基于平面波展开法的二维光子晶体表面模式研究

采用平面波展开法研究了四种二维光子晶体结构(圆柱介质柱四方晶格、圆柱介质柱三角晶格、正方介质柱四方晶格、正方介质柱三角晶格)的带隙宽度随介质柱尺寸变化的关系.使用平面波展开法计算常规晶格和表面缺陷晶格的模式并进行结果叠加,研究了各结构的二维光子晶体在带隙宽度最大时的表面模式.结果表明,同种晶格的光子晶体带隙宽度随着介质柱的尺寸增大呈先增后减趋势,存在最大值.随着表面介质柱尺寸的增加,四种晶格表面模式曲线均呈下降趋势.四方晶格光子晶体与三角晶格相比,表面介质柱尺寸的变化范围更大,但能获取表面模式频率范围较小.     

可降解聚乙交酯-丙交酯缓释微球用于甲状旁腺相关肽的持续释放

采用水包油包水(W1/O/W2)复乳溶剂挥发法制备了包载甲状旁腺激素相关肽(PTHrP)的聚乙交酯-丙交酯(PLGA)微球,通过核磁,红外,GPC,扫描电子显微镜等观察PLGA载药微球的结构,表明载药微球具有良好的球形结构,其平均粒径约为8μm.而体外模拟释放表明,此PLGA载药微球能实现PTHrP1-34长达25天的持续释放.并通过MTT法、碱性磷酸酶活性测定等检测负载PTHrP1-34的PLGA微球缓释系统对小鼠成骨细胞MC3T3-E1增殖及分化的影响,结果表明PTHrP1-34浓度为1×10-9mol/L时对MC3T3-E1增殖促进效应最大,且随着药物作用时间的延长,缓释系统促进细胞增殖、分化的作用越明显.     

对一道调考题的解法探究

题目2009年武汉市二月调考数学试题第19题(理)已知椭圆P的中心在原点O,焦点在x轴上,直线l:x+3y-3=0与P交于A、B两点,|AB|=2且∠AOB=π2·(1)求椭圆P的方程;(2)若M、N是椭圆P上两点,满足OM·ON=0,求|MN|的最小值.解法1(命题人给出的参考答案)(1)设直线l:x+3y=3与椭圆x2a2+by22=1(a>b>0)交于A(x1,y1),B(x2,y2).由∠AOB=2πx1x2+y1y2=0.而x1=3(1-y1),x2=3(1-y2),代入上式得4y1y2-3(y1+y2)+3=0,①而|AB|=21+k12|y1-y2|=2|y1-y2|=2·不妨设y2>y1,则y2=y1+1,②由①②解得y1=0,y2=1,或y1=21,y2=23,所以A(23,12),B(-23,32)或A(3,0),B(0,1)·若A(23,12),B(-23,23)代入椭圆方程无解,故舍去;若A(3,0),B(0,1),则椭圆方程为x32+y2=1·(2)∵M、N是椭圆x32+y2=1上的点,且OM⊥ON,故设M(r1cosθ,r2sinθ),N(-r2sinθ,r2cosθ)·于是r12...     

一道联考试题的解法探究——记加强不等式在解题中的运用

题目(2010年湖北省六市高三联考理科第21题)设数列{an}满足:a1=1,an+1=1/16(1+4an+√1+24an)(n∈N*). (1)求a2,a3; (2)令bn=√1+24an,求数列{bn}的通项公式; (3)已知f(n)=6an+1-3an,求证:f(1)·f(2)·...·f(n)>1/2. 解 (1),(2)略.     

温度对霍尔位移传感器静态特性的影响

在不同环境温度下,对霍尔位移传感器的静态特性进行了测试.结果表明,随着环境温度的变化,霍尔传感器的静态特性差异明显,从理论上分析了产生差异的原因.并对其应用实例进行了说明.     

An improved design for Al Ga N solar-blind avalanche photodiodes with enhanced avalanche ionization

To enhance the avalanche ionization, we designed a new separate absorption and multiplication AlGaN solarblind avalanche photodiode(APD) by using a high/low-Al-content AlGaN heterostructure as the multiplication region instead of the conventional AlGaN homogeneous layer. The calculated results show that the designed APD with Al_(0.3)Ga_(0.7)N/Al_(0.45)Ga_(0.55)N heterostructure multiplication region exhibits a 60% higher gain than the conventional APD and a smaller avalanche breakdown voltage due to the use of the low-Al-content Al_(0.3)Ga_(0.7)N which has about a six times higher hole ionization coefficient than the high-Al-content Al_(0.45)Ga_(0.55)N. Meanwhile, the designed APD still remains a good solar-blind characteristic by introducing a quarter-wave AlGaN/AlN distributed Bragg reflectors structure at the bottom of the device.     

Structural characterization of indium-rich nanoprecipitate in InGaN V-pits formed by annealing

InGaN layers capped with GaN were annealed at 550℃ for 1 hour. During annealing, cracks appeared and dissolved In GaN penetrated through the microcracks into the V-pits to form indium-rich nanoprecipitates. Some precipitates, in-situ annealed under nitrogen ion irradiation by MBE, were confirmed to be cubic GaN on the tops of precipitates, formed by nitriding the pre-existing Ga droplets under nitrogen ions irradiation.     

基于局部和全局信息的自适应水平集图像分割

针对仅采用局部或全局信息无法快速准确分割灰度不均匀图像的问题,提出了一种基于局部和全局信息的自适应水平集图像分割模型。首先,利用图像局部信息和全局信息建立局部能量项和全局能量项,并且利用演化曲线轮廓内外小邻域的灰度均值差作为自变量,建立了权重函数模型,实现了局部能量项和全局能量项之间权重的自适应调整,提高了模型分割灰度不均匀图像的效率和准确性。其次,提出了一种新的能量惩罚项,避免了水平集函数的重新初始化,增强了数值计算的稳定性。最后,为验证模型的优越性,将模型与CV模型、LBF模型和LGIF模型进行了对比,并通过分割时间、迭代次数以及相似度等指标对分割结果进行了客观、定量分析。最终结果表明:该模型不但对初始轮廓具有较高鲁棒性,而且对灰度不均匀图像具有较高的分割准确性与分割效率。     

Al2O3吸附[Cu(H2O)6]2+基团的自旋哈密顿参量和四角畸变

采用微扰方法和对角化完全能量矩阵法计算了Al₂O₃粉末吸附的四角对称[Cu(H₂O)₆]²⁺基团的自旋哈密顿参量（g因子g∥,g_⊥和超精细结构常数A_∥和A_⊥）. 计算结果表明用这两种理论方法计算的自旋哈密顿参量很接近,并且都与实验结果比较一致. 表明这2种方法都可用于晶体中3d9离子基团的自旋哈密顿参量的研究,通过计算,我们还获得了[Cu(H₂O)₆]²⁺基团四角畸变的大小,并对结果进行了讨论.