纳米结构Zn_xFe_(3-x)O_4-α-Fe_2O_3多晶材料中的巨隧道磁电阻效应

在具有纳米绝缘层的多晶锌铁氧体体系中 ,当晶界为α Fe2 O3纳米量级 ( 6— 7nm)的绝缘层时 ,则构成 (ZnxFe3-xO4 ) α Fe2 O3非均匀体 ,高分辨电子显微镜已证实了这种微结构 ,该体系在 0 .5T磁场、4 .2K温度下 ,磁电阻效应可达12 80 % ,3 0 0℃下为 15 8% .     

Superconducting Single-Layer T-Graphene and Novel Synthesis Routes

Single-layer superconductors are ideal materials for fabricating superconducting nano devices.However,up to date,very few single-layer elemental superconductors have been predicted and especially no one has been successfully synthesized yet.Here,using crystal structure search techniques and ab initio calculations,we predict that a single-layer planar carbon sheet with 4-and 8-membered rings called T-graphene is a new intrinsic elemental superconductor with superconducting critical temperature(T_c)up to around 20.8 K.More importantly,we propose a synthesis route to obtain such a single-layer T-graphene,that is,a T-graphene potassium intercalation compound(C_4 K with P4/mmm symmetry)is firstly synthesized at high pressure(11.5 GPa)and then quenched to ambient condition;and finally,the single-layer T-graphene can be either exfoliated using the electrochemical method from the bulk C4 K,or peeled off from bulk T-graphite C4,where C4 can be obtained from C4 K by evaporating the K atoms.Interestingly,we find that the calculated T_c of C4 K is about 30.4 K at 0 GPa,which sets a new record for layered carbon-based superconductors.The present findings add a new class of carbon-based superconductors.In particular,once the single-layer T-graphene is synthesized,it can pave the way for fabricating superconducting devices together with other 2 D materials using the layer-by-layer growth techniques.     

共振价键模型中正常态电阻率的讨论

本文运用线性响应理论推导共振价键(RVB)模型中holon-spinon散射和holon-phonon散射导致的正常态电阻率公式。计算结果表明:holon-spinon散射电阻率若用ρ-T^α公式拟合,α在1.4—1.5之间随温度变化;而声子散射电阻率在很大温度范围呈现线性温度行为。 关键词：     

正常导体-超导体(n-s)多层薄膜系统的电子态

本文是文献[1—3]工作的继续,在前面工作中发展的方法被推广到讨论半无限n-s多层膜结构的电子态,构造这种系统的步骤如下:首先把一完整无限的晶体沿两个分开的原子平面切割开得一晶体薄膜,它可以是正常金属也可以是超导体;然后把薄膜A和B通过金属型接触形成一混合单元O;最后沿垂直于界面方向依次排上单元O构成一半无限多层膜结构,我们导出了上述每一步所对应的单位子格林函数,对两种不同正常金属组成的多层膜结构,给出了单粒子状态密度和能带的数值计算结果,当两种正常金属相同时,所得的公式结果与文献[7]等价,进而,对薄膜 关键词：     

微波电场下的热电子温差电势率

局域微波场的作用会在半导体样品中产生热电子的温度和化学势的梯度.本文推广运用非平衡统计算子的理论方法计算存在温度和化学势梯度的热电子系统的输运系数,得到了热电子质心动量和能量的平衡方程,导出了热电子温差电势率和热导率的表达式.数值计算表明,理论结果与微波场作用下的温差电动势随电场平均功率的实验测量值可以定量比较. 关键词：     

高度取向石墨的巨磁电阻效应

石墨是准二维半金属材料，然而在通常细晶粒、无取向的石墨中并没有发现很大的磁电阻效应.在高度取向的石墨中发现了巨大的正磁电阻效应，在8.15 T的外磁场中，4.2，300 K温度下的磁电阻分别高达85300%和4950%.生产这一巨磁电阻效应的机制除正常磁电阻效应外，可能源于磁场诱导的类金属-绝缘体的转变 关键词： 磁电阻效应 石墨     

金属双层膜中量子输运的表面和界面散射效应

运用格林函数的解析方法研究金属双层膜的电子输运.考虑了量子尺寸效应和来自杂质、粗糙表面和粗糙界面三方面的散射,计算单粒子格林函数和平行电导率,得到了金属双层膜的电导公式.计算结果表明,在薄膜极限和表面及界面散射的最低阶近似下,系统总电导率等于各子能级通道的电导率之和,而各子能级通道中杂质、表面和界面产生的散射率是可相加的. 关键词：     

SPIN-DEPENDENT INTERFACIAL TUNNELING AND MAGNETO RESISTANCE IN THE FAMILY OF GRANULAR PEROVSKITE La1-xSrxMnO*3

The magnetic transport properties in granular perovskite system La_1-xSr_xMnO^*₃ have been investigated. The spin-dependent inter facial tunneling and the corresponding giant magnetoresistance (GMR) effect have been observed in the whole temperature range below the Curie point T_c for the samp les with concentration x from 0.05 to 0.45. Theoretical analysis shows that the interfacial tunneling originates from the difference in magnetism between surfaces and cores, and the tunnel-type GMR stems from the field-induced change of interfacial magnetic order.     

铁磁超晶格的Monte Carlo计算

本文用 Monte carlo 方法计算铁磁 Ising 超晶格的磁化强度,磁化率随温度和薄膜厚度的变化关系.计算结果表明,除了在超晶格居里点有一连续相变外,在低温下磁化率还有一个异常峰,这一异常是界面邻近效应所致.     

金属薄膜的量子输运理论

运用格林函数方法和久保公式研究金属薄膜中的电子输运．考虑了量子尺寸效应及来自杂质和两个粗糙表面的散射，计算单粒子格林函数和平行电导率．计算结果表明：（1）在薄膜系统中，电子数密度、平均自由程以及来自杂质和表面散射的电导率都以π/k_F（k_F为费密波矢的数值）为周期随厚度d振荡；（2）在薄膜和厚膜的两种极限、以及取表面粗糙度的最低阶近似下的结果可以推出用半经典和量子方法所得的金属薄膜的电导公式 关键词：