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利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al2O3衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al2O3固相反应制备了具有ZnAl2O4覆盖层的α-Al2O3衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl2O4薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl2O4表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl2O4在高温下不稳定. 在ZnAl2O4覆盖的α-Al2O3衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl2O4厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl2O4覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量. 相似文献
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激光等离子体探针及应用研究 总被引:6,自引:1,他引:5
本文介绍用阴影、纹影相干涉方法确定等离子体折射系数变化的原理。分析了等离子体中的非线性效应和对光探测系统的基本要求。并简要叙述了实验上采用的后向喇曼探测束,给出了等离子体干涉、纹影和阴影的测量结果。 相似文献
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高温等离子体系统中存在等离子体流体力学运动演化过程、离子的离化分布演化动力学过程、高剥离态离子谱发射过程及发射芬光辐射输运过程等,而且高温等离子体系统通常是非平衡系统,所以定量研究高温等离子体系统的发射X光谱和高温等离子体对X光的吸收是一个非常复杂的问题。为了模拟和解释实验测得的激光等离子体发射光谱,提出了一种薄埋点靶:直径为φ200μm厚度为0.1μm的铝点埋在20μm厚的CH膜底衬中,表面再覆盖0.1μm厚CH膜。 相似文献
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采用时域有限差分方法(FDTD)进行元件表面微结构电磁场分布的数值模拟;同时实验分析了化学湿法刻蚀对光学元件表面面形及粗糙度、激光损伤阈值等的影响。 相似文献
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强冲击载荷下自由表面的粒子喷射现象还没有被清楚认识,很难从理论上给以准确的计算模型,因而从实验测定材料在冲击载荷下自由面面喷射物质的分布和粒子尺寸大小就显得非常重要。测量微粒场的脉冲激光同轴全息技术,具有在纳秒或更在短时间内“固化”运动微粒场、测量精度高、景深长、光路简单和获得的信息量大等优点。这些优势使得脉冲激光同轴全息技术成为研究微喷射场的重要测试手段之一。 相似文献
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研制成功的6MeV高能工业CT集成检测系统采用磁控管驱动的6MeV射频加速器作为X射线源,成像系统与9MeV高能工业CT相同,扫描方式采用三维锥束扫描。主要技术指标与9MeV工业CT系统接近,其空间分辨率也达到21p/mm(10%的调制度下)。 相似文献
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本文考察了包括平面上的各种广义 Cantor集 ,Sierpinski集和包括某些连续不可微曲线在内的广义 Sierpinski集 .由相似变换 ,导出了它们的级数表达式 ,并利用它和字符串空间的对应关系 ,计算出它们的Hausdorff维数 相似文献