基于Labview的脉冲漏磁检测系统的研究

研究了一种脉冲信号激励的漏磁检测系统;利用USB数据采集卡I/O口输出脉冲方波信号经过功率放大环节生成激励信号,通过数据采集卡触发采样功能实现检测信号的同步采样;基于Labview软件搭建了漏磁检测虚拟仪器平台,实现了漏磁检测信号的采集、调理、储存、回放和分析功能;通过实验对加工有宽度为2 mm深度分别为2 mm、5 mm、10 mm的3个裂纹缺陷的钢样本进行检测,应用霍尔传感器检测漏磁场信号;检测信号经过调理和采集,在电脑中实时显示漏磁信号随时间的变化波形;通过分析回放采样信号的峰值和峰值到达时间评估缺陷的位置和深度;实验结果表明缺陷深度越大采样信号的峰值越大,峰值到达时间越长。     

爆炸载荷下非透明介质断裂的焦散线实验方法

首次把焦散线实验方法应用于非透明介质在爆炸载荷作用下的断裂问题的研究.在采用DDGS-Ⅱ型多火花式高速摄影和反射式焦散线光路系统基础上,改进了镜面移植的试件加工方法,实现了较大面积的镜面移植;设计了可多角度调节的爆炸加载架,引进切槽控制爆破技术,满足了爆生裂纹穿过镜面区的要求和摄影记录测量要求.并应用该实验方法,进行了两种非透明介质(人造石和PVC)爆炸致裂的焦散线实验,得到爆生裂纹在人造石和PVC试件扩展过程中不同时刻的焦散线照片,分析了人造石试件中爆生裂纹的运动学和力学行为特征.爆炸加载反射式焦散线实验方法拓展了焦散线实验的应用范畴,为研究非透明介质的爆炸动态断裂问题提供了方法.     

O2、CO2和H2O在UN（001）表面化学吸附的密度泛函理论研究

采用广义梯度近似GGA,修正Perdew—Burke—Ernzerhof交换-关联泛函,以及周期性切片模型对O2、CO2和H2O在UN（001）表面的化学吸附行为进行非白旋极化水平的密度泛函理论计算．在四个对称性化学位置条件下,对化学吸附能与分子和UN（001）表面之间距离的关系曲线进行优化．结果表明O2、CO2和H2O分子的最稳定吸附位置分别为桥式平行、空心平行和桥式H向上,化学吸附能分别为14．127、4．421和5．736kJ／mol．从吸附物UN（001）表面角度考虑,O2与UN（001）表面之间的相互作用最高,然后为CO2和H2O,表明这些相互作用与吸附物的晶体结构相关．O2化学吸附导致UN（001）表面的N原子向基体内部迁移,而CO2和H2O化学吸附对UN（001）表面分别具有中等和忽略不计的效应．计算获得的态密度显示了化学吸附分子S、P轨道和U6d、U5f轨道之间的电子电荷转移行为．     

Bi2Sr2CaCu2O8单晶a-b平面热电势率的各向异性

测量了Bi₂Sr₂CaCu₂O₈单晶a方向的热电势率S_a和b方向的热电势率S_b与温度T的关系,发现在a-b平面内热电势率存在各向异性。认为S_a与S_b的差异来源于b方向的调制结构,并用扩散热电势率S_d,声子曳引热电势率S_g和相关跳跃热电势率S_h三种贡献,对实验结果进行了 关键词：     

缺陷介质切槽爆破断裂行为的动焦散线实验

利用数字激光动态焦散线实验系统,对含缺陷介质在切槽爆破和普通炮孔爆破中爆生裂纹的断裂行为进行对比研究。结果表明,切槽爆破中沿切槽方向起裂的主裂纹比非切槽方向早10 μs,有利于能量优先沿切槽方向释放;切槽方向主裂纹的起裂韧度为0.58 MN/m3/2,其裂纹扩展的平均速度为277 m/s,分别是普通爆破时主裂纹相应值的54%和86%;当切槽方向主裂纹与缺陷介质贯通后,为爆生气体提供了足够的膨胀空间,诱导爆生气体向预制裂纹两端释放,翼裂纹起裂以Ⅰ型拉伸破坏为主,并在裂纹扩展的60~250 μs内,Ⅰ型动态应力强度因子保持在0.6~0.8 MN/m3/2,形成了明显的平台,延缓了翼裂纹扩展速度的衰减,最终较普通炮孔翼裂纹扩展时间和扩展长度分别增加了22.7%和17.8%。     

O2、 CO2和H2O在UN(001)表面化学吸附的密度泛函理论研究

采用广义梯度近似GGA,修正Perdew-Burke-Ernzerhof交换-关联泛函,以及周期性切片模型对O₂、CO₂和H₂O在UN(001)表面的化学吸附行为进行非自旋极化水平的密度泛函理论计算. 在四个对称性化学位置条件下,对化学吸附能与分子和UN(001)表面之间距离的关系曲线进行优化. 结果表明O₂、CO₂和H₂O分子的最稳定吸附位置分别为桥式平行、空心平行和桥式H     

单原子在两个远红失谐光偶极阱中的转移

在光偶极阱中实现单个中性原子的囚禁及其操控在量子信息处理中具有重要的应用.为此在使用强聚焦远红失谐激光形成的光偶极阱囚禁单个中性铷原子后,通过一个空间可移动的光偶极阱从静止的光偶极阱上掠过,实现了将静止的光偶极阱中的单原子以94%的概率转移到可移动的光偶极阱中,并将该原子移动到焦平面上指定的位置.该实验对于实现光偶极阱阵列中任意两个原子的纠缠以及光偶极阱中原子外在自由度的操控等研究有着潜在的应用.     

Fast generation of W state via superadiabatic-based shortcut in circuit quantum electrodynamics

We propose a scheme to fast prepare the three-qubit W state via superadiabatic-based shortcuts in a circuit quantumelectrodynamics (circuit QED) system. We derive the effective Hamiltonian to suppress the unwanted transitions betweendifferent eigenstates by counterdiabatic driving, and obtain the W state with high-fidelity based on the superadiabaticpassage. The numerical simulation results demonstrate that the proposed scheme can accelerate the evolution, and is moreefficient than that with the adiabatic passage. In addition, the proposed scheme is robust to the decoherence caused by theresonator decay and qubit relaxation, and does not need additional parameters, which could be feasible in experiment.     

点击化学法合成PBA-b-PMMA环状嵌段共聚物的研究

利用点击化学(click)反应和原子转移自由基聚合(ATRP)相结合的方法,合成了聚(丙烯酸丁酯-b-甲基丙烯酸甲酯)(PBA-b-PMMA)环状嵌段聚合物.使用傅里叶红外光谱、核磁共振谱和凝胶渗透色谱对合成产物结构进行表征.利用热重分析和差示扫描量热法分析比较了PBA-b-PMMA环状嵌段聚合物与线性嵌段聚合物的热动力学性能,结果表明两者具有相近的玻璃化转变,而环状嵌段聚合物则表现出较高的热分解温度.透射电子显微镜观察分析发现环状嵌段聚合物呈现的微相结构与线性嵌段聚合物完全不同,环状嵌段聚合物的相分离呈现连续-分散相结构,分散相(PBA)形态类似于蠕虫状,相畴尺寸在纳米尺度;退火后,相畴尺寸也明显增加.     

V-doped MgAl6O10:novel luminescence substrate for phosphor-free UV-white LEDs

V-doped MgAl6O10 is grown by the conventional Czochralski method. The crystal structure and the cell parameters are analyzed through X-ray diffraction experiments. The absorption and emission spectra are investigated. Under pumping at 324 nm, the emission spectra of V-doped MgAl6O10 obtain two emission peaks at the wavelengths of 471 and 570 nm. Two emission bands of the spectra combine to produce a spectrum that is perceived as white by the naked eye. Therefore, V-doped MgAl6O10 single crystal can be applied as substrate for phosphor-free ultraviolet (UV)-white light-emitting diodes (LEDs).