|
|||||
|
|
| 化合物半导体-绝缘体界面的界面态(续) | |
| 引用本文： | 何力.化合物半导体-绝缘体界面的界面态(续)[J].现代物理知识,1991,2(3):10-9. |
| 作者姓名： | 何力 |
| 摘 要： | 三、界面态连续体的动态响应和分布多年来的大量研究结果表明把界面态处理为局域在半导体界面平面处的经典理论完全不能够解释化合物半导体-绝缘体界面的行为特点,从而使人们逐渐认识到界面态的空间分布特征.图3为半导体界面的能带结构示意图.在实际的I-S界面上,界面态是在绝缘体-半导体界面附近,在能量上和空间上的连续分布体(如图中点所示). 这里以n型半导体为例,通过绝缘体中的界面态对电子的捕获和发射过程说明界面态动态响应的特点.由于势垒△Ec的存在,空间分布的界面态与电子的作用只能依介量子力学的隧道效应得以进行. |
| 关 键 词： | 界面态 化合物半导体 绝缘体 发射过程 MISFET 半导体界面 绝缘介质 界面控制 空间分布 界面态密度 |
| 收稿时间： | 1990-6-7 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《现代物理知识》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《现代物理知识》下载免费的PDF全文 | |