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为了适应Z箍缩物理实验的发展,研究了超细钨丝和钼丝的制备工艺、钨丝表面镀金工艺、氘代聚合物纤维制备工艺和表面纳米涂层银工艺,初步进行了导电聚合物的研究,调研了研制丝阵负载自动绕丝设备的可行性,研究了各种丝阵负载的结构及靶场安装调试工艺,完成了3轮Z箍缩物理试验用负载的制备任务。 相似文献
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低热-高压法制备PLGA多孔支架及其体外降解研究 总被引:6,自引:1,他引:6
采用低热-高压法制备了聚(dl-丙交酯/乙交酯)75/25(PLGA75/25)组织工程多孔支架。该方法避免了使用有机溶剂,支架的孔隙率在90%以上,孔径大小分布均匀。多孔支架经过酒精处理后,支架表面产生许多微小的凹陷;用藻酸钙改性处理后,支架形态保持良好。两种处理都使支架的压缩强度有所增大,亲水性增强。虽然孔隙率高的支架降解速率稍慢,但其体外降解规律基本一致:特性粘数争力学强度衰减快,而质量损失较慢,降解6周后,支架的质量损失仅为3%左右;体外降解3周后,支架的形态保持良好,可望在细胞移植争组织修复的早期发挥支撑作用。 相似文献
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利用研制平台、激光衍射直径在线表征设备、扫描电子显微镜及力学性性能测试设备等对超细钨丝的直径周期调制成型过程及单丝性能进行研究。结果表明,正电压与零电压交替出现的电解腐蚀方法可以用于制备连续型直径周期调制钨丝;电解电压1.4V和1.6V下,100~500g·L^-1的NaOH体系下,钨丝均能表现出较明显的直径周期调制形貌;电解电压更高时,只有当NaOH浓度低于500g·L^-1时,钨丝才能呈现周期调制的形貌。钨丝电解抛光的质量损失与电流强度和腐蚀时间存在正比关系,在特定条件下超细钨丝的重量损失与电流强度、电解时间二者乘积的比值为5.35×10^-5g·C^-1。在电解液质量浓度200g·L^-1,电解电压2.0V下,以3S的腐蚀时间制得的直径调制钨丝的粗段直径为12.2μm,细段直径为9.8μm,减径率约20%,其单丝断裂力可达0.2883N。 相似文献
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厚度低于5 m的AlMg合金箔材可作为带材切割的原材料应用于Z箍缩物理实验。利用热蒸镀方法,通过控制沉积速率在超光滑的NaCl基片上获得了AlMg薄膜,最终在脱膜后获得了厚度低于5 m的无支撑AlMg箔材。实验对该箔材的厚度均匀性、表面粗糙度、衍射峰位、晶粒尺寸及距表面不同距离下的成份进行了分析表征。实验发现,此热蒸镀法制备的AlMg合金箔材的厚度均匀性优于8%,两面的表面粗糙度均小于180 nm,晶粒尺寸约20 nm;不同厚度样品的衍射峰位未明显偏移,箔材内应力很小;不同深度下Mg含量稳定分布,而在箔材表面杂质含量较高,在距表面6 nm以下合金含量达到预期值并趋于稳定。热蒸镀法制得的无支撑AlMg合金箔材具有厚度可控且均匀、成分稳定、内应力小的特点,适用于制备Z箍缩带阵负载。 相似文献
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热丝辅助裂解法是结合气相沉积制备聚对二甲苯薄膜和热丝化学气相沉积而形成的一种制-CH薄膜的新方法。热丝辅助裂解法的最大特点就是在保持低衬底温度情况下可以获得高沉积速率,而热丝加热电流对薄膜沉积速率和薄膜表面形貌具有重要影响。研究表明,热丝加热电流越大,薄膜沉积速率越高,在加热电流9A时,薄膜沉积速率可达0.002mm/min,同时薄膜表面粗糙度随之增加,薄膜表面也开始出现其它元素污染,因此,一般热丝加热电流选择为7A附近。 相似文献
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超细钼丝是Z-pinch物理实验常用的材料之一。采用亚硫酸脉冲镀金技术,在超细钼丝上镀制一层均匀致密的金层来改善钼丝性能。实验研究和优化了影响镀层质量和沉积效率的主要工艺条件,优化后的阴极电流密度2 mA/cm2,溶液pH值8.5,溶液温度40°。用扫描电镜观察镀金钼丝的表面形貌及镀层质量;用划痕法测试了镀层与钼丝表面的结合力。实验结果表明,采用经过优化的镀金工艺能够在直径小于15 μm的钼丝上镀制厚度0.6~2.5 μm的致密金层,且能够有效地降低钼丝表面的粗糙度和提高抗氧化能力,满足Z-pinch实验的需要。 相似文献