全文获取类型
收费全文 | 8252篇 |
免费 | 4927篇 |
国内免费 | 3793篇 |
专业分类
化学 | 5033篇 |
晶体学 | 1122篇 |
力学 | 456篇 |
综合类 | 252篇 |
数学 | 199篇 |
物理学 | 9910篇 |
出版年
2024年 | 78篇 |
2023年 | 235篇 |
2022年 | 266篇 |
2021年 | 277篇 |
2020年 | 182篇 |
2019年 | 237篇 |
2018年 | 201篇 |
2017年 | 261篇 |
2016年 | 312篇 |
2015年 | 437篇 |
2014年 | 813篇 |
2013年 | 700篇 |
2012年 | 648篇 |
2011年 | 681篇 |
2010年 | 682篇 |
2009年 | 763篇 |
2008年 | 969篇 |
2007年 | 801篇 |
2006年 | 872篇 |
2005年 | 934篇 |
2004年 | 766篇 |
2003年 | 720篇 |
2002年 | 672篇 |
2001年 | 593篇 |
2000年 | 504篇 |
1999年 | 413篇 |
1998年 | 396篇 |
1997年 | 449篇 |
1996年 | 382篇 |
1995年 | 356篇 |
1994年 | 255篇 |
1993年 | 205篇 |
1992年 | 247篇 |
1991年 | 195篇 |
1990年 | 195篇 |
1989年 | 186篇 |
1988年 | 36篇 |
1987年 | 16篇 |
1986年 | 12篇 |
1985年 | 13篇 |
1984年 | 5篇 |
1983年 | 5篇 |
1982年 | 2篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 234 毫秒
111.
碳氢(cH)及其掺杂材料常被用作ICF实验靶丸烧蚀层材料。制备CH薄膜及其掺杂材料的方法有很多,诸如:离子束辅助沉积、离子溅射沉积、低压等离子体化学气相沉积(LPPCVD)等。近年来,详细研究了LPPCVD法制备CH薄膜的制备方法与工艺,形成了比较成熟的技术路线与工艺路线,并为“神光”实验提供了一系列实验靶丸。 相似文献
112.
113.
114.
红光激发下掺Ho3+氟化物薄膜的上转换发光 总被引:1,自引:0,他引:1
利用激光脉冲沉淀法制备了稀土Ho~(3 )掺杂的氟化物薄膜。观测到处于薄膜中的Ho~(3 )离子在632.8nm红光激发下的上转换发射。这些上转换发射包括:~5S_2→~5I_7,~5F_4→~5I_7和~5S_2→~5I_8。 相似文献
115.
热丝辅助裂解法是结合气相沉积制备聚对二甲苯薄膜和热丝化学气相沉积而形成的一种制-CH薄膜的新方法。热丝辅助裂解法的最大特点就是在保持低衬底温度情况下可以获得高沉积速率,而热丝加热电流对薄膜沉积速率和薄膜表面形貌具有重要影响。研究表明,热丝加热电流越大,薄膜沉积速率越高,在加热电流9A时,薄膜沉积速率可达0.002mm/min,同时薄膜表面粗糙度随之增加,薄膜表面也开始出现其它元素污染,因此,一般热丝加热电流选择为7A附近。 相似文献
116.
Multiple—Scattering of Near—Edge x—ray Absorption Fine Structure of Sulphur—Passivated InP(100) Surface 下载免费PDF全文
We use the multiple-scattering cluster method to calculated the sulphur 1s near-edge x-ray absorption fine structure (NEXAFS) of S-passivated InP(100) surface.The physical origins of the resonances in the NEXAFS have been unveiled.It is shown that the most important resonance is attributed to the photoelectron scattering between the central sulphur and the nearest indium atoms.The studies show that two S-S dimers with the bond lengths of 2.05A and 3.05A coexist in the surface,meanwhile the bridge and antibridge site adsorption of single S could not be ruled out.We support the scanning tunnelling microscopy result that the S-passivated InP(100) surface exhibits significant discorder. 相似文献
117.
118.
The transparent film containing a kind of polymer cholesteric liquid crystal-R was fabricated by the freezing method. The optical polarization response of the film was investigated by a self-manufactured apparatus and its optical rotatory dispersion was measured by a novel technique at the wavelength from 35Onto to 66Onto.At various wavelengths, the chiral parameter of the film has been obtained. The results show that the chiral parameter decreases as the wavelength increases. The maximum and minimum chiral parameters are 0.0343 at the wavelength of 350 nm and 0.0058 at the wavelength of 660 nm, respectively. The obtained data indicate that this kind of polymer cholesteric liquid crystal-R is a promising candidate host material for solid optical chiral waveguides. 相似文献
119.
稀磁半导体Zn1-xMnxTe吸收光谱压力红移的理论研究 总被引:1,自引:1,他引:0
以自由Mn2+离子的径向波函数为基础,通过引入电子云延伸效应系数κ来修正这一径向波函数,得到了稀磁半导体Zn1-xMnxTe晶体中Mn2+离子的径向波函数.以此波函数为基础,研究了Zn1-xMnxTe晶体吸收光谱的高压谱移特性,并且得到了吸收谱中四条谱线随压力的红移规律. 相似文献
120.
对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅(μc_Si∶H)薄膜中的氧污染问题进行了比较研究.对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明:μc_Si∶H薄膜中,氧以Si—O,O—O和O—H三种不同的键合模式存在,不同的键合模式源自不同的物理机理.μc_Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示:沉积过程中氧污染程度的不同,对μc_Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响;而不同氧污染对μc_Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅(a_Si:H)薄膜.
关键词:
氢化微晶硅薄膜
甚高频等离子体增强化学气相沉积
氧污染 相似文献