F－L模型的状态方程与退禁闭相变图象

用温度场论方法计算了Ｆ－Ｌ模型在有限温度和密度下的状态方程，分析了压强对净重子数密度的等温线．结果表明，在平均场近似下，Ｆ－Ｌ模型所给出的退禁闭相变为一级相变．     

F-L模型的状态方程与退禁闭相变图象

用温度场论方法计算了F-L模型在有限温度和密度下的状态方程,分析了压强对净重子数密度的等温线.结果表明,在平均场近似下,F-L模型所给出的退禁闭相变为一级相变.     

在有限温度下手征孤子的消失与手征相变

本文探讨了手征孤子模型的高温行为,计算并分析了热效应对手征孤子解及Fermion对凝聚的影响,提出了关于退禁闭相变温度低于手征相变温度的一种可能的物理机制.     

ZnO电子结构和p型传导特性的第一性原理研究

基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法(USPP)，对不同掺杂情况的ZnO晶体几何结构分别进行了优化计算，从理论上给出了ZnO的晶胞参数，得到了ZnO的总体态密度(TDOS)和氮原子2p态的分波态密度(PDOS).计算结果表明：原胞体积随着掺杂比例的提高而逐渐减小；将氮铝按照2∶1的原子比例共掺可以使氮的掺杂浓度比只掺杂氮时明显提高，且随着铝在锌靶中掺入比例的增加，载流子迁移率提高，浓度增大，使得p型ZnO电导率提高，传导特性增强. 关键词： 共掺 p型传导 态密度 第一性原理     

Comparisons of ZnO codoped by group IIIA elements (Al, Ga, In) and N: a first-principle study

The electronic structures and effective masses of the N mono-doped and Al-N,Ga-N,In-N codoped ZnO system have been calculated by a first-principle method,and comparisons among different doping cases are made.According to the results,the impurity states in the codoping cases are more delocalised compared to the N mono-doping case,which means a better conductive behaviour can be obtained by codoping.Besides,compared to the Al-N and Ga-N codoping cases,the hole effective mass of In-N codoped system is much smaller,indicating the p-type conductivity can be more enhanced by In-N codoping.     

镓掺杂氧化锌和硫化锌电子结构差异的第一性原理

运用第一性原理进行了相关计算研究Ga掺杂的ZnO和ZnS的电子结构的差异. 结果表明,LDA和LDA+U计算的结果在定性上是一致的. 掺杂Ga以后,ZnO和ZnS的费米能级处均出现杂质态. 掺杂中的ZnO,杂质态在导带是离域的. 掺杂后的ZnS,虽然p态比较离域,但其s态在费米能级处却是局域的. 前线轨道的电荷密度分布也给出了相同的信息. 交换ZnO和ZnS的晶格结构,结果不变. 局域化的Ga-s态是导致掺杂ZnS电学性能差的原因.     

Comparisons of ZnO codoped by group ⅢA elements （Al,Ga, In） and N： a first-principle study

The electronic structures and effective masses of the N mono-doped and Al N, Ga-N, In-N codoped ZnO system have been calculated by a first-principle method, and comparisons among different doping cases are made. According to the results, the impurity states in the codoping cases are more delocalised compared to the N mono-doping case, which means a better conductive behaviour can be obtained by codoping. Besides, compared to the Al-N and Ga-N codoping cases, the hole effective mass of In-N codoped system is much smaller, indicating the p-type conductivity can be more enhanced by In N codoping     

Sr偏析Al晶界结构的第一性原理计算

采用基于密度泛函理论和局域密度近似的第一性原理赝势方法，计算了纯Al晶界和杂质Sr偏析Al晶界的原子结构和电子结构.结果表明Sr偏析引起了晶界膨胀和晶界处电子密度的大幅度降低,从而导致晶界结合力的减弱.这应为Sr杂质偏析引起的Al晶界脆化的主要根源所在. 关键词： Al晶界 Sr 杂质偏析 第一性原理计算     

相对论性重离子碰撞中QGP生成机制的一种模型理论分析

基于非拓扑孤子袋模型,提出了在有限温度和密度下以孤子解的不稳定和最终消失标志夸克禁闭解除的思想,考察了热效应对强作用物质系统真空结构的影响,对场方程求出了全温度区的孤子解,分析了系统的相结构及退禁闭相变的特征.同时利用一种描写真空凝聚是否解体的序参量,对真空在高温下的热激发进行了探讨.给出了在相对论性重离子碰撞中由强子物质退禁闭和真空集体激发形成夸克胶子等离子体(QGP)的一种机制.     

氧化锌中中性氮杂质第一性原理研究

以第一性原理计算为基础,研究了氧化锌中中性氮杂质的原子和电子结构、缺陷形成能等．根据计算结果,氮杂质为深受主,因此对氧化锌的p型导电性没有贡献．在各种中性氮杂质中,替代氧位的氮有最低的形成能和最浅的受主能级,在富氧条件下替代锌位的氮的形成能次之．氮间隙在四面体位置不稳定,会自动弛豫到kick-out结构．尽管氮可能会占据八面体间隙位置,但由于形成能过高因此其浓度会较低．同时还讨论了各种掺杂情形下的电荷密度分布,得到了自洽的结果.