应力对La0.83Sr0.17MnO3薄膜输运性能的影响

采用溶胶-凝胶方法在Si(111)上制备了LSMO(x=0.17)薄膜.研究了块体材料和不同厚度薄膜R -T曲线、红外光谱和X射线衍射.结果表明，LSMO薄膜属于正交晶体结构，薄膜取向与膜厚度 有关，当膜厚度为450nm或680nm时，主要取向〈200〉，而膜厚度为900nm时取向为〈020〉 ：根据离子对相互作用能和谐振子模型，得到了红外吸收与Mn—O—Mn键长和键角关系式，6 00cm^-1附近红外吸收与晶格常数b的变化有关；块体与薄膜的金属—绝缘体转变 温度(T_MI)存在较大差别，薄膜转变温度显著低于块体，并与厚度有一定关系. 认为是LSMO薄膜中的应力诱导了晶格常数变化，引起键角改变及JT效应是转变温度变化的主 要原因. 关键词： 单晶硅 晶格常数 金属—绝缘体转变温度 应力诱导     

Nb元素影响TiAl金属间化合物键合特征的第一原理计算

采用第一原理方法, 研究了Nb元素对TiAl金属间化合物电子结构及其对Ti, Al和O原子键合作用的影响. 研究结果表明, Nb元素对富Ti和富Al的TiAl金属间化合物体系电子结构及键合作用的影响不同. 对于富Ti的TiAl金属间化合物体系, Nb原子取代Ti晶格位置后, 减小了Ti费米能级处的电子密度, 削弱了Ti原子与O原子间的相互作用; 同时增强了Al原子中s电子和O原子中p电子的相互作用. 而Nb原子对富Al的TiAl金属间化合物体系中Ti/Al与O的相互作用影响较小. 同时, 向TiAl金属间化合物中掺杂Nb元素, 增大了TiO2的生成能垒, 减小了Al2O3的生成能垒, 有利于促进抗氧化膜Al2O3的生成. 因此, 添加合金化元素Nb有利于提高TiAl金属间化合物的抗氧化性能, 这与实验报道相一致.     

在织构Ni衬底上用电子束蒸发沉积YSZ阻挡层

用轧制及再结晶方法制备了高度立方织构的金属Ni(镍）基带。采用电子束蒸发的方法在几个厘米长的Ni基带表面上生长YSZ（钇稳定二氧化锆）阻挡层。X射线衍射分析表明，YSZ层具有纯c轴取向和良好的平面内取向及立方织要。扫描电镜观察表明，YSZ阻挡层连续致密无裂纹。     

多项多矩阵代数性质讨论

本利用系统与控制论中有关多项式矩阵的结果，对我项工矩阵代数性质进行讨论，得到的主要结果有多项式方阵环是主理想环，也是主单侧理想环。     

高亮度搪瓷交流电致发光屏的研究

本文报导了通过改进珐琅介质的介电性能,并采用特殊的灼烧工艺,获得高亮度.长寿命的搪瓷交流电致发光(AC—EL)屏的方法。     

两样本队列半数生存期检验:反射和检基统计量

依据反射或检基原理，本文提出用于截尾资料的两样本队列半数生存期（ＣＨＬ）检验．两样本合并ＣＨＬ经指数内插取自Ｋａｐｌａｎ－Ｍｅｉｅｒ或Ｂｅｒｋｓｏｎ－Ｇａｇｅ估计值．连续性校正，经以有效样本容量取代样本容量，扩展自Ｙａｔｅｓ校正．合并标准误来自同源性生存率方差估计值，后者经有效样本容量扩展自二项分布方差．无截尾时，这些统计量还原为经典中位数检验．与反射统计量相比，检基统计量具有更高的功效．附有工作实例描述其临床应用．     

激光相位成像雷达的研究

利用无合作目标漫反射激光相位测距的原理,对关键单元技术进行分析和设计,研制成一种用于自主式车辆视觉导引的激光相位成像雷达的原理样机.     

负载型钙钛矿La0.8Sr0.2MnO3/SBA-15催化燃烧甲苯的研究

采用逐层负载-孔道内氨/水蒸气原位羟化法制备了一系列负载型钙钛矿La_0.8Sr_0.2MnO₃/SBA-15催化剂,用XRD、BET、TG-DTG、XPS、H₂-TPR等手段对催化剂的物性结构等进行了表征,并在常压连续流动固定床反应器上评价了该催化剂对甲苯催化燃烧的催化性能。结果表明,逐层负载-孔道内氨/水蒸气原位羟化法的使用有助于活性组分La_0.8Sr_0.2MnO₃进入SBA-15的孔道,并在SBA-15上形成钙钛矿结构。La_0.8Sr_0.2MnO₃/SBA-15上钙钛矿结构的形成和晶格氧的出现,可为催化剂提供较多的活性中心,有利于其催化燃烧甲苯的活性。     

Nb掺杂影响NiTi金属间化合物电子结构的第一性原理计算

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了Nb元素掺杂对B2构型NiTi金属间化合物电子结构的影响.点缺陷生成能的计算结果表明,Nb原子掺杂后,NiTi中产生Ni原子和Ti原子空位和反位点缺陷所需要的能量均明显升高;态密度计算结果表明,Nb原子掺杂后与临近原子发生了明显的s-s, p-p和d-d电子相互作用,增加了与临近原子之间的电荷密度,有利于Nb与合金原子的成键.这些由Nb掺杂所导致的NiTi电子结构和键合特征的变化均有利于促进Nb与合金原子的相互作用,在一定程 关键词： NiTi金属间化合物 点缺陷 电子结构 第一性原理计算