系数为零的合金,其磁性为:Br=7900G,_iH_c>16kOe,_bH_c=7.3kOe,(BH)_(max)=14.3MGOe。     

Sm2Co17型永磁材料弹塑变形阶段的微纳压痕尺寸效应

采用准静态法分别对固溶态和最终态Sm₂Co₁₇型永磁的两种取向面样品进行了纳米压痕分析。结果表明,两类磁体不同取向面上的硬度和弹性模量均出现了随着压入深度的增加而减小的现象,表现出典型的压痕尺寸效应。基于Nix-Gao模型的硬度与压入深度拟合结果表明,两种磁体的硬度H₀和特征长度h~*均呈现出明显各向异性。较大的h~*值揭示出最终态磁体在较大的压入深度范围内可观察到明显的尺寸效应现象。进一步地,通过计算反映压痕尺寸效应强弱的效应因子i可知,最终态磁体的i值均比固溶态磁体的大,其中在取向平行加载方向时,i值高出58%。最终态Sm₂Co₁₇磁体中存在的胞状组织结构增强了尺寸效应因子,进而改善了Sm₂Co₁₇型磁体在弹塑变形阶段的塑性。     

纳米球刻蚀法制备的二维有序的CdS纳米阵列及其光学性质的研究

采用纳米球刻蚀(nanosphere lithography)技术,以自组装的聚苯乙烯纳米小球(polystyrene,PS小球)的单层膜为掩模,制备出二维有序的CdS纳米阵列.利用扫描电子显微镜(SEM)对样品结构进行了表征,用紫外—可见分光光度计对样品光学性质进行了分析.结果表明：制备的二维CdS纳米阵列是高度有序的,且与作为掩模的纳米小球的原始尺寸及排布结构一致;禁带宽度为2.60eV,相对于体材料的2.42eV,向短波长蓝移了0.18eV,表现出CdS材料在纳米结构点阵中的量子尺寸效应;CdS纳米 关键词： 纳米球刻蚀 二维CdS纳米有序阵列     

The electrical, optical properties of AlSb polycrystalline thin films deposited by magnetron co-sputtering without annealing

In order to fabricate AlSb polycrystalline thin films without post annealing, this paper studies a technology of magnetron co-sputtering onto intentionally heated substrate. It compares the structural characteristics and electrical properties of AlSb films which are deposited at different substrate temperatures. It finds that the films prepared at a substrate temperature of 450 oC exhibit an enhanced grain growth with an average grain size of 21 nm and the lattice constant is 0.61562 nm that goes well with unstained lattice constant (0.61355 nm). The ln(σ_dark) ～1/T curves show that the conductivity activation energy is about 0.38 eV when the film is deposited at 450 oC without an annealing. The transmittance and reflectance spectra show that the film deposited at 450 oC has an optical band gap of 1.6 eV. These results indicate that we have prepared AlSb polycrystalline films which do not need a post annealing.     

CdTe太阳电池背接触层的XPS研究

采用共蒸发法在不同条件下制备了ZnTe和ZnTe∶Cu多晶薄膜,通过XRD和XPS研究了它们的结构和各元素的浓度分布。结果表明,不同衬底温度下沉积的薄膜,结构无明显变化,利用XPS溅射剖析获得了薄膜中各成分浓度随溅射时间变化的分布图,发现不同条件下制备的薄膜,溅射速率不同,各成分随溅射时间的变化也不相同。薄膜中Cu的浓度随溅射时间增加而快速增加,并达到一极大值,然后快速下降。根据Cu浓度的变化研究了ZnTe层对Cu原子的阻挡作用,通过对Cu浓度随时间变化分布图的比较,作者认为,用70 ℃制备ZnTe,而后在常温下制备ZnTe∶Cu的复合膜作为CdTe太阳电池的背接触层,能有效阻挡Cu原子的扩散,提高电池效率。     

烧结Nd-Fe-B磁体的磁性能一致性与其微观结构的关系

分析了微观结构和热处理工艺对矫顽力的影响,发现在矫顽力一定的情况下,磁体的微观结构越“差”,则保证不同批次磁体矫顽力变化不大于某一给定值所需的工艺条件就越严格;反之则越宽松.就同一炉产品而言,微观结构越好的磁体,其矫顽力受烧结(热处理)炉温度梯度的影响越小,其结果是该炉产品的一致性越高.反之,受温度梯度的影响越大,磁体的一致性也就越低.该研究结果说明:在条件许可的情况下,应首先考虑通过改善磁体的微观结构来提高磁性能一致性. 关键词： Nd-Fe-B永磁体 微观结构 内禀矫顽力 一致性     

顶色辅助的人工色理论中荷电的Top介子在LC实验中对顶夸克产生的修正

讨论了顶色辅助的人工色理论预言的赝标量Goldstones粒子(TC介子和Top介子)在LC实验中对顶夸克产生的贡献,发现Top介子对顶夸克产生截面σ_tt的贡献是主要的,在大部分参数空间中荷电Top介子的贡献非常大.当取合理的参数时,荷电Top介子对的σ_tt贡献可以达到8%左右,能够被LC的实验探测到.     

顶色辅助的多标度人工色理论中的PGB′s对顶夸克产生的修正

在顶色辅助的多标度人工色模型框架下,计算了赝标哥尔斯通玻色子(TC介子,Top介子)对Tevatron上qq→tt顶夸克对产生的单圈修正.计算表明此修正主要来自Top介子,在适当的参数范围内,PGB′s对顶夸克对树图级产生截面的单圈修正可达17%.     

ZnS晶体的化学气相沉积生长

本文报道了用化学气相沉积(CVD)法生长ZnS透明多晶体的实验结果,对生长的晶体的物理化学性能进行了测试,讨论了化学气相沉积工艺中影响ZnS晶体质量的因素.结果表明:选用固体硫作原料,用化学气相沉积方法,可以沉积出透明ZnS多晶体;它的透过性能极其优异,在6.2μm处无吸收峰,在中、长波红外透过率可达70;以上.     

顶色辅助的多标度人工色理论对稀有过程e+e－→bs的单圈效应

讨论了顶色辅助的多标度人工色理论预言的赝标哥尔斯通玻色子(tech–nipions,top–pious)对稀有过程e⁺e^－→bs的单圈效应,计算了该过程在LEPⅡ上的产生截面,得到较标准模型预言值要大一个数量级的数值结果.并进一步讨论了在B介子工厂上探测此稀有过程的可能性.