类钙钛矿化合物Ca(Mn2 Cu1)Mn4 O12的磁性与磁电阻效应

利用固相反应法制备了名义成分为Ca(Mn2 Cu1 )Mn4 O1 2 的类钙钛矿锰氧化物 .x射线衍射表明 ,为了获得较为致密的样品和减小杂相含量 ,可以采用高温烧结再在 10 73K长时间空气中退火的制备方法 .样品在低温下同时存在铁磁相和反铁磁相 ,由于反铁磁相的存在导致样品在 4 5K时的磁化强度显著降低 ,并在 8T的高磁场下仍未达到饱和 .样品呈半导体导电性质 ,在 85K和 6T磁场下磁电阻比的最大值可达 - 4 6 % .     

类钙钛矿化合物Ca（Mn2Cu1）Mn4O12的磁性与磁电阻效应

利用固相反应法制备了名义成分为Ca(Mn2Cu1)Mn4O12的类钙钛矿锰氧化物.x射线衍射表明，为了获得较为致密的样品和减小杂相含量，可以采用高温烧结再在1073K长时间空气中退火的制备方法.样品在低温下同时存在铁磁相和反铁磁相，由于反铁磁相的存在导致样品在4.5K时的磁化强度显著降低，并在8T的高磁场下仍未达到饱和.样品呈半导体导电性质，在85K和6T磁场下磁电阻比的最大值可达-46%. 关键词： ［AC3］(B4)O12类钙钛矿锰氧化物 庞磁电阻效应 铁磁性 反铁磁性     

Nd-Sr-Mn-O钙态矿锰氧化物的低场磁电阻效应

采用固相烧结法和脉冲激光沉积法分别制备了钙态矿型锰氧化物Nd1-xSrxMnO3(x=0．1，0．2，0．3，0．4，0．5)大块多晶和Nd0．7Sr0．3MnO3在(100)LaAlO3基片上的单取向薄膜样品，分别研究了这些样品的磁电阻效应。研究表明，在多晶样品中，x=0．3时具有最大的磁电阻比，其值在240K和1T磁场下可达24．2％。对于同一成分的外延薄膜，发现磁电阻随着沉积时基片温度Ts的升高而下降，当Ts=500℃时的制备态薄膜在同样条件下的磁电阻可达84％，随着外加磁场增大到5T，磁电阻将线性增大到275％。并讨论了造成单取向膜和块材磁电阻不同的原因。