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1.
采用溶胶-凝胶方法在Si(111)上制备了LSMO(x=0.17)薄膜.研究了块体材料和不同厚度薄膜R -T曲线、红外光谱和X射线衍射.结果表明,LSMO薄膜属于正交晶体结构,薄膜取向与膜厚度 有关,当膜厚度为450nm或680nm时,主要取向〈200〉,而膜厚度为900nm时取向为〈020〉 :根据离子对相互作用能和谐振子模型,得到了红外吸收与Mn—O—Mn键长和键角关系式,6 00cm-1附近红外吸收与晶格常数b的变化有关;块体与薄膜的金属—绝缘体转变 温度(TMI)存在较大差别,薄膜转变温度显著低于块体,并与厚度有一定关系. 认为是LSMO薄膜中的应力诱导了晶格常数变化,引起键角改变及JT效应是转变温度变化的主 要原因.
关键词:
单晶硅
晶格常数
金属—绝缘体转变温度
应力诱导 相似文献
2.
在2—390K温度之间研究了La0.8Ba0.2MnO3的 磁矩、磁电阻与温度的关系.发 现以不同价态的Mn元素引入得到的La0.8Ba0.2MnO3 ,性能虽然都存在金属 —绝缘体转变,以及在磁场作用下居里温度附近电阻率变化非常显著的特点,但是价态对磁 性转变温度TC,金属—绝缘体转变温度Tmi,以及磁电阻极大 值温度TMR的影 响都非常显著.三种价态相比较,使用二价Mn的电阻率最低以及磁性转变温度更接近室温.认 为影响材料性能的主要因素是材料制备时引进的Mn元素的价态,由于原料价态的不同而形成 的氧空位浓度变化,进而影响了Mn4+/Mn3+的比.
关键词:
价态
磁电阻
居里温度
金属—绝缘体转变 相似文献
3.
在2-390K温度之间研究了La0.8Ba0.2MnO3的磁矩、磁电阻与温度的关系.发现以不同价态的Mn元素引入得到的La0.8Ba0.2MnO3,性能虽然都存在金属-绝缘体转变,以及在磁场作用下居里温度附近电阻率变化非常显著的特点,但是价态对磁性转变温度TC,金属-绝缘体转变温度Tmi,以及磁电阻极大值温度TMR的影响都非常显著.三种价态相比较,使用二价Mn的电阻率最低以及磁性转变温度更接近室温.认为影响材料性能的主要因素是材料制备时引进的Mn元素的价态,由于原料价态的不同而形成的氧空位浓度变化,进而影响了Mn4+/Mn3+的比. 相似文献
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