二氧化钒薄膜的低温制备及其性能研究

针对VO₂薄膜在微测辐射热计上的应用，采用射频反应溅射法，在室温下制备氧化钒薄膜；研究了氧分压对薄膜沉积速率、电学性质及成分的影响.通过调节氧分压，先获得成分接近VO₂的非晶化薄膜，再在400℃空气中氧化退火，便可制得高电阻温度系数，低电阻率的VO₂薄膜，电阻温度系数约为-4%/℃，薄膜方块电阻为R_□为100—300kΩ；薄膜在室温下沉积，400℃下退火的制备方法与微机电加工(micro electromechanic 关键词： 二氧化钒 电阻温度系数 氧分压 射频反应溅射法     

新试剂二溴氟基偶氮氟胂分光光度法快速测定热镀锌合金中微量铈

报道了新试剂DBF-FAsA的合成及其应用于测定锌合金中添加微量元素铈量的方法。在强酸性体系中铈与二溴氟基偶氮氟砷(DBF-FAsA)形成蓝紫色配合物,其最大吸收波长为624nm,表观摩尔吸光系数ε为1.20×105L·mol-1·cm-1,线性范围为0～1.0μg/mL。该法可用于锌合金或中间锌合金材料中微量铈的测定。     

An Electro—Optical Modulator Based on GeO2—Doped Silica Ridge Waveguides with Thermal Poling

A Mach-Zehnder electro-optic modulator is designed and fabricated based on upper-clad GeO2-doped silica ridge waveguides with thermal poling.The electro-optic coefficient obtained is about 0.05pm/V and is polarizationinsensitive.An extinction ratio of over 17dB is achieved.The transmission loss of the modulator for the TE mode is 2-3dB higher than that for the TM mode after the poling.     

Effect of nonstoichiometry on Raman scattering of VO2 films

We report on Raman scattering of VO2 films prepared by radio frequency magnetron sputtering under different conditions. Our investigations revealed that the dominated Raman peaks shift towards high frequency for both V-rich and O-rich VO2 films, compared with the stoichiometry VO2 films. The experimental evidence is presented and the cause for nonstoichiometry dependence of Raman spectra of VO2 films is discussed.     

铈锆复合氧化物氧非化学计量值的测定

1引言采用氨水共沉淀法制备出CexZr1-xO2-δ复合氧化物。用氧化还原返滴定法测定样品氧非化学计量值,并采用热重法进行方法比对实验以考察方法的可行性。结果表明,本方法可得到准确CexZr1-xO2-δ的氧非化学计量值δ的测定值,并分别对不同原子比的CexZr1-xO2-δ复合氧化物样品的     

红外光谱法研究含CeSt3的LDPE膜紫外光氧降解

报道了硬脂酸铈（ＣｅＳｔ_３）、及其在各种浓度、或不同温度、或延长贮放时间下含ＣｅＳｔ_３的低密度聚乙烯（ＬＤＰＥ）膜紫外光氧化降解过程的红外光谱。结果表明，只要在ＬＤＰＥ膜中加入０．１ｗｔ＋％～０．３ｗｔ＋％ＣｅＳｔ_３光敏剂，即可控光降解ＬＤＰＥ膜的寿命。     

荧光光度法直接测定高纯氧化钕中的痕量镨和铈

使用Ｐ－ＥＬＳ５０荧光光谱仪，在盐酸介质中，用同一激发波长激发，分别测定Ｐｒ（Ⅲ）（ｎｍ）和Ｃｅ（Ⅲ）（３５６ｎｍ）发射峰强度。