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采用对非晶氧化硅薄膜退火处理方法,获得纳米晶硅与氧化硅的镶嵌结构.室温下观察到峰位为2.40eV光致发光.系统地研究了不同退火温度对薄膜的Raman谱、光荧光谱及光电子谱的影响.结果表明,荧光谱可分成两个不随温度变化的峰位为1.86和2.30eV的发光带.Si2p能级光电子谱表明与发光强度一样Si4+强度随退火温度增加而增加.Si平均晶粒大小为4.1—8.0nm,不能用量子限制模型解释蓝绿光的发射.纳米晶硅与SiO2界面或SiO2中与氧有关的缺陷可能是蓝绿光发射的主要原因
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