不同切型BaTiO3晶体二波耦合特性研究

分析了光折变晶体的电光系数对二波耦合特性的影响,二波耦合能量转移方向不仅依赖于晶体中光生载流子的电荷符号以及入射光与晶体ｃ轴的相对取向,而且依赖于晶体光系数各分量的相对大小;这种特性别明显地表现在相向二波耦合作用中。     

GdxY1-xCa4O(BO3)3晶体非临界相位匹配波长的研究

根据YCa₄O(BO₃)₃(YCOB),GdCa₄O(BO₃)₃(GdCOB)的折射率拟合方程,分析了Gd_xY_1-xCOB可实现非临界相位匹配的波长范围.利用704-5型光参量放大器,测量了非临界相位匹配波长随组分x的变化关系. 关键词： xY_1-xCOB晶体')" href="#">Gd_xY_1-xCOB晶体 非临界相位匹配波长     

各向异性晶体波导的倍频理论和实验研究

在波导耦合理论基础上，根据平面波导和通道波导的具体结构，分别推导了二种波导的倍频转换效率表达式，讨论了各种因素对倍频效率的影响，并采用离子法制备掺氧化镁铌酸锂和钽酸锂波导，测试和分析了它们的倍频性能，讨论了比较了平面和通道波道的特点。     

掺Ce,Fe系列LiNbO3晶体光折变效应光存储特性

研究了系列Ce：Fe掺杂以及不同后处理态(生长态、还原态和氧化态)铌酸锂晶体的透过率光谱和光折变全息存储特性。实验结果表明单掺Ce铌酸锂晶体具有较好的图像存储质量和较宽的透过率光谱范围,二波耦合增益相对较低;高掺杂铌酸锂样品的透过率光谱范围较窄,光折变二波耦合增益较低。晶体的后处理对铌酸锂样品的光折变特性影响明显,双掺Ce:Fe还原态铌酸锂晶体具有较高的二波耦合增益;氧化态样品具有较大的透过率光谱范围;还原态样品具有较大的光折变二波耦合增益特性。实验结果还表明在同种样品中难于同时获得大的二波耦合增益和图像存储质量。     

GdCOB晶体非线性光学系数的完全标定及空间分布

实验确定了GdCOB晶体的全部非线性系数 ,并用不同切向的GdCOB晶体验证了由此决定的有效非线性系数的空间分布。实验表明 ,GdCOB晶体的有效非线性系数在θ=66 .8°,φ =132 .6°处具有最大值 ,为 1 68pm V。当长度为 6mm时 ,该切向晶体的倍频转换效率达到 48%。     

实现半导体激光倍频的有机新晶体——MHBA

一种半导体激光倍频有机新晶体3-甲氧基4-羟基苯甲醛(MHBA),采用溶液降温法已培养出70mm×40mm×15mm的大单晶,实现了对808—817nm的半导体激光倍频的紫光(404—408.5nm)输出,在809nm处,获得了连续功率为3μW的404.5nm的紫光输出。     

YVO4晶体的高效受激拉曼散射

报道了YVO4晶体在532 nm、30 ps脉冲下的的高效受激拉曼散射。采用腔外单次通过方式测量了不同长度YVO4晶体1阶斯托克斯受激拉曼散射的阈值,并得到该晶体的稳态增益系数为16.0±0.5 cm/GW。实验中观察到2阶斯托克斯线(558.6 nm5、87.8 nm)和1阶反斯托克斯线(508.0 nm),受激拉曼散射的整体转换效率高于50%。     

干涉法确定晶体压电坐标轴的正向

在测量晶体的压电系数时,首先要根据文献[1]的规定选定晶体的压电坐标系,同时还要确定实际晶体压电坐标轴的正向,方能测定晶体的压电系数及确定其正负号.为了准确、迅速地确定坐标轴的正向,我们利用晶体的反压电效应,采用干涉法进行了测量.这种方法迅速、准确、直观、且不破坏样品. 一、实验装置和测试原理 干涉法确定晶体压电坐标轴正向的实验装置如图1所示. 它的主体部分是一台泰曼干涉仪.将干涉仪分束后的一束光,通过一个45°反射镜垂直反射到干涉仪的台面上,在台面上装一样品台,样品台可通过调节微调螺丝在铅直方向上下移动.样品台上的…     

Absorption and Emission Properties of a New Two-photon Absorption Dye

1　Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　　Ｔｗｏ ｐｈｏｔｏｎａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ (ＴＰＡ )ｉｓａｎｉｍｐｏｒｔａｎｔｎｏｎｌｉｎｅａｒａｂｓｏｒｐｔｉｏｎｐｒｏｃｅｓｓｉｎｂｏｔｈｂａｓｉｃａｎｄａｐｐｌｉｅｄｒｅｓｅａｒｃｈｅｓ.Ｆｏｒｍａｎｙｙｅａｒｓ,ｄｕｅｔｏｔｈｅｒｅｌａｔｉｖｅｌｙｓｍａｌｌＴＰＡｃｒｏｓｓ ｓｅｃｔｉｏｎｓｏｆｍｏｓｔｍａｔｅｒｉａｌｓ,ｔｗｏ ｐｈｏｔｏｎｐｒｏｃｅｓｓｅｓｗｅｒｅｆｏｕｎｄｌｉｍｉｔｅｄａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ.Ｌａｔｅｌｙ ,ｇｒｅａｔｐｒｏｇｒｅｓｓｅｓｈａｖ…