基于SOA和NOLM的光脉冲放大与压缩的设计模型

设计了一种基于半导体光放大器(SOA)和非线性光学环镜(NOLM)的光脉冲放大与压缩的模型。数值研究结果表明:在NOLM中,当调节合适的控制脉冲的输入和初始时延时,具有较低峰值功率、宽度为几十皮秒的高斯信号脉冲经此模型放大压缩后,可以得到脉冲峰值增益高、脉冲宽度窄以及基本无基座的高质量超短信号光脉冲。     

中科院完成返回式卫星搭载实验

近日，中科院物理所和金属所合作，共同参与搭载我国第22颗返回式卫星进行空间微重力实验。在空间微重力环境下，观察了银基合金和半导体化合物熔滴形貌变化、液／固界面的润湿过程及熔滴凝固前后接触角的差异，研究了液／固界面反应及特性表征，并成功地完成了近距离摄像机、有视窗加热炉等硬件的研制，取得了预定结果。     

非晶Zr—Co的超导转变

测量了非晶态过渡族 Zr_(100-x)Co_x(x=20—41)合金的超导转变温度 T_c、上临界场 B_(c2)(T)和临界电流密度 J_c(H,T).T_c 随着 Co 含量 x 增加而线性地降低.上临界场 B_(c2)(T)的测量数值符合标准的 WHH 理论.电子状态密度和电子比热系数都随着 Co 含量 x 增加而降低.临界电流密度 J_c(H,T)和磁通钉扎力 F_p,相当弱,可以归因于在相干长度尺度上的结构均匀性.     

A Novel Contactless Method for Characterization of Semiconductors：Surface Electron Bean Induced Voltage in Scanning Electron Microscopy

We present a novel contactless and nondestructive method called the surface electron beam induced voltage (SEBIV) method for characterizing semiconductor materials and devices.The SEBIV method is based on the detection of the surface potential induced by electron beams of scanning electron microscopy (SEM).The core part of the SEBIV detection set-up is a circular metal detector placed above the sample surface.The capacitance between the circular detector and whole surface of the sample is estimated to be about 0.64pf.It is large enough for the detection of the induced surface potential.The irradiation mode of electron beam (e-beam) influences the signal generation When the e-beam irradiates on the surface of semiconductors continuously,a differential signal is obtained.The real distribution of surface potentials can be obtained when a pulsed e-beam with a fixed frequency is used for irradiation and a lock-in amplifier is employed for detection.The polarity of induced potential depends on the structure of potential barriers and surface states of samples.The contrast of SEBIV images in SEM changes with irradiation time and e-beam intensity.     

化合物半导体-绝缘体界面的界面态(续)

 三、界面态连续体的动态响应和分布多年来的大量研究结果表明把界面态处理为局域在半导体界面平面处的经典理论完全不能够解释化合物半导体-绝缘体界面的行为特点,从而使人们逐渐认识到界面态的空间分布特征.图3为半导体界面的能带结构示意图.在实际的I-S界面上,界面态是在绝缘体-半导体界面附近,在能量上和空间上的连续分布体(如图中点所示). 这里以n型半导体为例,通过绝缘体中的界面态对电子的捕获和发射过程说明界面态动态响应的特点.由于势垒△Ec的存在,空间分布的界面态与电子的作用只能依介量子力学的隧道效应得以进行.     

Resonant Optical Absorption in Semiconductor Quantum Wells

We have calculated the intraband photon absorption coefficients of hot two-dimensional electrons interacting with polar-optical phonon modes in quantum wells. The dependence of the photon absorption coefficients on the photon wavelength λ is obtained both by using the quantum mechanical theory and by the balance-equation theory. It is found that the photon absorption spectrum displays a local resonant maximum, corresponding to LO energy, and the absorption peak vanishes with increasing the electronic temperature.     

半导体列阵激光器

首先对单个同质结激光器的工作原理及阈值电流密度的半经典理论结果进行了讨论，接着讨论了现在广泛采用的载流子和光分别限制的双异质结和量子阱激光器的优越性。基于其重要性也对阈值电流密度随温度的变化作了阐述，作为列阵激光器的基础，给出了列阵中可能存在的模式－超极模，最后介绍了几种面发射和锁相列阵激光器的制作方法。     

半导体异质结界面能带排列的实验研究

本文综述半导体异质结界面能带排列的实验研究情况。介绍了九种目前已成功用于这方面研究的实验方法,这包括C—V测试、光致发光谱测量和光电子能谱测量,并讨论了Al_xGa_(-x)As/GaAs、InAs/GaSb、Ge/Si和Ge/GaAs等几种典型系统的一些研究结果。     

激光二极管侧面抽运Nd:YAG锁模激光器的研究

利用谐振腔的稳定条件对激光二极管侧面抽运的Nd：YAG锁模直腔的稳区特性和谐振腔内的光斑分布进行了分析。根据对腔参量的分析，选取合适的腔参量设计了一个简单的侧面抽运直腔，该谐振腔腔形简单，没有像散，振荡光模式好，有利于激光器的锁模运转。实验中采用国内自行研制的半导体可饱和吸收镜，实现了激光二极管侧面抽运半导体可饱和吸收镜锁模Nd：YAG激光器的连续锁模运转，平均输出功率为2W，锁模脉冲宽度为10ps，重复频率为100MHz。结合实验结果进一步讨论了半导体可饱和吸收镜的一些参量如饱和恢复时间、调制深度等对实现稳定连续锁模的影响。