第11届国际X射线吸收精细结构会议（XAFS11）简讯

20 0 0年 7月 2 6日至 31日 ,第 11届国际Ｘ射线吸收精细结构会议 (ＸＡＦＳ11)在日本Ａｋｏ隆重举行 ,来自世界各地的与会专家和学者将近 4 0 0人 .会议期间介绍并交流了ＸＡＦＳ研究的最新成果和进展 ,明确了ＸＡＦＳ领域今后的发展趋势和方向 .为期 6天的会议取得了圆满成功 .这次会议的主要参加国家有日本 ( 197人 )、美国 ( 4 3人 )、德国 ( 2 6人 )、法国 ( 19人 )、中国 ( 18人 ,其中台湾 7人 )、俄罗斯 ( 14人 )、韩国 ( 10人 )、意大利 ( 8人 )、印度 ( 8人 )、瑞典 ( 7人 )、英国 ( 7人 ) .会议交流论文总数为 514篇 ,其中大会报…     

CH3CSNH2钝化对铁磁金属与GaAs界面扩散的影响

通过实验对比,研究了CH₃CSNH₂钝化对铁磁金属与GaAs界面处As扩散行为的影响.发现S钝化处理改变了表面As元素的化学环境,减弱了As元素向铁磁金属外延层中的扩散现象,削弱了As与铁磁金属的反应,形成了较窄的反应层,并且改善了界面磁性.初步探讨了S钝化影响As扩散的原因. 关键词： S钝化 半导体界面 电子结构 磁性     

CH_3CSNH_2钝化对铁磁金属与GaAs界面扩散的影响

通过实验对比 ,研究了CH3CSNH2 钝化对铁磁金属与GaAs界面处As扩散行为的影响 .发现S钝化处理改变了表面As元素的化学环境 ,减弱了As元素向铁磁金属外延层中的扩散现象 ,削弱了As与铁磁金属的反应 ,形成了较窄的反应层 ,并且改善了界面磁性 .初步探讨了S钝化影响As扩散的原因 .     

STUDY OF IRON OVERLAYER ON SULPHUR PASSIVATED GaAs(100) BY SYNCHROTRON RADIATION PHOTOEMISSION

We have studied the interface electronic structures and the chemical reaction of the Fe overlayer deposited on S-passivated GaAs(100). The chemical bond and electronic structure are different from Fe/GaAs, and the reaction between As and Fe is weakened by S atoms. This is beneficial to the magnetism in the interface. In the first stage of deposition, Fe clusters is form near S atoms due to the large electronegativity of S. The S atoms remain at the interface with Fe coverage. Magnetic ordering feature is found at a coverage higher than 0.6 nm. According to the large exchange splitting in valence band spectra, we suggest that Fe phase transition from bcc to fcc occurs with increasing coverage.     

X-Ray Magnetic Circular Dichroism Measurement of Fe-Co Alloy Films Prepared by Electrodeposition

The macro- and micro-magnetic properties of Fe-Co alloy films eletrodeposited on CaAs（100） are studied by synchrotron radiation x-ray magnetic circular dichroism （XMCD） in combination with the magneto-optical Kerr effect （MOKE） measurements and magnetic force microscopy （MFM）. The orbital and spin magnetic moments of each element in the Fe-Co alloy are determined by the sum rules of XMCD. Element-specific hysteresis loops （ESHL） are obtained by recording the La MCD signals as a function of applied magnetic field. MOKE results reveal that the amorphous films are magnetically isotropic in the surface plane. The MFM image shows that the dimension of the magnetic domains is about 1-2 #m, which is much larger than that of the grains, indicating that there are intergranular correlations among these grains. Both ESHL and MOKE hysteresis loops indicate the strong ferromagnetic coupling of Fe and Co in the alloy films.     

苯并咪唑苝与金属Ag的界面电子结构研究

利用同步辐射光电子能谱实验技术考察了苯并咪唑苝(BZP)和Ag的界面形成过程与电子结构.单层覆盖度以下时，BZP分子与Ag有弱相互作用，在有机分子禁带中出现明显界面反应态，结合能位于0.9eV.单层铺满后，BZP分子呈现三维岛式生长，且与Ag的相互作用逐渐减弱，同时最高占据分子轨道由于终态效应逐渐向高结合能方向位移至体相结合能位置(2.3eV). Ag衬底上BZP分子的生长导致样品表面功函数减小，表明形成了表面偶极势(Δ=0.3eV)，且电子从有机分子向金属Ag偏移.最后，考察了BZP/Ag 关键词： 有机-金属界面 电子结构 光电子能谱 同步辐射     

Fe/ZnO(0001)界面的同步辐射光电子能谱研究

利用同步辐射光电子能谱研究了Fe/ZnO生长模式、界面化学反应和电子结构.结果表明，Fe在ZnO(0001)表面以类SK模式生长(单层加岛状生长).当沉积约2?的Fe后，生长模式开始从二维层状生长转变成混合模式生长.界面价带谱和Fe3p芯能级谱的分析表明，在低覆盖度下，约有一个原子层(约1.5?)的Fe被ZnO(0001)面的外层O原子氧化，随着沉积厚度的增加，金属态Fe的信号逐渐增强.当吸附了5.1?的Fe时，出现了较强的金属Fe的Fermi边，说明出现了Fe的金属态.此外，在Fe原子吸附过程中，样品功函数在Fe厚度为0.2?时达到最小值4.5eV，偶极层形成后逐渐稳定在4.9eV.     

添加碱土金属化合物对CeO2甲烷氧化偶联催化性能的影响

天然气中甲烷的利用,特别是氧化偶联(OCM)制乙烯过程近年来成为多相催化研究的热点之一.自从1982年Keller和Bhasin提出该课题以来许多学者已进行了大量催化剂的研制工作.尽管在这方面已取得重要进展,但催化剂的性能距工业化要求还有较大差距.     

Synthesis and Characterization of SnO2 One-dimensional Nanostructures

Single-crystalline SnO2 nanowires have been successfully prepared in large scale on Au-coated silicon substrate by heating the mixture of self-made high-purity SnO2 powders and graphite powders at 900℃. Besides the line type nanowires some more features were observed. The products were characterized by means of X-ray diffraction (XRD), field emission scanning electron microscopy (FE-SEM), transmission electron microscopy (TEM), high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM), selected area electron diffraction (SAED) and Raman spectrum techniques. The results indicate that the tin dioxide nanowires have a rutile structure with diameters ranging from 30 to 120 nm and lengths up to several tens of micrometers. The possible mechanism of the growth and reaction for the nanowires was also discussed.     

反光电发射谱技术及其应用

本文介绍了反光电发射谱技术的基本原理,实验设备和实验方法,并详细综述了这种技术在表面科学,磁性材料,强关联复杂系统和高分子聚合材料等方面最新的研究进展。