AlxGa1-xN/GaN异质结构中Al组分对二维电子气性质的影响

通过用数值计算方法自洽求解薛定谔方程和泊松方程,研究了Al组分对AlxGa1-xN/GaN异质结构二维电子气性质的影响,给出了AlxGa1-xN/GaN异质结构二维电子气分布和面密度,导带能带偏移以及子带中电子分布随AlxGa1-xN势垒层中Al组分的变化关系,并用AlxGa1-xN/GaN异质结构自发极化与压电极化机理和能带偏移对结果进行讨论分析.     

基于旋转二维发光二极管阵列的体三维显示系统

利用发光二极管 (LED)的高速发光特性 ,以旋转的二维发光二极管阵列为显示载体 ,通过时分寻址电路快速显示三维形体的二维截面序列。受调制的离散二维图像信息 ,因视觉暂留而形成深度效应 ,将被整合感知为一幅连续的三维图像。成功实现了具有 4 915 2个体像素 ,尺寸为14 4 .6mm× 110mm的柱体空间内的三维显示 ,图像具有双目视差、调节、会聚等常规视差信息 ,能提供真实的深度暗示 ,可同时从任意角度直接观察。论述了系统的显示原理及图像编码分解方法 ,分析和讨论了显示质量与体像素优化选取、起始位置显示信息的关联程度     

发光二极管诱导荧光检测器的研制

探讨了以亮度发光二极管为诱导荧光检测激发光源的可行性，考察了直流驱动和脉冲驱动发光二极管(LED)对输出光强的影响以及LED塑料保护层厚度对输出光强的影响。发现脉冲驱动比直流驱动能提高光强3倍，无塑料保护层相对有保护层可提高光强2．5倍。采用毛细管电泳柱上检测方式对检测系统进行了评价，最小检出浓度为0．18μmol／L。结果表明该装置可以满足普通分析需求。     

气流混合对生长GaN：Si膜性能影响的研究

用金必有机化学气相沉积技术在三种不同型号的反应管中生长了GaN:Si膜。通过对样品的光电及结晶性能的分析，研究了气流混合时间不同对GaN:Si膜性质的影响。结果表明：合理的Ⅲ、Ⅴ族气流混合对提高GaN:Si膜的光电及结晶性能很重要。Ⅲ、Ⅴ族气流混合太早，气流混合时间长，GaN:Si膜的黄带与发射强度之比较大，X射线双晶衍射半高宽；Ⅲ、Ⅴ族气流混合太晚，尽管可减少预反应，但气流混合不均匀，致使GaN:Si膜的发光性能及结晶性能变差。使用Ⅲ、Ⅴ族气流混合适中的反应管B生长、获得了光电及结晶性能良好的CaN:Si单晶膜。     

有机层界面对双层有机发光二极管复合效率的影响

建立了双层有机发光二极管中载流子在有机层界面复合的无序跳跃理论模型.由于有机分子材料的空间及能带结构的无序性，采用刚体模型处理有机层界面问题是不恰当的，而采用无序跳跃模型比较合理.复合效率及复合电流由载流子跳跃距离、有机层界面的有效势垒高度及该界面处的电场强度分布所决定：在双层器件ITO/α-NPD/Alq₃/Al中，当所加电压小于19.5V时，复合效率随着载流子跳跃距离的增加而增加，而大于19.5V时，复合效率随着其距离的增加而减少；复合效率随着有机层界面有效势垒高度的增加而增加； 关键词： 有机层界面 双层有机发光二极管 复合效率 有效势垒高度 无序跳跃模型     

Optical and Electronic Properties of InGaN／GaN Multi—Quantum—Wells Near—Ultraviolet Lighting—Emitting—Diodes Grown by Low—Pressure Metalorganic Vapour Phase Epitaxy

The near-ultraviolet lighting-emitting-diodes (UV-LEDs) with the InGaN/GaN multi-quantum-well (MQW) structure were grown by low-pressure metalorganic vapour phase epitaxy. The double crystal x-ray diffraction revealed a distinct second-order satellite peak. The near-ultraviolet InGaN/GaN MQW LEDs have been successfully fabricated to emit at 401.2nm with narrow FWHM of 14.3nm and the forward voltage of 3.6 V at 20 mA injection current at room temperature. With increasing forward current from l 0 mA to 50 mA, the redshift of the peak wavelength was observed due to the band-gap narrowing caused by heat generation.     

采用N2-RF等离子体氮化GaAs(001)

研究了在MBE系统中,GaAs(001)表面的氮化过程。GaAs(001)表面直接和间接地暴露在等离子体激发的N₂气流下。两种氮化过程显示了完全不同的表面氮化结果。在打开N₂发生器挡板的情况下,氮化导致GaAs(001)表面损伤,并且形成多晶结构。当增加N₂气压时,损伤变得更严重。但是,在关闭N₂发生器挡板的情况下,在500℃下,经过氮化将观察到(3×3)再构的RHEED花样,表面仍保持原子级的平整度。上述结果表明,不开N₂发生器挡板,低温(500℃下)氮化将在GaN外延生长之前形成平整的薄层c-GaN。     

以BBOT为电子传输层的聚合物蓝色发光二极管

在前篇文章中[1]我们报导了以perylene掺杂的PVCz聚合物单层电致发光器件,得到蓝色发光,其亮度为59(cd/m2).在这篇文章中,我们以PVCz作为空穴传导层,BBOT为电子传导层制成了双层结构的发光二极管.亮度和效率都大大超过单层器件.