Tc—λ曲线

本文指出了,T_c-λ曲线是由性质完全不同的“McMillan区域”、“λ^1.55区域”和“级数解”三个部分组成的。 关键词：     

燃料电池质子交换膜研究进展与展望

质子交换膜燃料电池(PEMFC)作为一种清洁高效的能量转换装置,具有比功率高、稳定性好、易于启动等优点,是未来可移动动力源的理想候选。成本和寿命是阻碍PEMFC商业化的主要原因,寻找新型材料是解决这两大问题的必然选择,也是近年来质子交换膜研究的热点和重点。本文介绍了几种质子交换膜材料的研究进展,主要包括聚合物型、陶瓷型和有机-无机复合型,讨论了各种膜材料的特点,并对其未来的发展加以展望。     

McMillan Tc公式的解析推导(Ⅱ)——μ*≠0情形

本文把文献[1]的理论以及所得到的T_c公式推广到μ^*≠0情形,得到T_c=(2γ)/πω_log·(ω_log/ω_c)^{(μ*/(λ-μ*))}·exp{-(1+λ)/(λ-μ^*)}. Inγ=C=0.5772是Euler常数。 关键词：     

流体静压下AlAs合金化的GaAs中Cr~(2+)(3d~4)杂质态的理论研究

本文将一个自旋极化的紧束缚格林函数方法发展到用于流体静压和合金下GaAs:Cr~(2+)(3d~4)杂质态的研究。文中给出了GaAs:Cr~(2+)系统~5E激发态和~5T_2基态受主能级随压力和AlAs合金成份的变化趋势。理论证明了在一定的压力和Al成份下,~5E激发态将从导带底进入带隙,原在通常条件下观察不到的~5E→~5T_2发光就能被观察到。理论预言与实验结果符合得很好。理论还预言:当GaAs与GaP合金的时候,类似的发光过程也能在一定的合金成份下观察到,这一预言有待于实验证实。     

GaAs1-xPx中3d过渡金属杂质的电子结构

本文推广了Vogl等人的理论方法,将其用于对GaAs_1-xP_x中3d过渡金属杂质电子结构的研究。文中就不同的合金成份x,预言了不同3d杂质的受主能级、施主能级、局域电荷和自旋密度。理论预言与实验数据符合,并且揭示了它们的主要化学趋势。文中还就与理论和实验结果变化趋势有关的物理机制进行了讨论。 关键词：     

流体静压下AlAs合金化的GaAs中Cr2+(3d4)杂质态的理论研究

本文将一个自旋极化的紧束缚格林函数方法发展到用于流体静压和合金下GaAs:Cr²⁺(3d⁴)杂质态的研究。文中给出了GaAs:Cr²⁺系统⁵E激发态和⁵T₂基态受主能级随压力和AlAs合金成份的变化趋势。理论证明了在一定的压力和Al成份下,⁵E激发态将从导带底进入带隙,原在通常条件下观察不到的⁵E→⁵T_关键词：     

GaAs_(1-x)P_x中3d过渡金属杂质的电子结构

本文推广了Vogl等人的理论方法,将其用于对GaAs_(1-x)P_x中3d过渡金属杂质电子结构的研究。文中就不同的合金成份x,预言了不同3d杂质的受主能级、施主能级、局域电荷和自旋密度。理论预言与实验数据符合,并且揭示了它们的主要化学趋势。文中还就与理论和实验结果变化趋势有关的物理机制进行了讨论。     

Tc级数解的收敛性质

本文证明了,当|z_ph|c级数解的收敛圆是由奇点决定的,但是只要1/λ<[0.63+3μ⁺(1/Λ₁)] 1/(Λ₁),T_c级数解在收敛圆外仍然是个很好的渐近展开式,其中1/Λ₁=min(|z|,1);μ⁺(x)=(1-2μ^*x)μ^*。 关键词：     

Si中D3d对称性态密度分布和缺陷对电子结构

本文考虑了晶体中总的电子态密度在低对称性下用点群不可约表示基函数分解的问题,并给出了Si中用D_3d群不可约表示基函数分解最近邻两原子总态密度的计算结果。结合在位势近似Koster-Slater格林函数方法,文中将计算结果用于Si中双空位和硫属元素杂质对(S₂⁰,Se₂⁰和Te₂⁰)缺陷态电子结构的讨论。讨论得到的结果是:与点缺陷和缺陷对的深缺陷态对称性相匹配的部分态密度的分布是相似的;在态密度对缺陷能级的驱赶作用下,S₂⁰等的A^s能级在A^s能级之上,双空位的E_g能级在E_u能级之上,这种情况与通常双原子分子成反键能级位置完全相反;所讨论的缺陷对的波函数在Bloch空间的分布情况与对应的点缺陷类似。 关键词：     

Si中S0/Se0,S0/Te0和Se0/Te0对的电子结构

利用紧束缚近似下的格林函数方法,讨论了Si中硫属元素混对杂质(即S⁰/Se⁰,S⁰/Te⁰和Se⁰/Te⁰)基态的电子结构。混对杂质在Si禁带中引入两个A₁能级,其中成键性的A₁能级位置在反键性的A₁能级之上。数值计算得到的混对杂质能级与实验符合得相当好。理论分析表明,在Si中测到的那些未定的比最近邻混对杂质能级更浅的能级(S⁰/Se⁰(X₁),S⁰/Te⁰(X₁),Se⁰/Te⁰(X₁)…)不是由非最近邻位型的混对杂质引入的。本文还指出了一个极性分子放入Si晶体中,两个不同原子间s波函数的转移方向与通常极性分子相反,并讨论其物理原因。 关键词：