Si中S0对、Se0对和Te0对的电子结构

利用紧束缚近似下的格林函数方法,讨论了Si中(S⁰)₂,(Se⁰)₂及(Te⁰)₂基态的能级和波函数。分析了几种不同的观点。(S⁰)₂,(Se⁰)₂及(Te⁰)₂均在禁带中引入一个对称性的A_1g能级和一个反对称性的A_2u能级,二者都是填满的。现有实验观测到的是较高的A_1g能级。从理论上指出了对称性的A_1g能级反而高于反对称性的能级的原因。而Si中(Se₂)⁺的g因子测量值和(S₂)⁺,(Se₂)⁺的ESR实验结果也支持本文的观点。 关键词：     

McMillan T_c公式的解析推导(Ⅱ) μ~*≠0情形

本文把文献[1]的理论以及所得到的T_c公式推广到μ≠0情形,得到 T_c=2r/πω_(log)·(ω_(log)/ω_c)~μ/(λ-μ)·exp{-(1 λ)/(λ-μ)}.nγ=C=0.5772是Euler常数。     

理想第二类超导薄膜的纵场临界电流

本文分析了一个在纵向磁场H_e中,载流的理想第二类超导薄膜(ξ(T)《d≤λ(T))的混合态结构。指出,只有当H_e>(H_c1)(d)时,超导膜的混合态才具有无阻负载电流的能力。本文得到的纵场临界电流曲线具有复杂的结构,并且一般均呈现峰值效应。Heaton及Rose-Innes测得的Nb₅₅Ta₄₅合金的I_c-H_e曲线和d>5λ时的理论曲线相比较,在主要特征上是相同的。 关键词：     

T_c—λ曲线

本文指出了,T_c-λ曲线是由性质完全不同的“McMillan区域”、“λ~(1.55)区域”和“级数解”三个部分组成的。     

McMillan Tc公式的解析推导(Ⅲ)

本文把作者在前面两篇文章导出的T_c公式推广成下面形式:T_c=αω_log(ω_log/ω_c)^{(μ*/(λ-μ*))exp{-(1+λ)/(λ-μ*)},并从线性Eliashberg方程出发,导出了计算α的方程组。α一般是λ和μ*的函数。在弱耦合极限下,由上述方程组解得,α=2γ/π,其中lnγ=C=0.5772是Euler常数。这个结果表明了,前面两篇文章得到的T_c公式在弱耦合极限下是正确的。作者进而在Einstein谱和μ*=0情形,用数值计算方法从定α的方程组算出当λ=0.23,0.25,0.38和0.48时,a的数值。结果表明,至少在0.23≤λ≤0.45区间中,α变化很小,近似等于1/1.30。此时,本文的T_c公式实际上就是Allen及Dynes修改后的经验的McMillan T_c公式。 关键词：}     

McMillan Tc公式的解析推导(Ⅰ)——μ*=0情形

作者在μ^*=0情形,从Eliashberg方程解析地导出如下的T_c公式:T_c=αω_logexp{-b((1+cλ)/λ)},式中α=2γ/π,b=c=1;Inγ=C=0.5772是Euler常数。这个T_c公式只有在T_c=0.36/α(k)以下才是正确的,α是个大于1并随材料而异的常数。我们推测,当T_c超过上述范围后,T_c公式的函数结构很可能不同于McMillan T_c公式,至少α,b和c等参量不再是些不依赖于材料的常数了。 关键词：     

关于一级近似T_c级数解的收敛问题

本文通过一个实例说明:μ~* =0时,一级近似T_c级数解的收敛半径既不是由z_(ph)=-integral from n=0 to (ω_(ph)) (dωg(ω)·ω＇/ω_(ph)~2-ω~2),也不是由z_(ph)=integral from n=0 to (ω_(ph)) (dωg(ω)ω~2/ω_(ph)~2 ω~2)决定的。     

非平衡情况Josephson电流的Harris奇点

本文用OS模型研究了当组成Josephson隧道结的一个超导膜处于非平衡态时,Josephson电流的Harris奇点的变化。 关键词：     

Tc级数解的收敛半径问题

本文从Eliashberg方程出发,证明了一个计算T_c级数解收敛半径1/Λ的公式。它和作者之一及其合作者在前一篇文章中猜测的公式实际上是相符的,从而肯定了他们建议的计算Λ的方法是正确的。 关键词：     

Tc—λ曲线

本文指出了,T_c-λ曲线是由性质完全不同的“McMillan区域”、“λ^1.55区域”和“级数解”三个部分组成的。 关键词：