Photoinduced Intramolecular Charge Transfer in Donor-acceptor Dyad and Donor-bridge-acceptor Triad

在fullerene-PBTDP-TPA三体体系中的光诱导的分子内电荷转移的实验基础上,分别利用密度泛函理论和含时密度泛函理论以及结合二维、三维实空分析方法对fullerene、PBTDP-TPA二体以及fullerene-PBTDP-TPA三体的基态和激发态的性质进行了理论研究．二维定点表象揭示了激发情况下电子和空穴的相干情况．三维跃迁矩阵展示了跃迁偶极矩的方向和强度,而且三维电荷差密度给出了光诱导的分子内电荷转移的方向和结果．同时,用二维和三维表象的方法对fullerene-PBTDP-TPA三体中光诱导的分子内电荷转移过程进行了验证,揭示了在给予者-桥-接收者三体分子体系中分子内激发时电荷转移的机制．除此之外,还发现直接从给予者到接收者超交换的分子内电荷转移极大地促进了给予者-桥-接收者三体分子体系内的电荷转移．     

NMR evidence of charge fluctuations in multiferroic CuBr_2

We report combined magnetic susceptibility, dielectric constant, nuclear quadruple resonance(NQR), and zero-field nuclear magnetic resonance(NMR) measurements on single crystals of multiferroics CuBr_2. High quality of the sample is demonstrated by the sharp magnetic and magnetic-driven ferroelectric transition at T_N= T_C≈ 74 K. The zero-field ~(79)Br and ~(81)Br NMR are resolved below T_N. The spin-lattice relaxation rates reveal charge fluctuations when cooled below 60 K.Evidences of an increase of NMR linewidth, a reduction of dielectric constant, and an increase of magnetic susceptibility are also seen at low temperatures. These data suggest an emergent instability which competes with the spiral magnetic ordering and the ferroelectricity. Candidate mechanisms are discussed based on the quasi-one-dimensional nature of the magnetic system.     

含芴酮的低聚物的激发态特征研究

采用量子化学计算方法和跃迁密度及电荷差分密度分析方法对含芴酮的低聚物激发态性质进行理论研究。计算得到的跃迁能和振子强度与实验数据一致。跃迁密度分析显示跃迁偶极矩的大小和方向,电荷差分密度分析揭示了分子间电荷转移的方向和结果。研究表明含芴酮的低聚物在光诱导下产生的第一激发态为分子内电荷转移激发态,而第五激发态为局域激发态。跃迁密度矩阵分析和电荷差分密度的理论分析结果易于理解含芴酮低聚物的激发态特性。     

MgF2改性Alq3纳米复合材料的制备及其对OLED抗老化性能的提高

提高有机电致发光器件(OLED)的稳定性和寿命是其市场化应用中需要解决的关键问题.本文从提高发光材料自身的稳定性出发,以Mg(CF₃COO)_2-x(CH₃COO)_x溶胶为前驱体,将其与8-羟基喹啉铝(Alq₃)混合浓缩成糊状后, 300 ℃真空烧结,经过MgF₂的生成和Alq₃的相变后,形成了一系列Mg含量不同的具有超结构ε相的纳米复合材料Alq₃-MgF₂.研究结果表明,相比于纯Alq₃, Alq₃-MgF₂纳米复合材料制备的OLED可以很好地保持Alq₃的发光特性,同时,其抗老化性能得到显著提高.特别是, Mg(CH₃COO)₂投料量为Alq₃的5% (摩尔分数)时,所得Alq₃-MgF₂纳米复合材料制备的器件抗老化性能最优,在空气中老化72 h,最大发光亮度仍保持在起始值的93.5%;而Alq₃制备的OLED在空气中老化24 h后基本失活.     

一种基于耗散能计算的高周疲劳参数预测方法

在热力学框架下,基于薄板假设,建立金属材料薄板试样在高周疲劳载荷作用下的热传导方程,将试样温度场数据和实时载荷信号导入,准确计算与高周疲劳损伤相关的单个循环内耗散能. 基于该方法,以316L不锈钢材料为例,通过实时监测试样不同应力水平下高周疲劳破坏全过程中耗散能的变化,拟合出耗散能-疲劳寿命曲线,呈现与传统的应力-疲劳寿命曲线相同的规律;提出一种新的预测高周疲劳极限的能量法,确定的疲劳极限与实验值相近.     

理想磁流体中激波与矩形密度界面相互作用的数值研究

发展一套采用三阶WENO格式和混合GLM方法的理想磁流体数值方法,并对激波与矩形密度界面相互作用进行数值研究.通过圆极化阿尔芬波和旋转激波管问题对数值方法的稳定性和可靠性进行验证.在入射激波马赫数为10,界面内外气体密度比为10的情况,对比不同磁场中矩形密度界面的演变过程.结果表明,磁场能够减少界面上涡量的生成从而抑制界面不稳定性,并且磁场对界面的加速过程以及界面内外气体混合率有影响;而界面的存在将会使波后部分区域磁场增强;由于尖角的存在,矩形界面的发展与圆形界面不同.     

碳化硅邻晶面外延生长机制的动力学蒙特卡罗模拟

用动力学蒙特卡罗方法研究了3C-SiC(111)邻晶面的外延生长机制.生长温度、沉积速率和平台宽度对邻晶面外延生长模式有着重要的影响.模拟结果显示:在温度较低的情况下,晶体表面离散的分布着数量众多的晶核,其生长模式为二维岛核生长模式.当生长温度升高时,岛核主要分布于台阶边缘,晶体生长方式则转变为台阶推进与岛核成长共生的生长模式.其次,在沉积速率较低时,晶体主要生长方式为台阶推进模式,随着沉积速率增加,晶体生长模式则转变为二维岛核生长模式.最后,岛核密度随平台宽度的增加而增加,在较低温度下,平台宽度对岛核密度的影响更加明显.     

单液滴正碰球面动态行为特性实验研究

在考虑空气阻力影响,确定液滴撞击球面速度的基础上,对较高韦伯数液滴撞击干燥球面动态行为过程进行了实验研究,分析了球面曲率与韦伯数对液滴撞击行为和铺展因子的影响,并与前人撞击平面结果进行了对比.实验表明,靠近撞击球面时,液滴降落速度出现明显波动;球面曲率对液滴撞击后行为影响明显,曲率较大时,液滴撞击后铺展液膜会超出球面直径并滑落,曲率较小时,液滴撞击后在球面上呈现明显的铺展、回缩、震荡、着附动态变化行为,此时最大铺展因子受曲率影响小,随曲率减小,逐渐趋向于撞击平面时的最大铺展因子;韦伯数对液膜铺展速率影响较小,但对液膜回缩时间影响明显,最大铺展因子随韦伯数增加逐渐增大,获得的关联式呈指数变化.     

Ionic-Liquid-Gating Induced Protonation and Superconductivity in FeSe,FeSe_(0.93)S_(0.07), ZrNCl, 1T-TaS_2 and Bi_2Se_3

We report protonation in several compounds by an ionic-liquid-gating method, under optimized gating conditions.This leads to single superconducting phases for several compounds. Non-volatility of protons allows post-gating magnetization and transport measurements. The superconducting transition temperature T_c is enhanced to 43.5 K for FeSe_(0.93)S_(0.07), and 41 K for Fe Se after protonation. Superconducting transitions with T_c～15 K for ZrNCl,～7.2 K for 1-TaS_2, and ～3.8 K for Bi_2Se_3 are induced after protonation. Electric transport in protonated FeSe_(0.93)S_(0.07) confirms high-temperature superconductivity. Our~1 H nuclear magnetic resonance(NMR)measurements on protonated Fe Se_(1-x)S_x reveal enhanced spin-lattice relaxation rate 1/~1T_1 with increasing x,which is consistent with the LDA calculations that H~+ is located in the interstitial sites close to the anions.