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采用直流脉冲磁控溅射方法,在室温下生长氢化Ga掺杂ZnO薄膜(GZO/H),并通过湿法后腐蚀技术获得绒面结构.研究了室温下H2流量对薄膜结构、光电性能及表面形貌的影响.实验表明,氢化GZO(GZO/H)薄膜具有良好的(002)晶面择优取向生长,引入适当流量的H2可以有效提高薄膜的电学特性,GZO/H薄膜具有更低的电阻率以及较高的迁移率和载流子浓度.当通入H2流量为6 sccm时,薄膜电阻率为6.8 ×10-4 Ω·cm,Hall迁移率达34.2 cm2/Ⅴ·s,制备的GZO/H薄膜可见光区域平均透过率优于85;.此外,研究了H2流量对湿法腐蚀后绒面GZO/H薄膜表面形貌的影响,提出了一种薄膜绒面结构形成过程模型. 相似文献
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Research on the boron contamination at the p/i interface of microcrystalline silicon solar cells deposited in a single PECVD chamber 下载免费PDF全文
This paper studies boron contamination at the interface between the
p and i layers of μ c-Si:H solar cells deposited in a
single-chamber PECVD system. The boron depth profile in the i layer
was measured by Secondary Ion Mass Spectroscopy. It is found that
the mixed-phase μ c-Si:H materials with 40% crystalline
volume fraction is easy to be affected by the residual boron in the
reactor. The experimental results showed that a 500-nm thick μ
c-Si:H covering layer or a 30-seconds of hydrogen plasma treatment
can effectively reduce the boron contamination at the p/i interface.
However, from viewpoint of cost reduction, the hydrogen plasma
treatment is desirable for solar cell manufacture because the
substrate is not moved during the hydrogen plasma treatment. 相似文献
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本文研究了薄膜厚度对MOCVD技术制备未掺杂ZnO薄膜的微观结构和电学特性影响.XRD和SEM的研究结果表明,随着薄膜厚度的增加,ZnO薄膜(110)峰趋于择优取向,且晶粒逐渐长大,薄膜从球状和细长棒状演变为具有类金字塔绒面结构特征的ZnO薄膜;Hall测量表明,较厚的ZnO薄膜有助于提高薄膜电学特性,可归于晶粒长大和晶体质量提高.40min沉积时间(膜厚为1250nm)制备出的ZnO薄膜具有明显绒面结构,其晶粒尺寸为300~500nm,电阻率为7.9×10-3Ω·cm,迁移率为26.8cm2/Vs. 相似文献
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聚乙烯醇/纳米羟基磷灰石复合水凝胶的接触变形与启动摩擦特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
选用高分子聚乙烯醇(PVA)和纳米羟基磷灰石(HA)为原料,采用反复冷冻-融化法制备PVA/HA复合水凝胶,在超高精度三维轮廓仪、光学显微镜和S-3000N型扫描电子显微镜上观察PVA/HA复合水凝胶的微观组织形貌,用精密位移传感器对PVA/HA复合水凝胶的接触变形特性进行测量,采用UMT-II型微摩擦磨损试验机评价PVA/HA复合水凝胶的启动摩擦特性.结果表明:PVA/HA复合水凝胶与天然骨组织具有相似的交联网状微观结构,表现出良好的黏弹性;PVA/HA复合水凝胶在滑动过程中的法向位移变化所对应的时间以及启动摩擦系数与接触时间呈现出先减小而后增大的趋势,在相同接触时间下,天然软骨的启动摩擦系数及其对应的滑行时间均比PVA/HA复合水凝胶小;而PVA/HA复合水凝胶的启动摩擦系数与滑动速率无明显的关联性;试样之间法向位移的转折点及其所对应的滑行时间均随滑动速率的增大而减小,这与天然软骨的试验结果基本一致. 相似文献
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钢丝的微动磨损及其对疲劳断裂行为的影响研究 总被引:3,自引:5,他引:3
采用自制的钢丝微动磨损试验机考察了钢丝的微动摩擦磨损性能,随后将经过一定时间微动磨损试验后的钢丝试样在液压伺服疲劳试验机上进行拉一拉疲劳试验,进而探讨了微动摩擦系数和微动磨损深度随微动磨损试验时间和接触载荷的变化关系;并利用扫描电子显微镜分析了试样磨痕和磨屑的表面形貌.结果表明,在较大的微动振幅下,钢丝的微动摩擦系数变化幅度不大,微动磨损深度随微动磨损试验时间和接触载荷的增加而增大;微动磨损试验后钢丝试样的疲劳寿命同磨损深度成反比关系;可以将疲劳断口划分为4个区域,其同钢丝试样的疲劳断裂过程相对应. 相似文献
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实验采用脉冲磁控溅射法制备铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜.为了进一步提高AZO薄膜的光电性能,在溅射过程中加入一定流量的氢气,以高纯ZnO ∶Al2O3陶瓷靶为溅射靶材,制备AZO/H透明导电薄膜.通过测试薄膜的结构特性、表面形貌及其光电性能,详细地研究了氢气流量对AZO薄膜性能的影响.溅射过程中引入氢气,可以促进薄膜的晶化,提高薄膜的迁移率和透过率(400—1100 nm).采用纯氩气溅射制备AZO薄膜的电阻率为5.664×10-4 Ω·cm
关键词:
氧化锌
氢气流量
磁控溅射
太阳电池 相似文献
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Influence of the total gas flow rate on high rate growth microcrystalline silicon films and solar cells 下载免费PDF全文
This paper reports that high-rate-deposition of microcrystalline
silicon solar cells was performed by very-high-frequency
plasma-enhanced chemical vapor deposition. These solar cells, whose
intrinsic μ c-Si:H layers were prepared by using a different total gas
flow rate (Ftotal), behave much differently in performance,
although their intrinsic layers have similar crystalline volume
fraction, opto-electronic properties and a deposition rate of ~
1.0~nm/s. The influence of Ftotal on the micro-structural
properties was analyzed by Raman and Fourier transformed infrared
measurements. The results showed that the vertical uniformity and
the compact degree of μ c-Si:H thin films were improved with
increasing Ftotal. The variation of the microstructure was
regarded as the main reason for the difference of the J--V
parameters. Combined with optical emission spectroscopy, we
found that the gas temperature plays an important role in
determining the microstructure of thin films. With Ftotal
of 300~sccm, a conversion efficiency of 8.11% has been obtained
for the intrinsic layer deposited at 8.5~\AA/s (1~\AA=0.1\,nm). 相似文献
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最近,旋涂法制备的钙钛矿/平面硅异质结高效叠层太阳电池引起人们广泛关注,主要原因是相比于绒面硅衬底制备的钙钛矿/硅叠层太阳电池,其制备工艺简单、制备成本低且效率高.对于平面a-Si:H/c-Si异质结电池, a-Si:H/c-Si界面的良好钝化是获得高转换效率的关键,进而决定了钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池的性能.本文主要从硅片表面处理、a-Si:H钝化层和P型发射极等方面展开研究,通过对硅片表面的氢氟酸(HF)浸泡时间和氢等离子体预处理气体流量、a-Si:H钝化层沉积参数、钝化层与P型发射极(I/P)界面富氢等离子体处理的综合调控,获得了相应的优化工艺参数.对比研究了p-a-Si:H和p-nc-Si:H两种缓冲层材料对I/P界面的影响,其中高电导、宽带隙的p-nc-Si:H缓冲层既能够降低I/P界面的缺陷态,又可以增强P型发射层的暗电导率,提高了前表面场效应钝化效果.通过上述优化,制备出最佳的P-type emitter layer/aSi:H(i)/c-Si/a-Si:H(i)/N-type layer (inip)结构样品的少子寿命与implied-Voc分别达到2855μs和709 mV,表现出良好的钝化效果.应用于平面a-Si:H/c-Si异质结太阳电池,转换效率达到18.76%,其中开路电压达到681.5 mV,相对于未优化的电池提升了34.3 mV.将上述平面a-Si:H/c-Si异质结太阳电池作为底电池,对应的钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池的开路电压达到1780 mV,转换效率达到21.24%,证明了上述工艺优化能够有效地改善叠层太阳电池中的硅异质结底电池的钝化及电池性能. 相似文献