声光晶体TeO2的生长及缺陷研究

本文研究了直接ＴeO２晶体中的主要晶体缺陷形成机理,讨论分析了Ｔ eO2单晶生长的工艺参数对晶体缺陷的影响,结果表明：晶体裂缝的主要与温度梯度有关,温度梯度大于２０－２５℃/cm及出现界面翻转时,易造成晶全的开裂,位错密度增加,晶体中的包裹体主要为气态包裹全,它的形成主要与籽晶的转速和晶体的提拉速率有关,转速１５－１８r/min,拉速０.55mm/h,固液界面微凹,可以减少晶体中的气态包裹体,晶体台阶由晶体生长过程中温度和生长速度的引起伏引起,当台阶间距较宽时,易形成包裹体。     

几种蛋白质的真空紫外CD谱研究

介绍了北京同步辐射装置(RSRF)3B1B VUV实验站在VUVCD谱测量方面的新进展,并对其中几种蛋白质VUVCD谱的测量结果进行了分析.     

Investigation of transport properties of perovskite single crystals by pulsed and DC bias transient current technique

Time-of-flight (ToF) transient current method is an important technique to study the transport characteristics of semiconductors. Here, both the direct current (DC) and pulsed bias ToF transient current method are employed to investigate the transport properties and electric field distribution inside the MAPbI$_{3}$ single crystal detector. Owing to the almost homogeneous electric field built inside the detector during pulsed bias ToF measurement, the free hole mobility can be directly calculated to be about 22 cm$^{2}\cdot$V$^{-1}\cdot$s$^{-1}$, and the hole lifetime is around 6.5 μs-17.5 μs. Hence, the mobility-lifetime product can be derived to be $1.4\times 10^{-4}$ cm$^{2}\cdot$V$^{-1}$-$3.9\times 10^{-4}$ cm$^{2}\cdot$V$^{-1}$. The transit time measured under the DC bias deviates with increasing voltage compared with that under the pulsed bias, which arises mainly from the inhomogeneous electric field distribution inside the perovskite. The positive space charge density can then be deduced to increase from 3.1$\times10^{10}$ cm$^{-3}$ to 6.89$\times 10^{10}$ cm$^{-3}$ in a bias range of 50 V-150 V. The ToF measurement can provide us with a facile way to accurately measure the transport properties of the perovskite single crystals, and is also helpful in obtaining a rough picture of the internal electric field distribution.     

神光-Ⅲ主机装置MJ级能源系统研制现状

介绍了神光-Ⅲ主机装置能源系统的功能要求、组成结构和设计方法,以及关键单元器件的功能要求和设计方法。该系统是片状放大器系统的重要组成部分,由6个束组共108套最大储能为1.2 MJ的能源模块组成,总储能达到110 MJ(最大130 MJ)。每套模块产生一个脉宽610μs(10%峰值)的电流脉冲,驱动10组、共20支氙灯,为片状放大器提供泵浦能量,峰值电流为0.25 MA。目前投入试运行的36套能源模块的各项电气性能指标满足设计要求,能确保片状放大器小信号增益系数达到5.0%/cm,为片状放大器提供足够的泵浦能量,满足激光器的能量需求。     

Phonon contribution to nonionizing energy loss in silicon detectors

Nonionizing energy loss (NIEL) has been applied to a number of studies concerning displacement damage effects in materials and devices. However, most studies consider only the contribution of displacement damage effects, neglecting the contribution from phonons. In this paper, a NIEL model, which considers the contribution of phonons, has been established using the Monte Carlo code SRIM. The maximum endurable fluence for silicon detectors has been estimated using the equivalent irradiation fluence compared with experimental data for the incident particles. NIEL is proportional to the equivalent irradiation fluence that the detector has received.     

铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池一价金属替位的研究进展

铜锌锡硫硒(CZTSSe)电池具有组成元素丰度高且环境友好、光吸收系数高、带隙可调、高稳定性等优点, 是一类非常有发展前景的新型薄膜太阳能电池. 目前, CZTSSe电池最高认证效率为12.6%, 与商品化铜铟镓硒(CIGS)电池相比仍然有较大差距, 特别是开路电压(V_OC)和填充因子(FF)偏低. 开压损耗是制约CZTSSe器件效率进一步提升的关键因素之一. 其中, 吸收层带尾态和深能级缺陷及界面能级不匹配是开压损耗大的主因, 而Cu-Zn无序引起的铜锌替位(Cu_Zn)与锌锡替位(Sn_Zn)缺陷又是影响带尾态的关键因素, 因此, 减少Cu_Zn和Sn_Zn缺陷有助于提升V_OC. 一价金属替位能有效改善带尾态、构建合适能带结构, 在一定程度上解决器件开压损耗问题. 但是, 有关一价金属替位如何影响CZTSSe电池性能, 仍然缺乏全面系统的概述. 本文综述了基于一价金属替位方法CZTSSe电池的研究进展. 首先介绍CZTSSe电池的发展历程、工作原理、制备工艺和关键材料等; 其次, 详细讨论一价金属替位的理论研究; 再次, 结合实验进展, 重点讨论一价金属部分替位及完全替位CZTSSe材料的制备及其对带尾态、界面缺陷和能带结构研究; 最后, 对一价金属替位研究的关键科学问题、未来发展潜力等进行讨论和展望, 并提出可能的解决思路.     

CCD多功能实验仪的设计与应用

介绍了CCD多功能实验仪的设计及其在大学物理实验中的应用．该实验仪主要由光路、硬件电路和软件3 部分组成．光路将待测物理量转化成相应的光信号,再经过硬件电路和软件的一系列处理转换成离散的电压信号,并在计算机上以图形方式显示结果．该测量系统可以完成多个与CCD光电技术相关的实验．     

聚合物太阳能电池光伏材料的研究进展

聚合物太阳能电池由于成本低廉、轻薄灵活、光伏材料分子结构的可设计性等优点成为近年来太阳能电池研究与开发的热点.光电转化效率较低一直是制约此类电池商业化的关键问题,而影响效率的因素包括电池结构、光伏材料的选择、以及电池的组装技术等.本文简要介绍了聚合物太阳能电池的工作原理,对电池光敏层结构的研究进展以及给、受体材料的种类...     

核壳结构CdS/ZnS纳米微粒的制备与光学特性

用微乳液法制备CdS纳米微粒 ,以ZnS对其进行表面修饰 ,得到具有核壳结构的CdS/ZnS纳米微粒 .采用X射线衍射 (XRD)、透射电镜 (TEM )表征其结构、粒度和形貌 ,紫外 可见吸收光谱 (UV)、光致发光光谱(PL)表征其光学特性 .制得的CdS近似呈球形 ,直径为 3.3nm ;以XRD和UV证实了CdS/ZnS核壳结构的实现 .研究了不同ZnS壳层厚度对CdS纳米微粒光学性能的影响 ,UV谱表明随着壳层厚度的增加纳米微粒的吸收带边有轻微的红移 ,同时短波吸收增强 ;PL谱表明壳层ZnS的包覆可减少CdS纳米微粒的表面缺陷 ,带边直接复合发光的几率增大 ,具有合适的壳层厚度时发光效率大大提高 .     

层状氢氧化镁铝焙烧产物对SCN~-的吸附性能

研究了层状氢氧化镁铝焙烧产物对SCN-的吸附行为,考察了焙烧温度、吸附温度、时间、pH值等因素对吸附的影响.在SCN-初始浓度为25 mg/L,温度为40℃,焙烧物投加量为2 g/L,pH值为6的条件下,4 h达到吸附平衡,SCN-脱除率可达96.91%.吸附过程符合Langmu ir等温方程式,主要是单分子层的吸热吸附.