基于最小偏差和优势度的区间数互补判断矩阵排序法

针对决策信息以区间数互补判断矩阵形式给出的多目标决策问题。首先,给出相对优势度的概念和区间数加性一致性互补判断矩阵的判定定理。其次,建立一个目标规划模型,通过求解该模型得到区间数互补判断矩阵的权重向量,并利用各权重向量的总体相对优势度对方案进行排序,提出了基于最小偏差和优势度的区间数互补判断矩阵排序法。方法的核心是对数值型互补判断矩阵排序方法的拓展。最后,通过实例说明方法的可行性和有效性。     

基于结构元方法的模糊数互补判断矩阵排序法

利用模糊结构元方法,研究了决策信息以模糊数互补判断矩阵形式给出的有限方案决策问题。给出了模糊数互补判断矩阵的定义,介绍了模糊数排序的一种简捷方法——组合序。在该序的基础上,对模糊有序加权平均(FOWA)算子的若干性质进行证明。利用该算子能够将模糊数互补判断矩阵转换为实数矩阵,进而,对模糊数互补矩阵的排序问题转换成实数矩阵的排序问题。只要矩阵中的元为有界闭模糊数,就可以利用FOWA算子进行排序。最后通过算例对比分析,算例表明利用本文的方法进行排序更为简捷。     

The modulation effect of substrate doping on multi-node charge collection and single-event transient propagation in 90-nm bulk complementary metal-oxide semiconductor technology

Variation of substrate background doping will affect the charge collection of active and passive MOSFETs in complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) technologies, which are significant for charge sharing, thus affecting the propagated single event transient pulsewidths in circuits. The trends of charge collected by the drain of a positive channel metal-oxide semiconductor (PMOS) and an N metal-oxide semiconductor (NMOS) are opposite as the substrate doping increases. The PMOS source will inject carriers after strike and the amount of charge injected will increase as the substrate doping increases, whereas the source of the NMOS will mainly collect carriers and the source of the NMOS can also inject electrons when the substrate doping is light enough. Additionally, it indicates that substrate doping mainly affects the bipolar amplification component of a single-event transient current, and has little effect on the drift and diffusion. The change in substrate doping has a much greater effect on PMOS than on NMOS.     

CCD与CMOS像素传感器γ射线电离辐射响应特性对比研究

为了研究CCD与CMOS像素传感器对γ射线电离辐射的响应差异,对比研究了4类像素传感器的结构特点和辐射响应特性。通过辐射实验,对各传感器在不同辐射水平条件下的光子响应事件分布、平均灰度值以及典型光子响应事件进行研究。研究结果表明：光子响应程度均与辐射剂量率相关;CCD像素传感器的沟道传输方式使每列像元间的辐射响应更容易相互干扰;平均灰度值随剂量率的增大存在明显的梯度,各积分周期内输出信号灰度值围绕均值上下波动,CCD像素传感器输出信号灰度浮动范围较小;CMOS像素传感器各像元对光子的响应更加明显,CCD像素传感器各像元的响应信号易与相邻像元发生串扰;各类像素传感器典型辐射响应事件区域中发生光子响应的像元数量随剂量率的增大而增多,响应事件并非单个光子的行为,而是反映了多个光子在区域内同时沉积能量的过程。本研究为开发像素传感器的γ射线辐射探测技术和应用提供了重要的理论分析和实验数据支撑。     

基于压缩感知的欠定源信号恢复算法比较

构建了基于压缩感知的欠定盲源分离源信号恢复模型,比较研究了基于互补匹配追踪算法(CMP)、基于L1范数的互补匹配追踪算法(L1CMP)和基于修正牛顿的径向基函数算法(NRASR)实现欠定源信号恢复的应用效果。结果表明:源信号时域充分稀疏情况下,CMP,L1CMP和NRASR的恢复效果接近,但L1CMP算法计算复杂度最低;变换域充分稀疏情况下,CMP和L1CMP恢复效果接近,NRASR恢复效果较差;时域非充分稀疏情况下,CMP效果较差,L1CMP和NRASR效果接近。综合考虑,L1CMP算法效果最佳;在观测信号数和源数较少的情况下,算法在时域恢复信号精度会下降;稀疏表示法结合压缩感知重构能够提高源信号恢复的效果。     

线性二阶锥互补问题的一种非精确光滑算法

在光滑算法的框架下,就线性二阶锥互补问题,给出了一种非精确光滑算法. 在适当的条件下,证明了该算法具有全局收敛性. 数值试验表明该算法对高维线性二阶锥互补问题是有效的.     

太赫兹互补金属氧化物半导体场效应管探测器理论模型中扩散效应研究

针对基于经典动力学理论传统模型中忽略扩散效应的问题,通过对基于玻尔兹曼理论的场效应管传输线模型的理论分析,建立了包含扩散效应的太赫兹互补金属氧化物半导体(CMOS)场效应管探测器理论模型,研究扩散效应对场效应管电导及响应度的影响.同时,将此模型与忽略了扩散效应的传统模型进行了对比仿真模拟,给出了两种模型下的电流响应度随温度及频率变化的差别.依据仿真结果,并结合3σ原则明确了场效应管传输线模型中扩散部分省略的依据和条件.研究结果表明:扩散部分引起的响应度差异大小主要由场效应管的工作温度及工作频率决定.其中工作频率起主要作用,温度变化对差异大小影响较为微弱;而对于工作频率而言,当场效应管工作频率小于1 THz时,模型中的扩散部分可以忽略不计;而当工作频率大于1 THz时,扩散部分不可省略,此时场效应管模型需同时包含漂移、散射及扩散三个物理过程.本文的研究结果为太赫兹CMOS场效应管理论模型的精确建立及模拟提供了理论支持.     

考虑捆绑销售的多产品供应链定价策略

以一个制造商向一个零售商同时销售两种互补产品的二级供应链为研究对象,研究了制造商、零售商分别采用不同捆绑策略下的供应链定价博弈问题,并对四种定价模型(分开—分开,分开—捆绑,捆绑—分开,捆绑—捆绑)进行比较分析,探讨了产品互补程度、边际利润水平与供应链利润、最优捆绑策略的关系。研究结果表明,对领导者制造商而言,采取分开定价是占优决策;对于追随者零售商而言,是否采取捆绑定价取决于产品互补程度与产品边际利润水平比值,当产品互补程度变大或者边际利润比值降低时,零售商的最优策略由捆绑策略向分开定价策略转变。     

单轴双轮自平衡小车的设计研究

通过物理建模得到了单轴双轮自平衡系统的运动学特性,并结合传感器技术和自动控制理论提出了新的单轴双轮自平衡小车的设计方案.采用陀螺仪和加速度传感器分别对车体倾角进行检测,利用对称互补滤波算法对检测到的数据进行融合得到精确的车体倾角,再引入PID技术对车体姿态进行精确控制.设计的单轴双轮自平衡小车车体的倾角的获取不依赖于小车所处的环境,可在实验过程中调整参量,具有普遍的适用性.     

A Quasi-3D Threshold Voltage Model for Dual-Metal Quadruple-Gate MOSFETs

Due to challenges with relentless scaling of conventional bulk complementary metal-oxide- semiconductor （CMOS） devices, non-conventional CMOS devices have been of great interest to scale metaboxide-semiconductor field effect transistors （MOSFETs） to the 32nm gate length and below effectively. Among non-conventional CMOS devices, quadruple-gate （QG） MOSFETs have been gaining interest because they are sup- posed to provide excellent electrostatic controllability for ultra-large-scale integration （ULSI） applications. A number of attempts have been made to analyze QG MOSFETs analytically with a great amount of success. Sharma et al. have presented an an- alytical threshold voltage model for QG MOSFETs using an isomorphic polynomial function for solv- ing the 3D Poisson equation. Chiang has presented a number of models of scaling length,threshold voltage and subthreshold current for QG MOS- FETs adopting a concept of the so-called equivalent number of gates （ENGs）.