| 流体静压下AlAs合金化的GaAs中Cr~(2+)(3d~4)杂质态的理论研究 |
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| 引用本文： | 顾一鸣,黄明竹,汪克林.流体静压下AlAs合金化的GaAs中Cr~(2+)(3d~4)杂质态的理论研究[J].物理学报,1988(2). |
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| 作者姓名： | 顾一鸣 黄明竹 汪克林 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学物理系
(顾一鸣，黄明竹)，中国科学技术大学物理系(汪克林) |
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| 基金项目： | 中国科学院青年奖励研究基金 |
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| 摘 要： | 本文将一个自旋极化的紧束缚格林函数方法发展到用于流体静压和合金下GaAs:Cr~(2+)(3d~4)杂质态的研究。文中给出了GaAs:Cr~(2+)系统~5E激发态和~5T_2基态受主能级随压力和AlAs合金成份的变化趋势。理论证明了在一定的压力和Al成份下,~5E激发态将从导带底进入带隙,原在通常条件下观察不到的~5E→~5T_2发光就能被观察到。理论预言与实验结果符合得很好。理论还预言:当GaAs与GaP合金的时候,类似的发光过程也能在一定的合金成份下观察到,这一预言有待于实验证实。
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