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81.
屠春燕  林敏  朱颐申  金苗  欧阳平凯 《分析化学》2006,34(12):1737-1740
利用反相高效液相色谱(RP-HPLC)与电喷雾质谱(ESI-MS/MS)联用技术,分析用芴甲氧羰基(Fmoc)固相合成方法在WANG树脂上手工合成的胸腺五肽(H2N-Arg-Lys-Asp-Val-Tyr-COOH)粗产物,RP-HPLC结果显示:合成粗产物含有一个主要成分,三个次要成分和多个微量成分;与之联用的电喷雾质谱同步得出相应的某些信息,可对各成分的结构进行分析。结果证明,粗产物中的主成分即为目标五肽,另外几个主要副产物为五肽合成过程中去保护未完全的副产物。  相似文献   
82.
超高分子量聚乙烯凝胶膜超高取向过程的几个不同阶段   总被引:2,自引:0,他引:2  
通过X射线衍射、平板照相、扫描电镜等方法观测超高分子量聚乙烯凝胶/结晶膜取向过程中的结构形态变化,并根据PE片晶分子动力学模拟结果,提出UHMWPE凝胶膜在热拉伸取向过程中明显存在3个不同阶段,即:初期片晶转动或滑移,b轴优先垂直于拉伸方向取向;随着拉伸比增大,片晶的c轴平等于伸方向,同时,分子链的解折叠开始,部分非晶链也进入伸直链区取向,当拉伸比达到极限倍率时,分子链已经接近完全伸展成为比较刚直  相似文献   
83.
王福安  马元凯 《色谱》1987,5(6):396-397
刘大壮等曾实验证明气液色谱中同系物的InVg-1/T-直线有一共同交点,交点位置与固定液无关.仅取决于同系物类别。据此提出一个保留体积与温度关系的方程式:  相似文献   
84.
应用NMR技术、激光拉曼光谱和硅钼酸方法研究了碱性硅铝酸盐聚合反应中铝酸根离子和硅酸根离子的存在状态及其变化.发现聚合反应是低分子量硅铝酸根离子之间或低分子量硅铝酸根离子与低分子量硅酸根离子之间的反应.  相似文献   
85.
1.用双(对羧苯基)烷基(或苯基)氧膦与3,3’-二氨基联苯胺缩聚,合成了三个在主链上带有联苯并咪唑和氧化三烃基膦结构的高分子化合物。初步研究了这类含磷高聚物的 热稳定性和化学稳定性及其红外光谱。 2.合成了两个文献上未报导过的含磷化合物——双(对甲苯基)正丁基氧膦和双(对羧苯基)正丁基氧膦。  相似文献   
86.
正质子交换膜燃料电池因具有能量转换效率高及对环境无污染等优点,而受到广泛关注.燃料电池的核心部件是质子交换膜,其性能对燃料电池的使用性能有直接的影响[1,2].目前具有工业化水平的是Nafion~膜,但是其价格高,运行温度低,因而人们希望研制能够替代Nafion~的非全氟磺酸型质子交换膜[3,4].研究发现,磺化聚芳醚酮等芳香型聚合物膜在实现了高质子传导率的同时,往往会牺牲其在高温和高湿度下的尺寸稳定性和力学强度[5,6].超支化聚合物通常具有椭球形的分子结构和良好的溶  相似文献   
87.
对于一些难以求解的一元积分,可以将被积函数或者被积函数中的一部分转化为另外一个定积分或者广义积分,这样就将一元定积分变成了多元函数的重积分,再通过交换积分顺序就可以得到原积分的结果.以几个典型的积分为例,利用这种方法,最终求得积分结果.  相似文献   
88.
在2-390K温度之间研究了La0.8Ba0.2MnO3的磁矩、磁电阻与温度的关系.发现以不同价态的Mn元素引入得到的La0.8Ba0.2MnO3,性能虽然都存在金属-绝缘体转变,以及在磁场作用下居里温度附近电阻率变化非常显著的特点,但是价态对磁性转变温度TC,金属-绝缘体转变温度Tmi,以及磁电阻极大值温度TMR的影响都非常显著.三种价态相比较,使用二价Mn的电阻率最低以及磁性转变温度更接近室温.认为影响材料性能的主要因素是材料制备时引进的Mn元素的价态,由于原料价态的不同而形成的氧空位浓度变化,进而影响了Mn4+/Mn3+的比.  相似文献   
89.
江阔  李合非  马文  宫声凯 《物理学报》2005,54(9):4374-4378
在2—390K温度之间研究了La0.8Ba0.2MnO3的 磁矩、磁电阻与温度的关系.发 现以不同价态的Mn元素引入得到的La0.8Ba0.2MnO3 ,性能虽然都存在金属 —绝缘体转变,以及在磁场作用下居里温度附近电阻率变化非常显著的特点,但是价态对磁 性转变温度TC,金属—绝缘体转变温度Tmi,以及磁电阻极大 值温度TMR的影 响都非常显著.三种价态相比较,使用二价Mn的电阻率最低以及磁性转变温度更接近室温.认 为影响材料性能的主要因素是材料制备时引进的Mn元素的价态,由于原料价态的不同而形成 的氧空位浓度变化,进而影响了Mn4+/Mn3+的比. 关键词: 价态 磁电阻 居里温度 金属—绝缘体转变  相似文献   
90.
非理想情况下的CCD调制传递函数的综合表示方法   总被引:4,自引:0,他引:4  
宋敏  郐新凯  郑亚茹 《光学技术》2003,29(6):720-722
从理论上讨论了沟道类型对CCD调制传递函数的影响,并在前期工作的基础上给出了非理想情况下的CCD调制传递函数的综合表示方法。利用数值模拟的方法对非理想情况下的CCD调制传递函数与理想情况下的CCD调制传递函数进行了比较。  相似文献   
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