交流磁场振幅和频率对J_c不均匀超导体谐波的影响

本文采用Jc不均匀超导体模型来研究多晶超导体的磁性质,运用非线性磁通蠕动模型,通过数值模拟得到交流磁化率基波及谐波随温度的变化关系.系统分析了交流磁场振幅和频率改变对Jc不均匀超导体交流磁化率基波及谐波的影响.结果表明,交流磁场振幅和频率的变化对交流磁化率的影响存在显著差异,并归因为交流磁场振幅和频率的改变引起的磁弛豫时间的改变不同所致.上述结果为分析Jc不均匀超导体交流磁化率的实验现象提供了相关依据.     

类钙钛矿化合物Ca（Mn2Cu1）Mn4O12的磁性与磁电阻效应

利用固相反应法制备了名义成分为Ca(Mn2Cu1)Mn4O12的类钙钛矿锰氧化物.x射线衍射表明，为了获得较为致密的样品和减小杂相含量，可以采用高温烧结再在1073K长时间空气中退火的制备方法.样品在低温下同时存在铁磁相和反铁磁相，由于反铁磁相的存在导致样品在4.5K时的磁化强度显著降低，并在8T的高磁场下仍未达到饱和.样品呈半导体导电性质，在85K和6T磁场下磁电阻比的最大值可达-46%. 关键词： ［AC3］(B4)O12类钙钛矿锰氧化物 庞磁电阻效应 铁磁性 反铁磁性     

FT-Raman光谱研究溶菌酶在氘代甲醇溶液中的构象变化

用ＦＴ－Ｒａｍａｎ光谱研究了在不同浓度的氘代甲醇－重水溶液中溶菌酶的构象。结果表明,随着氘代甲醇浓度的增加,溶菌酶结构逐渐松散,并形成凝胶。松散β－折叠结构增多是产生凝胶的原因。     

TiO2负载Cu-Mn复合氧化物催化燃烧正己醛

通过调控Cu负载量及Cu/Mn原子比,探究其对TiO₂负载Cu-Mn复合氧化物(Cu_xMn_y/TiO₂)催化材料中活性组分间相互作用的影响,结果表明,铜负载量为15% (w,质量分数)和Cu/Mn原子比为1 : 1时有利于类铜锰尖晶石相Cu_1.5Mn_1.5O₄的形成,随着Cu负载量的增加促使氧物种从晶格氧向表面吸附氧转移。复合催化材料中铜负载量的变化及Cu/Mn原子比对活性组分和催化活性间的相互作用影响显著。结果发现Cu₁₅Mn₁₅/TiO₂在225 ℃时使正己醛转化率达到90% (T₉₀),材料良好的性能归因于其具有较高的Cu²⁺与O_ads含量,并可与Mn²⁺实现双还原氧化过程。结果表明,Cu₁₅Mn₁₅/TiO₂复合材料中的类铜锰尖晶石活性组分可完成redox循环,以保持催化材料较高的稳定性。     

铁基离子液体/NHD吸收氧化H2S的反应动力学

以铁基离子液体(Fe-IL) /聚乙二醇二甲醚(NHD)为脱硫体系, 通过静态吸收反应装置研究了共溶体系吸收氧化H₂S的动力学过程. 结果表明, 纯Fe-IL脱硫体系的动力学方程可表示为r=54.62exp(-11720/RT)· c_{{\mathrm{H}}_2\mathrm{S}} ·c_Fe(Ⅲ), Fe-IL/NHD吸收氧化H₂S属于快速拟一级反应, 复配NHD后, 对Fe(Ⅲ)的反应级数随NHD复配比的增大而增大, 提高温度和NHD的复配比可强化传质过程, 提高脱硫过程的反应速率.     

Comparisons of ZnO codoped by group ⅢA elements （Al,Ga, In） and N： a first-principle study

The electronic structures and effective masses of the N mono-doped and Al N, Ga-N, In-N codoped ZnO system have been calculated by a first-principle method, and comparisons among different doping cases are made. According to the results, the impurity states in the codoping cases are more delocalised compared to the N mono-doping case, which means a better conductive behaviour can be obtained by codoping. Besides, compared to the Al-N and Ga-N codoping cases, the hole effective mass of In-N codoped system is much smaller, indicating the p-type conductivity can be more enhanced by In N codoping     

镓掺杂氧化锌和硫化锌电子结构差异的第一性原理

运用第一性原理进行了相关计算研究Ga掺杂的ZnO和ZnS的电子结构的差异. 结果表明,LDA和LDA+U计算的结果在定性上是一致的. 掺杂Ga以后,ZnO和ZnS的费米能级处均出现杂质态. 掺杂中的ZnO,杂质态在导带是离域的. 掺杂后的ZnS,虽然p态比较离域,但其s态在费米能级处却是局域的. 前线轨道的电荷密度分布也给出了相同的信息. 交换ZnO和ZnS的晶格结构,结果不变. 局域化的Ga-s态是导致掺杂ZnS电学性能差的原因.     

半导体薄膜研究性实验教学的探索与实践

研究性实验教学是创新教育的重要内容.以ZnO薄膜为例,详细介绍了开展半导体物理研究性实验教学的实施方法,分析和探讨了开展研究性实验对于培养学生的创造性思维能力、科学研究能力和团队协作能力的作用.