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| GaAs_(1-x)P_x中3d过渡金属杂质的电子结构 | |
| 引用本文： | 顾一鸣,黄明竹,汪克林.GaAs_(1-x)P_x中3d过渡金属杂质的电子结构[J].物理学报,1988(1). |
| 作者姓名： | 顾一鸣 黄明竹 汪克林 |
| 作者单位： | 中国科学技术大学物理系 (顾一鸣，黄明竹)，中国科学技术大学物理系(汪克林) |
| 摘 要： | 本文推广了Vogl等人的理论方法,将其用于对GaAs_(1-x)P_x中3d过渡金属杂质电子结构的研究。文中就不同的合金成份x,预言了不同3d杂质的受主能级、施主能级、局域电荷和自旋密度。理论预言与实验数据符合,并且揭示了它们的主要化学趋势。文中还就与理论和实验结果变化趋势有关的物理机制进行了讨论。 |
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